1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，具有下述工序，即：
在具有彼此相对的第1及第2主面的半导体衬底的所述第1主面形成第1主电极；
在所述半导体衬底的所述第2主面形成第2主电极；
进行表面活性化处理，该表面活性化处理是对所述第1及第2主电极的表面进行活性化；
进行表面清洁化处理，该表面清洁化处理是对所述第1及第2主电极的表面进行清洁化；以及
在所述表面活性化处理及所述表面清洁化处理之后，通过湿式成膜法而在所述第1及第2主电极之上分别同时形成含有大于或等于2％的晶体性Ni的第1及第2Ni膜。
2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，还具有下述工序，即：
通过湿式成膜法而在所述第1及第2Ni膜之上分别形成第1及第2Au膜。
3.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，具有下述工序，即：
通过湿式成膜法而在所述第1及第2Ni膜之上分别形成第1及第2Pd膜；以及
通过湿式成膜法而在所述第1及第2Pd膜之上分别形成第1及第2Au膜。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，
作为所述表面活性化处理而进行等离子清洗。
5.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，
作为所述表面清洁化处理而进行锌酸盐处理。
6.根据权利要求5所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，
实施至少2次所述锌酸盐处理。
7.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，
用于形成所述第1及第2Ni膜的所述湿式成膜法是无电解镀Ni。
8.根据权利要求2或3所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，
用于形成所述第1及第2Au膜的所述湿式成膜法是无电解镀Au。
9.根据权利要求3所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，
用于形成所述第1及第2Pd膜的所述湿式成膜法是无电解镀Pd。
10.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，还具有下述工序，即：
在形成所述第1及第2Ni膜之前，在所述半导体衬底的所述第1主面利用保护膜围绕所述第1主电极的周围。
11.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，
所述第1及2主电极中的至少一方是Al合金电极。
12.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，
所述第1及2主电极中的至少一方具有阻挡金属、和在所述阻挡金属之上设置的Al合金电极。
13.根据权利要求5所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，
所述第1及2主电极中的至少一方具有Al合金电极、和在所述Al合金电极之上设置的阻挡金属。
14.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，
所述半导体衬底是Si或者SiC。