高压半导体装置的制作方法

技术总结
本发明实施例提供一种高压半导体装置，其包含具有第一导电型态的基底及设置于基底上的栅极。高压半导体装置也包含分别位于栅极的相对两侧的源极区及漏极区。高压半导体装置也包含设置于栅极和漏极区之间且具有第一导电型态的线性掺杂区，其中线性掺杂区具有不均匀的掺杂深度。高压半导体装置还包含设置于源极区下方且具有第一导电型态的第一掩埋层。

技术研发人员：杨绍明;简廷耀;吴玠志;李自捷;赖秋仲
受保护的技术使用者：新唐科技股份有限公司
技术研发日：2017.03.31
技术公布日：2018.07.10