本发明属于碳材料技术领域，具体是涉及一种石墨烯汇流条的制备方法。
背景技术：
石墨烯是目前发现的唯一存在的二维自由态原子晶体，是构筑零维富勒烯、一维碳纳米管、三维石墨的基本结构单元。它具有高电导、高热导、高硬度和高强度等奇特的物理、化学性质，在电子、信息、能源、材料和生物医药领域有广阔的应用前景。
石墨烯作为未来可能替代硅成为下一代半导体行业基础材料，其有着不一样的优良的性能。石墨烯具有远比硅高的载流子迁移率，石墨烯具有室温下高速的电子迁移率200 000 cm2 / V·s、量子霍尔效应、高的理论比表面积2600 m2/g、还具有高热导率3000 W/m·K 和出色的力学性能( 高模量 1060GPa，高强度130GPa)，被认为在单分子探测器、集成电路、场效应晶体管等量子器件、功能性复合材料、储能材料、催化剂载体等方面有广泛的应用前景。
汇流条的主要作用是将电源中的电流汇集，再将这些电流逐步引导到外部电路的中，其要求有良好的传导性，其导电基体一般选用导电率优良的金属，如纯铜、铜和铝合金，目前，石墨烯在从实验室走出到批量化生产已经成功后，使用石墨烯作为汇流条就成为了可能。
技术实现要素：
针对现有技术中的上述技术问题，本发明提供了一种石墨烯汇流条的制备方法，简单、快捷、环保。
为了解决上述存在的技术问题，本发明采用下述技术方案：
一种石墨烯汇流条的制备方法，包括有以下步骤：
S1：提供金属基底；
S2：将金属基底的表面进行电晕处理；
S3：在金属基底的表面均匀涂覆氧化石墨烯水溶液；
S4：将金属基底进行干燥处理，使得金属基底的表面附着上氧化石墨烯层；
S5：将附着有氧化石墨烯层的金属基底置于高能射线照射装置下进行照射，将氧化石墨烯还原成石墨烯，得到石墨烯层；
S6：将金属基底进行清洗，清洗掉剩余的氧化石墨烯层；
S7：将金属基底进行干燥，得到石墨烯汇流条。
在进一步的改进方案中，所述的高能射线照射装置为激光照射装置，其波长为150-850nm。
在进一步的改进方案中，所述的金属基底为铜箔。
在进一步的改进方案中，所述涂覆操作为喷涂、印刷或旋涂。
在进一步的改进方案中，所述清洗操作是指用极性溶剂或有机溶剂进行清洗。
与现有技术相比，本发明的有益效果是：本发明首先在金属基底表面附着上氧化石墨烯，然后将氧化石墨烯还原成石墨烯，这样就得到了金属基底及其表层附着的石墨烯层，即为石墨烯汇流条，整个制备过程简单快捷，且其石墨烯的还原为高能射线照射还原，在此过程中由于不采用化学药品，环保、无污染，其制备的石墨烯汇流条使用寿命长，传导速率高。
下面结合具体实施方式对本发明作进一步的详细描述：
【具体实施方式】
一种石墨烯汇流条的制备方法，包括有以下步骤：
S1：提供铜箔；
S2：将铜箔进行电晕处理；
S3：在铜箔的表面均匀喷涂氧化石墨烯水溶液；
S4：将铜箔进行干燥处理，使得铜箔的表面附着上氧化石墨烯层；
S5：将附着有氧化石墨烯层的铜箔置于高能射线照射装置下进行照射，将氧化石墨烯还原成石墨烯，得到石墨烯层，使得铜箔表面附着有氧化石墨烯层和石墨烯层；
S6：将铜箔进行清洗，清洗掉剩余的氧化石墨烯层；
S7：将铜箔进行干燥，这样铜箔表面就仅仅附着有石墨烯层，在这种情况下，我们得到铜箔及其表层的石墨烯层，即为石墨烯汇流条。
在本实施例中，所述的高能射线照射装置为激光照射装置，其波长为850nm，当然高能射线照射装置也可以为X射线照射装置、粒子束照射装置等；在步骤S6中的清洗操作指采用极性溶液对未被还原掉的剩余的氧化石墨烯层进行清洗，使得铜箔表面仅仅附着石墨烯层。
尽管参照上面实施例详细说明了本发明，但是通过本公开对于本领域技术人员显而易见的是，而在不脱离所述的权利要求限定的本发明的原理及精神范围的情况下，可对本发明做出各种变化或修改。因此，本公开实施例的详细描述仅用来解释，而不是用来限制本发明，而是由权利要求的内容限定保护的范围。