技术总结
本实用新型涉及半导体技术领域，尤其涉及一种GaN HEMT器件，包括由下至上依次形成的衬底、SiN/AlN成核层、GaN缓冲层、AlN/GaN空间隔离层、GaN掺杂层、GaN沟道层、AlN隔离层、AlN势垒层、GaN帽层、锆钛酸铅介质钝化层，形成于锆钛酸铅介质钝化层上的源极、漏极、栅极，源极和漏极分别形成于锆钛酸铅介质钝化层的两端侧，栅极形成于锆钛酸铅介质钝化层上且位于源极和漏极之间，栅极到达源极的距离小于栅极到达漏极的距离，在源极和漏极之间形成有AlGaN结构层，并覆盖栅极，使得栅极、锆钛酸铅介质钝化层以及AlGaN结构层形成绝缘栅极，在AlGaN结构层上且位于栅极与漏极之间设置有一个或多个U型浮空场板，提高了器件的击穿电压。
技术研发人员：黎明
受保护的技术使用者：成都海威华芯科技有限公司
文档号码：201621451951
技术研发日：2016.12.28
技术公布日：2017.07.11