1.一种用于SiC IGBT外延工艺表面处理的腔体，包括等离子刻蚀腔体，其特征在于: 所述等离子刻蚀腔体的上方设置用于高温加热的卤钨灯管模块，所述等离子刻蚀腔体内下电极的下方的设置红外温度探头。
2.如权利要求1所述的用于SiC IGBT外延工艺表面处理的腔体，其特征在于: 所述卤钨灯管模块含有数个呈矩阵排列的卤钨灯管。
3.如权利要求2所述的用于SiC IGBT外延工艺表面处理的腔体，其特征在于: 所述红外温度探头数量为9个，所述红外温度探头沿等离子刻蚀腔体内的晶圆中心至边缘方向以辐射状均匀分布。
4.如权利要求3所述的用于SiC IGBT外延工艺表面处理的腔体，其特征在于: 所述等离子刻蚀腔体的一侧设置可控磁场、制程气体通道、质量流量控制器，另一侧设置可控磁场；所述等离子刻蚀腔体之中设有下电极，所述下电极上设置顶针，所述顶针上放置晶圆；所述等离子刻蚀腔体的下方设置接地、射频发生器、气体通道。
5.如权利要求4所述的用于SiC IGBT外延工艺表面处理的腔体，其特征在于: 所述气体通道上依次设置气压计、阀门阀、节流阀、分子泵、隔离阀、干式泵。