技术总结
本发明公开了一种气体流量控制装置及等离子体刻蚀设备，气体流量控制装置包括内环管道和外环管道；还包括独立的至少两个管路系统；其中，各管路系统包括第一支路和第二支路，第一支路与内环管道相连，第二支路与外环管道相连。本发明实施例提供的气体流量控制装置通过设置包括独立的至少两个管路系统，将不同的气体通过各自的管路系统通入至内环管道和外环管道后进行各自分配，根据工艺需求，调节各种气体的内环管道和外环管道的分配比，并且不同气体的内环管道和外环管道的分配调节互不干扰。因此本发明实施例提供的上述气体流量控制装置用于等离子体刻蚀时，可以很大程度提高刻蚀效果及刻蚀均一性。
技术研发人员：常新园;高才勇;刘浩;常维;王志强;吕俊君;崔镕各
受保护的技术使用者：重庆京东方光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司
文档号码：201710060764
技术研发日：2017.01.25
技术公布日：2017.05.10