1.一种基于c面SiC图形衬底的极性c面AlN薄膜，自下而上包括：c面SiC衬底层、GaN成核层、AlGaN层和c面AlN层，其特征在于：
c面SiC衬底层的表面有通过金刚石砂纸打磨形成的锯齿状衬底条纹；
AlGaN层采用Al组分渐变AlGaN层，其中Al组分从5％渐变至100％。
2.根据权利要求1所述的薄膜，其特征在于：所述的GaN成核层厚度为10-150nm。
3.根据权利要求1所述的薄膜，其特征在于：所述的Al组分渐变AlGaN层的厚度为1000-6000nm。
4.根据权利要求1所述的薄膜，其特征在于：所述的c面AlN层的厚度为500-3000nm。
5.一种基于c面SiC图形衬底的极性c面AlN薄膜制备方法，包括如下步骤：
(1)衬底打磨
将c面SiC衬底水平放置，将金刚石砂纸放置在衬底表面，在金刚石砂纸上施加1-20牛顿的力对SiC衬底进行平行打磨，打磨出平行于SiC衬底基准边的条纹图案或垂直于SiC衬底基准边的锯齿状图案；
(2)衬底清洗
将打磨后的c面SiC衬底先放入HF酸或HCl酸中超声波清洗1-10min，然后放入丙酮溶液中超声波清洗1-10min，再使用无水乙醇溶液超声清洗1-10min，再用去离子水超声清洗1-10min，最后用氮气吹干；
(3)热处理
将清洗后的c面SiC衬底置于金属有机物化学气相淀积MOCVD反应室中，抽真空将反应室的真空度降低到小于2×102Torr；再向反应室通入氢气与氨气的混合气体，在MOCVD反应室压力达到为20-760Torr条件下，将衬底温度加热到900-1200℃，并保持5-15min，完成对衬底基片的热处理；
(4)外延c面AlN层
(4a)在热处理后的c面SiC衬底上生长GaN成核层：
将反应室压力保持在20-760Torr，温度设为1000-1150℃，并同时通入流量为5-100μmol/min的镓源，流量为1200sccm的氢气和流量为3000-10000sccm的氨气，在热处理后的c面SiC衬底上生长厚度为10-150nm的GaN成核层。
(4b)在GaN成核层之上生长AlGaN层：
将反应室压力保持在20-760Torr，温度设为950-1100℃，改变镓源和铝源的流量使AlGaN层中的Al组分从5％渐变至100％，生长厚度为1000-6000nm的Al组分渐变AlGaN层，
(4c)在渐变Al组分的AlGaN层之上生长AlN层：
将反应室压力保持在20-760Torr，温度设为950-1100℃，同时通入流量为5-100μmol/min的铝源和流量为3000-10000sccm的氨气，生长厚度为500-3000nm的c面AlN层。
6.根据权利要求5所述的方法，其中步骤(1)的金刚石砂纸，采用颗粒直径为1-20um的砂纸。