本发明涉及半导体晶片加工，尤其涉及半导体的磁力喷墨测试工艺。
背景技术：
随着半导体行业的迅速发展，急需一种能够快速剔除不良品晶粒的作业方式，提高生产效率，降低生产成本，保证产品供应的及时性，提升企业形象，增强企业竞争力。
半导体晶片采用测试机进行测试时，对晶片的电性进行喷墨分选，区分出良品和不良品晶粒。在现有微电子行业半导体制程中，例如：GPP晶片(具有玻璃钝化保护P/N结的类型晶片)在激光切割硅片后，对呈现半切透状态的硅片进行分裂，将整个硅片分割成符合要求的单个小晶粒，再手工将不良品晶粒一颗颗剔除，人工耗费极大，生产效率低下，制造成本极高，同时需要建立真空系统，增加成本，同时被吸进去的双面镀金晶粒无法回收，再次造成经济上的损失。
技术实现要素：
本发明针对以上问题，提供了一种操作简单，能够高效快速剔除不合格晶粒的应用于半导体的磁力喷墨测试工艺。
本发明的技术方案是：包括以下步骤：
S1、先激光切割晶片呈半切透状，形成若干待分离的晶粒；
S2、测试晶粒，区分不合格晶粒；
S3、磁性墨水配制；
S4、晶片喷墨，对不合格晶粒进行喷墨；
S5、烘干，将喷墨后的晶片放置在烘箱内，烘箱温度为80-100℃，时间为15-25min；
S6、裂片，将待裂晶片放置在两张防静电麦拉纸之间，再通过硬质胶棒滚碾晶片，使其分裂成若干晶粒；
S7、磁铁吸附带墨水的不合格晶粒，完成。
步骤S3、磁性墨水配制；
S3.1、原料准备，包括Fe3O4粉末8-15g、酒精150-220ml和墨水400-600ml；
S3.2、原料混合，将Fe3O4粉末溶于盛放墨水的容器，再将酒精加入容器；
S3.3、原料搅拌，搅拌时间为3-6h，温度为15-30℃；
S3.4、静置、完成。
还包括表面活性剂，将表面活性剂加入步骤S3.2中的容器内。
本发明在工作中，先将晶片切割呈半切透状；通过探针台测试区分不合格晶粒；配制磁性墨水；对不合格晶粒通过探针台进行喷墨；晶片烘干，将磁性墨水烘干，便于后续操作；裂片，将晶片分裂成若干晶粒；最后，通过磁铁吸附不合格晶粒，完成加工过程，节省了时间，提高了工作效率。在磁性墨水配制过程中，Fe3O4粉末具有磁性的作用，墨水起到标记不合格晶粒的作用，酒精起到稀释和溶解的作用，成本低，方便加工。
本发明降低了生产成本，提高了工作效率，成品率高。
具体实施方式
本发明包括以下步骤：
S1、先激光切割晶片呈半切透状（即切割道深及晶片但未贯穿晶片），形成若干待分离的晶粒；
S2、测试晶粒，区分不合格晶粒，采用探针台进行测试；
S3、磁性墨水配制；
S4、晶片喷墨，对不合格晶粒进行喷墨，采用探针台进行自动喷墨；配制的磁性墨水通过溶剂的稀释和搅拌实现良好的粘稠状态，将墨水喷至在芯片的正中心位置；
S5、烘干，将喷墨后的晶片放置在烘箱内，烘箱温度为80-100℃，时间为15-25min；
S6、裂片，将待裂晶片放置在两张防静电麦拉纸之间，再通过硬质胶棒滚碾晶片，使其分裂成若干晶粒；麦拉纸防止静电，晶粒由于静电作用被吸附，从而造成飞料，引起混料等异常。
S7、磁铁吸附带墨水的不合格晶粒，完成；通过带有磁性的磁铁吸附，由于磁性墨水中的Fe3O4粉末具有金属特性，使得吸附可靠，便于分离。
酒精的作用是稀释和溶解作用；一是将墨水充分溶解于酒精中；二是对Fe3O4粉末起到稀释的作用。
步骤S3、磁性墨水配制；
S3.1、原料准备，包括Fe3O4粉末8-15g、酒精150-220ml和墨水400-600ml；
S3.2、原料混合，将Fe3O4粉末溶于盛放墨水的容器，再将酒精加入容器；
S3.3、原料搅拌，搅拌时间为3-6h，温度为15-30℃；
S3.4、静置、完成。Fe3O4粉末具有磁性的作用，墨水起到标记不合格晶粒的作用。使用前需要充分搅拌至少10min以上。
应用中，包括Fe3O4粉末10g、酒精180ml和墨水500ml；将Fe3O4粉末溶于盛放墨水的容器，再将酒精加入容器；搅拌时间为4h，温度为20℃；静置，完成。
还包括表面活性剂，将表面活性剂加入步骤S3.2中的容器内。表面活性剂具有消除晶片表面张力的作用，便于清洗（在晶粒发生误操作喷墨时），还能避免发生晶片氧化腐蚀的作用。