1.一种柔性阻变存储器，其特征在于，其结构从下到上依次为：云母柔性衬底、InGaZnO底电极膜层、ZrHfO介质膜层和TiN顶电极膜层。
2.根据权利要求1所述的柔性阻变存储器，其特征在于，所述ZrHfO介质膜层的厚度为3~8nm。
3.根据权利要求1所述的柔性阻变存储器，其特征在于，所述InGaZnO底电极膜层的厚度为60~190nm。
4.根据权利要求1所述的柔性阻变存储器，其特征在于，所述TiN顶电极膜层的厚度为40nm~150nm。
5.根据权利要求1、2、3或4所述的柔性阻变存储器，其特征在于，所述云母柔性衬底的厚度为0.01~0.04mm。
6.一种柔性阻变存储器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
（a）将云母柔性衬底固定到磁控溅射设备腔体内的衬底台上，将InGaZnO靶材和ZrHfO靶材分别放在两个靶材台上，将腔体抽真空至1×10-4~4×10-4Pa；向腔体内通入25~50sccm的Ar，调整闸板阀使腔体内的压强维持在0.1~3Pa，打开控制InGaZnO靶材起辉的射频源，调整射频源功率为180~220W，压强0.2~1.5Pa，使InGaZnO靶材起辉，预溅射7~13min，打开InGaZnO靶材的挡板正式溅射17~23min，在云母柔性衬底的上形成InGaZnO底电极膜层，得到云母柔性衬底/InGaZnO底电极膜层的复合结构；
（b）关闭InGaZnO靶材的挡板，重新抽真空至1×10-4~4×10-4Pa，通入10~40sccm O2和20~70sccm Ar，调整闸板阀使腔体内的压强维持在2~7Pa，打开控制ZrHfO靶材起辉的射频源，调整射频源功率为50~100W，压强1~5Pa；使ZrHfO靶材起辉，预溅射7~13min；打开ZrHfO靶材挡板正式溅射28~33min，在云母柔性衬底上的InGaZnO底电极膜层上形成ZrHfO介质膜层，得到云母柔性衬底/InGaZnO底电极膜层/ZrHfO介质膜层的复合结构；
（c）关闭ZrHfO靶材的挡板，关闭射频源、充气阀、闸板阀，打开磁控溅射设备的腔体，在形成InGaZnO底电极膜层和ZrHfO介质膜层的云母柔性衬底上放置掩膜版，固定到磁控溅射设备腔体的衬底台上；将腔体抽真空至1×10-4~4×10-4Pa，向腔体内通入20~30sccm的Ar，使腔体内的压强维持在0.1~3Pa，打开直流源，调整直流源的功率为13~17W，压强0.5~1Pa，使TiN靶材起辉，预溅射7~13min；正式溅射55~65min，在ZrHfO介质膜层上形成TiN顶电极膜层，得到了云母柔性衬底/InGaZnO底电极膜层/ZrHfO介质膜层/TiN顶电极膜层复合结构的柔性阻变存储器。
7.根据权利要求6所述的柔性阻变存储器的制备方法，其特征在于，步骤（a）所述的云母柔性衬底的厚度为0.01~0.04mm。
8.根据权利要求1所述的柔性阻变存储器的制备方法，其特征在于，步骤（a）所述InGaZnO底电极膜层的厚度为60~190nm。
9.根据权利要求1所述的柔性阻变存储器的制备方法，其特征在于，步骤（b）所述ZrHfO介质膜层的厚度为3~8nm。
10.根据权利要求1所述的柔性阻变存储器的制备方法，其特征在于，步骤（c）所述TiN顶电极膜层的厚度为40nm~150nm。