技术总结
本发明涉及一种形成螺丝帽状硅通孔的刻蚀方法，根据待形成的螺丝帽状硅通孔获取第一刻蚀阶段和第二刻蚀阶段，在第一刻蚀阶段，采用反应离子刻蚀工艺在硅基底的上端形成坡度为60‑85°的开口；在第二刻蚀阶段，采用抗反射涂层反刻和电感耦合等离子体深硅刻蚀工艺沿开口的底端往下形成垂直的通孔。本发明采用反应离子刻蚀和电感耦合等离子体刻蚀两步体硅刻蚀法，和叠加工艺流程形成所需要的螺丝帽状结构，刻蚀方法简单，可操作性强。
技术研发人员：李全宝
受保护的技术使用者：苏州工业园区纳米产业技术研究院有限公司
文档号码：201610878031
技术研发日：2016.10.09
技术公布日：2017.02.22