1.一种隔离型LDMOS结构，其特征在于：包括集成在同一P型衬底(5)基片上的隔离槽结构和LDMOS结构；
所述隔离槽结构位于P型衬底(5)及其上方的N型外延层(6)内、LDMOS结构的第二P型重掺杂区(11)和第一P型扩散阱区(7)之间，隔离槽结构包括至少一个槽(2)、槽(2)内部的填充介质、槽(2)底部的第一P区(1)、槽(2)边缘的第一氧化层(3)，所述第一氧化层(3)用于隔离槽(2)内部的填充介质与槽(2)外部的半导体硅材料，槽(2)上表面为LDMOS的第三氧化层(14)。
2.根据权利要求1所述的隔离型LDMOS结构，其特征在于：所述LDMOS结构是Single-RESURF LDMOS、Double RESURF LDMOS、Triple RESURF LDMOS、Multiple RESURF LDMOS、3D RESURF LDMOS、SJ LDMOS其中的一种。
3.根据权利要求2所述的隔离型LDMOS结构，其特征在于：所述LDMOS结构包括P型衬底(5)、N型外延层(6)、第一P型扩散阱区(7)、第二P型扩散阱区(18)、第二P区(4)、第一P型重掺杂区(8)、第二P型重掺杂区(11)、第一N型重掺杂区(9)、第二N型重掺杂区(10)、第二氧化层(12)、第三氧化层(14)、栅极(13)、源极(15)、漏极(16)、衬底电极(17)、体区电极(19)；
所述N型外延层(6)、第二P型扩散阱区(18)位于P型衬底(5)上方并分别在隔离槽结构的两侧，所述第一P型扩散阱区(7)、第二P区(4)、第二N型重掺杂区(10)都位于N型外延层(6)内且其上表面都与N型外延层(6)的上表面平齐，第二P区(4)位于P型扩散阱区(7)和第二N型重掺杂区(10)之间，所述第一P型重掺杂区(8)、第一N型重掺杂区(9)位于第一P型扩散阱区(7)内且其上表面都与P型扩散阱区(7)上表面平齐；所述第二P型重掺杂区(11)位于第二P型扩散阱区(18)内且其上表面与第二P型扩散阱区(18)上表面平齐，所述第三氧化层(14)位于第一P型扩散阱区(7)和第二N型重掺杂区(10)之间并覆盖N型外延层(6)、第二P区(4)的表面，所述第二氧化层(12)位于第一N型重掺杂区(9)和第三氧化层(14)之间并覆盖第一P型扩散阱区(7)的表面，所述栅极(13)位于第二氧化层(12)上表面，所述源极(15)连接第一N型重掺杂区(9)电位，所述漏极(16)连接第二N型重掺杂区(10)电位，所述衬底电极(17)连接第二P型重掺杂区(11)电位，所述体区电极(19)连接第一P型重掺杂区(8)电位。
4.根据权利要求1所述的隔离型LDMOS结构，其特征在于：所述槽(2)的深度大于N型外延层(6)的厚度。
5.根据权利要求4所述的隔离型LDMOS结构，其特征在于：所述槽(2)的深度大于N型外延层(6)的厚度1μm～3μm。
6.根据权利要求1所述的隔离型LDMOS结构，其特征在于：所述槽(2)底部注入P型杂质的剂量大于1012cm-2。
7.根据权利要求1所述的隔离型LDMOS结构，其特征在于：所述槽(2)的形状是条形、梯形、倒梯形、阶梯形其中的一种或多种。
8.根据权利要求1所述的隔离型LDMOS结构，其特征在于：第一P区(1)的横向长度和P型衬底(5)的横向长度相同。
9.根据权利要求1所述的隔离型LDMOS结构，其特征在于：所述器件中各掺杂类型相应变为相反的掺杂类型，即P型掺杂变为N型掺杂的同时，N型掺杂变为P型掺杂。
10.根据权利要求1至9任意一项所述的隔离型LDMOS结构的制造方法，其特征在于包括以下步骤：
步骤1：采用P型硅片作为衬底；
步骤2：在衬底部分表面注入P型杂质形成第一P区，或者第一P区在形成隔离槽、槽侧壁及底部氧化之后，填充槽介质之前注入形成；
步骤3：外延形成N型外延层；
步骤4：形成隔离槽、槽侧壁及底部氧化；
步骤5：填充槽介质；
步骤6：LDMOS制造流程。