技术特征：
技术总结
本发明属于显示器件技术领域，公开了一种氧化物薄膜晶体管及其制备方法。所述制备方法为：在玻璃基板上直流磁控溅射Al:Nd薄膜栅极，然后表面氧化生长栅极绝缘层AlOx:Nd；在栅绝缘层上沉积厚度为5～30nm的STO薄膜有源层，然后在350℃～450℃空气中进行退火处理，最后在STO薄膜上直流磁控溅射制备源/漏电极Mo，并在源/漏电极与有源层之间自生成MoOx中间氧化层，得到得到所述氧化物薄膜晶体管。本发明通过退火处理后，可在源/漏电极与有源层之间自生成MoOx中间氧化层，阻碍电极材料原子向有源层中扩散，实现源/漏电极和有源层之间欧姆接触，并有效地减少工艺步骤，降低成本。
技术研发人员：宁洪龙;刘贤哲;姚日晖;李晓庆;张啸尘;吴为敬;徐苗;王磊;彭俊彪
受保护的技术使用者：华南理工大学
技术研发日：2017.06.14
技术公布日：2017.09.15