有源层的制作方法、氧化物薄膜晶体管及其制作方法与流程

技术特征：

1.一种有源层的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

在基板上沉积氧化物薄膜，并对所述氧化物薄膜进行图形化处理获得氧化物层；

在基板上制作覆盖于所述氧化物层上的光刻胶层，并对所述光刻胶层进行图形化处理使所述氧化物层露出沟道区；

将所述基板置于电解液中，所述基板作为阳极，采用金属Pt作为阴极，对所述基板进行阳极氧化处理，所述沟道区上氧化物层经阳极氧化后形成有源层；

将基板取出，去除光刻胶层。

2.根据权利要求1所述的有源层的制作方法，其特征在于，所述对基板进行阳极氧化处理的步骤采用先恒流氧化后恒压氧化的方法，恒定电流密度为0.1mA/cm²～0.5mA/cm²，恒定电压为20V～50V。

3.根据权利要求2所述的有源层的制作方法，其特征在于，所述恒定电流密度为0.15mA/cm²，所述恒定电压为50V。

4.根据权利要求2所述的有源层的制作方法，其特征在于，所述先恒流氧化后恒压氧化的方法具体为：先施加恒定电流，阳极和阴极之间的电压将随时间线性升高，当电压升高到恒定电压时，将该电压恒定维持30min～40min。

5.根据权利要求1所述的有源层的制作方法，其特征在于，所述有源层的载流子浓度调控范围为10¹⁶cm^-3～10²⁰cm^-3。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的有源层的制作方法，其特征在于，采用物理气相沉积或溶液加工的方法在基板上沉积氧化物薄膜。

7.根据权利要求1至5中任一项所述的有源层的制作方法，其特征在于，所述氧化物层的厚度为10nm～200nm。

8.根据权利要求1至5中任一项所述的有源层的制作方法，其特征在于，所述氧化物薄膜为ZnO薄膜、In₂O₃薄膜、SnO₂薄膜、Ga₂O₃薄膜、ZrInO薄膜、InZnO薄膜、InSnO薄膜、InAlO薄膜、InWO薄膜、InGaZnO薄膜、InAlZnO薄膜、InTaZnO薄膜、InHfZnO薄膜中的一种或几种组合。

9.一种氧化物薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，包括如权利要求1至8中任一项所述的有源层的制作方法。

10.一种氧化物薄膜晶体管，其特征在于，包括基板、栅极、栅极绝缘层、有源层、源极和漏极，所述有源层采用权利要求1至8中任一项所述的有源层的制作方法制作而成。