1.一种络合物为前驱体的钙钛矿层晶体管，所述钙钛矿层晶体管由表层向里层依次包括基底、绝缘层、金属底电极层、钙钛矿半导体层、金属栅电极，其特征在于，所述钙钛矿半导体层包括卤化铅络合物，所述钙钛矿半导体层沉积在金属底电极层上以及金属底电极层的源极和漏极两条金属底电极之间的空隙内，形成半导体层。
2.如权利要求1所述的络合物为前驱体的钙钛矿层晶体管，其特征在于，所述基底的材料包括p型掺杂的晶硅。
3.如权利要求1所述的络合物为前驱体的钙钛矿层晶体管，其特征在于，所述绝缘层材料包括二氧化硅。
4.如权利要求1所述的络合物为前驱体的钙钛矿层晶体管，其特征在于，所述绝缘层沉积在基底上，所述金属底电极层沉积在绝缘层上，并呈两条带状排布在绝缘层的两侧边缘，一侧为源极，另一侧为漏极，在源极和漏极之间留有空隙，所述金属底电极层的材料包括金和银中至少一种。
5.如权利要求1所述的络合物为前驱体的钙钛矿层晶体管，其特征在于，所述金属栅电极沉积在钙钛矿半导体层上，所述金属栅电极的材料包括金和银中至少一种。