一种LED晶片封装结构的制作方法

文档序号:12674951阅读:430来源:国知局
一种LED晶片封装结构的制作方法与工艺

本实用新型涉及LED灯组装的部件,尤其是指一种LED晶片封装结构。



背景技术:

LED晶片为LED灯的主要原材料,LED灯主要依靠该晶片来发光。要使该LED晶片能够发光,则需要设置与该LED晶片配合使用的封装壳。

现有的封装壳大多都是通过一个灯壳架通过冲压、注塑成型,成型后一个灯壳架上可以包括几十,甚至上百个封装壳,需要使用时,再将封装壳从灯壳架上拆下,但是现有灯壳架上的封装壳存在不易拆卸以及拆卸时易将封装壳损坏的问题。



技术实现要素:

本实用新型提供一种LED晶片封装结构,其主要目的在于克服现有灯壳架上的封装壳不易拆卸以及拆卸时易将封装壳损坏的的缺陷。

为解决上述技术问题,本实用新型采用如下技术方案:

一种LED晶片封装结构,包括一灯壳架以及复数个阵列布置在所述灯壳架上的封装壳,所述封装壳包括一主壳体,所述主壳体的左右两侧与所述灯壳架之间均开设有一通道,所述主壳体下侧装设有一开口朝下的凹形导电体,所述凹形导电体下部的左右两侧各具有一组L型包脚,并且两组L型包脚呈对称设置,所述L型包脚的顶端位于所述通道内,并从该顶端往下延伸至其底端再朝所述凹形导电体的内侧弯折。

进一步的,所述主壳体的上侧开设有用于容置LED晶片的置物槽,所述置物槽内设有与所述凹形导电体电连接的电极层。

进一步的,所述电极层包括三个正电极与一负电极。

进一步的,所述两组L型包脚的个数均为两个,且其中三个包脚为分别与三个所述正电极一一连接的正电极引脚,另外一个包脚为与所述负电极连接的负电极引脚。

进一步的,所述凹形导电体内侧设有填充块,所述填充块延伸至所述凹形导电体的开口处且不超过所述L型包脚的最底端。

和现有技术相比,本实用新型产生的有益效果在于:

本实用新型结构简单、实用性强,设置顶端位于通道内的L型包脚,其第一作用是L型包脚的顶端可以提供一个支点的作用,使用户拆卸时能将施力点集中在该顶端,从而让拆卸更加快捷,更加轻松;第二个作用是由于用户拆卸时是将力施到L型包脚上,因此不会与主壳体直接接触,而如果用户将力施到主壳体上,容易使主壳体变形,以致使其内的电极层发生位置变动,甚至受损,影响后续LED晶片的封装,造成材料浪费。

附图说明

图1为本实用新型的结构示意图。

图2为图1中A的放大示意图。

图3为图1中所述封装壳的顶面示意图。

图4为图1中所述封装壳的底面示意图。

图5为图4的B-B截面图。

具体实施方式

下面参照附图说明本实用新型的具体实施方式。

参照图1、图2、图3、图4和图5。一种LED晶片封装结构,包括一灯壳架1以及复数个阵列布置在所述灯壳架1上的封装壳2,所述封装壳2包括一主壳体21,所述主壳体21的左右两侧与所述灯壳架之间均开设有一通道3,所述主壳体21下侧装设有一开口朝下的凹形导电体22,所述凹形导电体22下部的左右两侧各具有一组L型包脚23,并且两组L型包脚呈对称设置,所述L型包脚23的顶端位于所述通道3内,并从该顶端往下延伸至其底端再朝所述凹形导电体22的内侧弯折。设置顶端位于通道内的L型包脚23,其第一作用是L型包脚的顶端可以提供一个支点的作用,使用户拆卸时能将施力点集中在该顶端,从而让拆卸更加快捷,更加轻松;第二个作用是由于用户拆卸时是将力施到L型包脚上,因此不会与主壳体直接接触,而如果用户将力施到主壳体上,容易使主壳体变形,以致使其内的电极层发生位置变动,甚至受损,影响后续LED晶片的封装,造成材料浪费。

参照图1、图2、图3、图4和图5。主壳体21的上侧开设有用于容置LED晶片的置物槽24,所述置物槽24内设有与所述凹形导电体电连接的电极层4。所述电极层4包括三个正电极41与一负电极42,相邻的两个电极均通过绝缘带43隔开。所述两组L型包脚23的个数均为两个,且其中三个包脚为分别与三个所述正电极一一连接的正电极引脚231,另外一个包脚为与所述负电极连接的负电极引脚232。

参照图1、图2、图3、图4和图5。所述置物槽24的底部开口241呈圆形,并且其直径为1.70mm。所述置物槽的顶部开口242也呈圆形,并且其直径为2.40mm,通过设置顶部开口边长大于底部开口边长,可以有效增强本实用新型使用时的散热效果。

参照图1、图2、图3、图4和图5。所述凹形导电体22内侧设有填充块5,所述填充块5延伸至所述凹形导电体22的开口221处且不超过所述L型包脚23的最底端。该填充块5的作用是使L型包脚23能够朝凹形导电体22的内侧弯折一定角度,从而提高导电效果并避免L型包脚23受损。其中,本实施例中每个L型包脚23底部的尺寸均为:长度0.80mm、宽度0.70mm,同一侧的两个包脚之间的距离为0.80mm,这一数值可达到最佳的导电效果。

上述仅为本实用新型的具体实施方式,但本实用新型的设计构思并不局限于此,凡利用此构思对本实用新型进行非实质性的改动,均应属于侵犯本实用新型保护范围的行为。

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