技术总结
一种自旋光电子器件，包括衬底层，所述衬底层采用蓝宝石基GaN材料，在所述衬底层上依次生长有P型缓冲层、阻挡层、第一势垒层、浸润层、量子点层、间隔层、量子阱层、第二势垒层、n型接触层和电极层，所述n型接触层与所述电极层形成自旋阀注入结构，所述电极层包括依次生长的镧系稀土锰氧化物、氘代MEH‑PPV聚合物、氟化锂电子注入层、惰性金属保护层、上电极材料层。本实用新型所述的氘代MEH‑PPV聚合物半导体材料具有更弱的超精细作用，从而更利于自旋在材料内部的传输；在阴极一侧插氟化锂电子注入层则有利于实现器件的双极注入，因此，这种自旋阀结构的有机发光二极管具有更低的驱动电压和更长的自旋传输距离。
技术研发人员：石海莲;王蔚;王红;韩冬兰;杨世健;张杰祥;张来顺
受保护的技术使用者：天津天星电子有限公司
文档号码：201620936938
技术研发日：2016.08.25
技术公布日：2017.10.17