技术特征：
技术总结
本发明公开了GaN高电子迁移率晶体管的氮化镓薄膜的纳米外延过生长方法，包括：(1)采用MOCVD方法在Si衬底上生长AlN成核层；(2)采用MOCVD方法在AlN成核层上外延生长GaN外延层；(3)在GaN薄膜层上沉积SiO2薄膜；(4)采用纳米压印的方法在SiO2薄膜制作长条形图案，得到具有长条形窗口区的掩模层；(5)采用MOCVD方法从窗口区外延过生长GaN膜，掩模区上方被GaN膜铺满，直至生长得到连续的GaN膜，得到过生长GaN外延层。本发明还公开了GaN高电子迁移率晶体管的氮化镓薄膜。本发明解决了现有技术中在Si衬底上生长的GaN薄膜位错密度太高，GaN HEMT电子器件电阻高的问题。
技术研发人员：刘智崑;李国强;李媛
受保护的技术使用者：华南理工大学
技术研发日：2017.04.19
技术公布日：2017.07.25