1.一种高压半导体装置，其特征在于，包括：
一基底，具有一第一导电型态；
一栅极，设置于所述基底上；
一源极区及一漏极区，分别位于所述栅极的相对两侧；
一线性掺杂区，设置于所述栅极和所述漏极区之间，且具有所述第一导电型态，其中所述线性掺杂区具有一不均匀的掺杂深度；以及
一第一掩埋层，设置于所述源极区下方，且具有所述第一导电型态。
2.如权利要求1所述的高压半导体装置，其特征在于，在沿着所述栅极朝向所述漏极区的方向，所述线性掺杂区的所述掺杂深度递减。
3.如权利要求1所述的高压半导体装置，其特征在于，在沿着所述栅极朝向所述漏极区的方向，所述线性掺杂区具有一递减的掺杂浓度。
4.如权利要求1所述的高压半导体装置，其特征在于，还包括：
一第二掩埋层，设置于所述基底内且位于所述第一掩埋层下方，其中所述第二掩埋层具有一与第一导电型态相反的第二导电型态。
5.如权利要求4所述的高压半导体装置，其特征在于，所述第二掩埋层由所述源极区下方延伸至所述栅极下方。
6.如权利要求4所述的高压半导体装置，其特征在于，所述第二掩埋层未延伸至所述线性掺杂区下方。
7.一种高压半导体装置，其特征在于，包括：
一栅极，沿一第一方向延伸；
一源极区及一漏极区，分别位于所述栅极的相对两侧，且沿所述第一方向延伸；
一隔离区，设置于所述栅极与所述漏极区间，其中沿着所述第一方向，所述隔离区具有多个隔开的隔离块；以及
一线性掺杂区，设置于所述栅极和所述漏极区之间，且位于所述隔离块间，其中在沿着一垂直于所述第一方向的第二方向，所述线性掺杂区具有一不均匀的掺杂深度。
8.如权利要求7所述的高压半导体装置，其特征在于，所述线性掺杂区不与所述隔离区重叠。
9.如权利要求7所述的高压半导体装置，其特征在于，在沿着由所述栅极朝向所述漏极区的方向，所述线性掺杂区的所述掺杂深度递减。
10.如权利要求7所述的高压半导体装置，其特征在于，所述隔离块在沿着所述第二方向具有一第一长度，所述线性掺杂区在所述第二方向具有一第二长度，且所述第二长度与所述第一长度的比值介于1-10。