1.一种绝缘栅双极型晶体管器件，其特征在于，所述绝缘栅双极型晶体管器件的正面结构包括：
N型衬底正面的多个沟槽以及填充在所述多个沟槽内的多个沟槽多晶硅栅结构；
所述多个沟槽多晶硅栅结构上方的氧化层介质膜层及其两侧的侧墙结构；
分别位于所述多个沟槽多晶硅栅结构中、相邻的沟槽多晶硅栅结构之间的多个接触孔；
位于所述多个接触孔两侧、且在所述侧墙结构下方的N型掺杂发射极区；
所述多个接触孔底部的P型注入区；
填充在所述多个接触孔中的钨塞填充结构；
所述氧化层介质膜层及其两侧的侧墙结构上覆盖的正面金属层；
以及所述正面金属层上方的表面钝化层。
2.如权利要求1所述的绝缘栅双极型晶体管器件，其特征在于，所述绝缘栅双极型晶体管器件为场截止型/穿通型/非穿通型/逆导型绝缘栅双极型晶体管器件。
3.一种绝缘栅双极型晶体管器件的制造方法，其特征在于，包括：
在N型衬底上热生长垫氧化层，作为沟槽刻蚀的掩蔽层的缓冲层；
在所述垫氧化层上沉积一层氮化硅膜层，并利用沟槽光刻板刻蚀所述氮化硅膜层，形成沟槽刻蚀的掩蔽层；
基于所述掩蔽层进行沟槽刻蚀，形成多个沟槽；
在所述多个沟槽中生成多个沟槽多晶硅栅结构；
沉积氧化层介质膜层，并对所述氧化层介质膜层和所述掩蔽层进行刻蚀；
进行离子注入，形成PN结和N型掺杂发射极区；
在所述多个沟槽多晶硅栅结构上方的氧化层介质膜层两侧形成侧墙结构，以基于所述侧墙结构自对准地刻蚀形成多个接触孔；
在所述多个接触孔处进行离子注入和退火激活，形成P型注入区；
在所述多个接触孔中填充金属钨，形成钨塞填充结构；
形成正面金属层，在金属层上生成表面钝化层，并刻蚀形成正面发射极封装窗口；
进行背面结构的制作。
4.如权利要求3所述的绝缘栅双极型晶体管器件的制造方法，其特征在于，在所述多个沟槽中生成多个沟槽多晶硅栅结构，包括：
在所述多个沟槽表面热生长栅氧化介质层；
在所述多个沟槽的栅氧化介质层上沉积多晶硅；
对所述多晶硅进行刻蚀，形成沟槽多晶硅栅结构。
5.如权利要求3或4所述的绝缘栅双极型晶体管器件的制造方法，其特征在于，对所述氧化层介质膜层和所述掩蔽层进行刻蚀，包括：
刻蚀去除所述掩蔽层上方的氧化层介质膜层，保留所述多个沟槽多晶硅栅结构上方的氧化层介质膜层；
刻蚀去除所述沟槽刻蚀的掩蔽层，在保留的所述多个沟槽多晶硅栅结构上方的氧化层介质膜层之间形成多个离子注入窗口。
6.如权利要求3-5任一项所述的绝缘栅双极型晶体管器件的制造方法，其特征在于，在所述多个沟槽多晶硅栅结构上方的氧化层介质膜层两侧形成侧墙结构，以基于所述侧墙结构自对准地刻蚀形成多个接触孔，包括：
沉积一层侧墙氧化层膜层；
对所述侧墙氧化层膜层进行刻蚀，保留所述多个沟槽多晶硅栅结构上方的氧化层介质膜层两侧的侧墙氧化层，形成侧墙结构；
基于相邻两个沟槽多晶硅栅结构上方的氧化层介质膜层的侧墙之间形成的接触孔窗口进行接触孔刻蚀，形成多个接触孔。
7.如权利要求3-6任一项所述的绝缘栅双极型晶体管器件的制造方法，其特征在于，所述绝缘栅双极型晶体管器件为场截止型/穿通型/非穿通型/逆导型绝缘栅双极型晶体管器件。