技术总结
本实用新型公开了一种新型功率半导体器件及其边缘终端结构，包括多段浮空场板和功率芯片，多段浮空场板的下表面焊接有底板，功率芯片包括结型场效应晶体管和结型势垒肖特基二极管，结型场效应晶体管包括P型沟道区、N型漂移区和阴极P型体区，P型沟道区的左边N型漂移区引出有阳极N+区，右边N型漂移区引出发射极N+区；结型势垒肖特基二极管包括N型基片和阳极金属，N型基片和阳极金属之间填充有N‑外延层；结型场效应晶体管和结型势垒肖特基二极管均连接有阴极金属层；多段浮空场板的两侧刻蚀有深沟刻槽，中心蚀刻有中心区槽，阴极P型体区两侧填接有P型柱体；结型势垒肖特基二极管的N型基片与阴极金属层之间垫衬有N+阴极层。
技术研发人员：詹创发
受保护的技术使用者：深圳市快星半导体电子有限公司
文档号码：201620612815
技术研发日：2016.06.21
技术公布日：2016.11.30