1.一种PERC电池正面减反膜的制备方法，其特征在于，在对硅片进行制绒、扩散、背面抛光和刻蚀之后，包括：
在所述电池的正面和背面制作氧化硅膜；
在所述硅片的背面制作氧化铝膜和背面减反膜；
在所述硅片的正面制作至少两层正面减反膜，其中，每制作一层所述正面减反膜之后，将所述硅片恒温静置预设时间，以释放出氢原子与空位、缺陷、杂质和晶界上的悬挂键结合。
2.根据权利要求1所述的PERC电池正面减反膜的制备方法，其特征在于，所述每制作一层所述正面减反膜之后，将所述硅片恒温静置预设时间包括：
制作第一层正面减反膜之后，将各个温区的温度提高第一预设梯度，并恒温静置2分钟至6分钟；
制作第二层正面减反膜之后，将各个温区的温度继续提高第二预设梯度，并恒温静置5分钟至25分钟。
3.根据权利要求2所述的PERC电池正面减反膜的制备方法，其特征在于，所述第一预设梯度和所述第二预设梯度的范围为5℃至20℃。
4.根据权利要求3所述的PERC电池正面减反膜的制备方法，其特征在于，所述在所述硅片的正面制作至少两层正面减反膜为在所述硅片的正面制作至少两层氮化硅膜。
5.根据权利要求1-4任一项所述的PERC电池正面减反膜的制备方法，其特征在于，所述在所述硅片的背面制作氧化铝膜为：
利用原子层沉积方式或PECVD方式在所述硅片的背面制作氧化铝膜。
6.根据权利要求5所述的PERC电池正面减反膜的制备方法，其特征在于，所述在所述硅片的背面制作背面减反膜为：
利用管式PECVD方式或板式PECVD方式在所述硅片的背面制作背面减反膜。
7.根据权利要求6所述的PERC电池正面减反膜的制备方法，其特征在于，所述在所述硅片的正面制作至少两层正面减反膜为：
利用管式PECVD方式或板式PECVD方式在所述硅片的正面制作至少两层正面减反膜。