技术总结
得到一种半导体装置的制造方法，该半导体装置的制造方法能够抑制晶片翘曲，削减制造成本，得到导电性高的Ni膜。在具有彼此相对的第1及第2主面的半导体衬底(1)的第1主面形成第1主电极(9)。在半导体衬底(1)的第2主面形成第2主电极(13)。进行表面活性化处理，该表面活性化处理是对第1及第2主电极(9、13)的表面进行活性化。进行表面清洁化处理，该表面清洁化处理是对第1及第2主电极(9、13)的表面进行清洁化。在表面活性化处理及表面清洁化处理之后，通过湿式成膜法而在第1及第2主电极(9、13)之上分别同时形成含有大于或等于2％的晶体性Ni的第1及第2Ni膜(14、15)。
技术研发人员：中田和成;寺崎芳明;砂本昌利
受保护的技术使用者：三菱电机株式会社
文档号码：201610827162
技术研发日：2016.09.14
技术公布日：2017.03.22