技术总结
一种用于SiC IGBT外延工艺表面处理的腔体，它是在传统的等离子刻蚀腔体上方引入了可高温加热的卤钨灯管模块，在腔体的下电极下方引入了红外温度探头。在SiC IGBT器件外延制作过程中，在该腔体内先对衬底表面进行等离子刻蚀和高温退火处理，然后腔体维持真空状态进行外延生长。在外延生长前对衬底表面利用等离子刻蚀和高温退火的方法进行处理，可以获得清洁、平整、抗氧化能力强的衬底表面，并且可以改善衬底的晶体缺陷，消除晶体内的应力。在此种衬底表面上可以生长出高质量的外延层，对SiC IGBT器件产品的良率和整体性能起到了改善和提高。
技术研发人员：不公告发明人
受保护的技术使用者：上海陛通半导体能源科技股份有限公司
文档号码：201620885816
技术研发日：2016.08.16
技术公布日：2017.01.11