发射光的半导体器件的制作方法

文档序号:11587169阅读:来源:国知局

技术特征:

技术总结
提出一种发射光的半导体器件,其具有:第一半导体本体(1),所述第一半导体本体包括有源区(11),在发射光的半导体器件工作时在所述有源区中产生电磁辐射,所述电磁辐射至少部分地穿过辐射出射面(1a)而离开第一半导体本体(1);以及第二半导体本体(2),所述第二半导体本体适合于将电磁辐射转换为经转换的具有更小波长的电磁辐射,其中第一半导体本体(1)和第二半导体本体(2)相互分开制成,第二半导体本体(2)是电无源的,并且第二半导体本体(2)与辐射出射面(1a)直接接触,并且在那里无连接剂地固定在第一半导体本体(1)上。

技术研发人员:马蒂亚斯·扎巴蒂尔;安德烈亚斯·普洛斯尔;汉斯-于尔根·卢高尔;亚历山大·林科夫;帕特里克·罗德
受保护的技术使用者:欧司朗光电半导体有限公司
技术研发日:2012.03.07
技术公布日:2017.08.11
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