1.一种GaN HEMT器件，其特征在于，包括由下至上依次形成的衬底、SiN/AlN成核层、GaN缓冲层、AlN/GaN空间隔离层、GaN掺杂层、GaN沟道层、AlN隔离层、AlN势垒层、GaN 帽层、锆钛酸铅介质钝化层，还包括形成于锆钛酸铅介质钝化层上的源极、漏极、栅极，所述源极和漏极分别形成于锆钛酸铅介质钝化层的两端侧，栅极形成于锆钛酸铅介质钝化层上且位于源极和漏极之间，所述栅极到达源极的距离小于栅极到达漏极的距离，在源极和漏极之间形成有AlGaN结构层，并覆盖栅极，使得栅极、锆钛酸铅介质钝化层以及AlGaN结构层形成绝缘栅极，在所述AlGaN结构层上且位于栅极与漏极之间设置有一个或多个U型浮空场板。
2.根据权利要求1所述的GaN HEMT器件，其特征在于，所述衬底具体为Si、SiC、GaN、蓝宝石、Diamond中任意一种支撑材料。
3.根据权利要求1所述的GaN HEMT器件，其特征在于，所述SiN/AlN成核层的厚度为400~800nm。
4.根据权利要求1所述的GaN HEMT器件，其特征在于，所述GaN缓冲层的厚度为1um~2um。
5.根据权利要求1所述的GaN HEMT器件，其特征在于，所述AlN隔离层生长于GaN沟道层上，不掺杂，厚度为10~30nm。
6.根据权利要求1所述的GaN HEMT器件，其特征在于，所述AlN势垒层的厚度为1.5nm。
7.根据权利要求1所述的GaN HEMT器件，其特征在于，所述GaN帽层厚度为1nm~3nm。
8.根据权利要求1所述的GaN HEMT器件，其特征在于，所述源极和漏极采用Ti、Al、Ni、Au中的任意一种金属。
9.根据权利要求1所述的GaN HEMT器件，其特征在于，所述栅极采用Pt或Au。
10.根据权利要求1所述的GaN HEMT器件，其特征在于，所述U型浮空场板采用Ti、Pt、Au中的任意一种金属。