技术特征：
技术总结
本发明涉及一种半导体材料，其包含：i)式(I)的化合物：其中R1、R2和R3独立地选自C1‑C30烷基、C3‑C30环烷基、C2‑C30杂烷基、C6‑C30芳基、C2‑C30杂芳基、C1‑C30烷氧基、C3‑C30环烷氧基、C6‑C30芳氧基，以及选自具有通式E‑A‑的结构单元，其中A为C6‑C30亚苯基间隔单元，以及E为电子传输单元，其选自C10‑C60芳基和包含至多6个独立地选自O、S、P、Si和B的杂原子的C6‑C60杂芳基，并且包含具有至少10个离域电子的共轭系统，并且至少一个选自R1、R2和R3的基团具有通式E‑A‑；和ii)至少一种式(II)的单价金属的复合物：其中M+为携带单一基本电荷的正金属离子，并且A1、A2、A3和A4各自独立地选自H、取代或未取代的C6‑C20芳基和取代或未取代的C2‑C20杂芳基，其中所述取代或未取代的C2‑C20杂芳基的含至少5个成环原子的杂芳基环包含至少一个选自O、S和N的杂原子。
技术研发人员：朱莉恩·弗雷;多玛果伊·帕维奇科;乌尔里希·登克尔;维金塔斯·扬库什;卡斯滕·罗特;弗朗索瓦·卡尔迪纳利;卡特娅·格雷斐;乌尔里希·黑格曼;欧姆莱恩·法德尔
受保护的技术使用者：诺瓦尔德股份有限公司
技术研发日：2016.04.07
技术公布日：2017.12.05