技术总结
本发明公开了一种基于c面SiC图形衬底的极性c面AlN薄膜，主要解决现有技术工艺复杂，制作周期长和费用高的问题。其自下而上包括：100‑500um厚的c面SiC衬底层、10‑150nm厚的GaN成核层、1000‑6000nm厚的Al组分渐变AlGaN层和500‑3000nm厚的极性c面AlN层，其中c面SiC衬底层的表面设有由金刚石砂纸打磨形成的衬底条纹，以提高AlN材料的质量；Al组分渐变AlGaN层的Al组分从5％渐变至100％，用以降低AlN材料的应力。本发明的制备过程简单，缩短了制作周期和减小费用成本，可用于制作极性c面AlN基的紫外和深紫外半导体器件。
技术研发人员：周小伟;赵颖;杜金娟;许晟瑞;张进成;樊永祥;姜腾;郝跃
受保护的技术使用者：西安电子科技大学
文档号码：201710021289
技术研发日：2017.01.12
技术公布日：2017.05.31