多层石墨烯光电传感器的制作方法

技术特征：

技术总结
本发明公开一种多层石墨烯光电传感器，在石墨烯层之间交替分别形成锡化锗层和硅化锗层，由于石墨烯层的导电性，使得锡化锗层和硅化锗层中产生的载流子能够立即通过石墨烯传导至金属电极，并且交替设置的锡化锗层和硅化锗层经光照能够在结构中产生了内建电场，进一步加速了载流子的收集，另外多层结构更能充分利用照射到的光，使得传感器的灵敏度得到了很大的提升。

技术研发人员：曾玥
受保护的技术使用者：成都佰思汇信科技有限责任公司
技术研发日：2017.03.24
技术公布日：2017.07.21