TFT基板的制作方法及TFT显示装置的制作方法与流程

本发明涉及显示技术领域，具体涉及一种tft基板的制作方法及一种tft显示装置的制作方法。

背景技术：

lcd(liquidcrystaldisplay，液晶显示器)面板是液晶显示器的重要组件之一，现有的tft(thinfilmtransistor，薄膜场效应晶体管)lcd面板由于其功率低、体积小、无辐射等优点，被广泛的用于液晶显示器中。

有机发光二极管(organiclightemittingdiode，oled)单元是一种有机薄膜电致发光器件，其具有制备工艺简单、成本低、发光效率高、易形成柔性结构、视角宽等优点。因此，利用oled的显示技术已成为一种重要的显示技术。

如图1所示，在传统的源漏极金属层的蚀刻工艺中，通常采用cl2气体和bcl3气体13对所述源漏极金属层11进行蚀刻；但是在利用物理气相沉积技术沉积源漏极金属层11之后，所述源漏极金属层11表面的金属容易在空气中被氧气氧化成金属氧化物14，残留在源漏极金属层11的表面，在后续cl2气体和bcl3气体13对所述源漏极金属层11进行干性蚀刻的过程中，由于源漏极金属层11部分表面附着有金属氧化物14，容易造成干性蚀刻速度较慢，而表面没有附着金属氧化物的部分则会被蚀刻速度较快，这会导致源漏极金属层11源极和漏极的均一性较差，进而影响tft器件的特性。

技术实现要素：

本发明提供一种tft基板的制作方法及一种tft显示装置的制作方法，能够保证源漏极金属层每个蚀刻区域的蚀刻速度相同，从而大幅度提高源漏极金属层蚀刻后的整体均一性，进而大幅度改善tft器件的性能。

为实现上述目的，本发明提供的技术方案如下：

在本发明的一个方面，提供了一种tft基板的制作方法，所述tft基板的制作方法包括：

步骤s10、提供一衬底基板；

步骤s20、在所述衬底基板上形成源漏极金属层；

步骤s30、在所述源漏极金属层上沉积一层光刻胶薄膜，在所述光刻胶薄膜上蚀刻所需的图案；

步骤s40、采用蚀刻气体对所述源漏极金属层进行蚀刻；

步骤s50、剥离所述光刻胶；

其中，采用蚀刻气体对所述源漏极金属层进行蚀刻的方法包括：

步骤s401、采用bcl3气体除掉所述源漏极金属层表面由于接触空气而产生的金属氧化物；

步骤s402、采用cl2气体和bcl3气体对所述源漏极金属层进行蚀刻。

根据本发明一优选实施例，所述源漏极金属层包括从底到顶依次层叠设置的第一金属层、第二金属层和第三金属层。

根据本发明一优选实施例，所述第一金属层和所述第三金属层为钛金属层，所述第二金属层为铝金属层。

根据本发明一优选实施例，所述s401步骤中的金属氧化物为钛被腐蚀得到的钛氧化物。

根据本发明一优选实施例，所述源漏极金属层每个蚀刻区域的蚀刻速度保持相同。

根据本发明一优选实施例，所述步骤s401中，所述bcl3气体的预设流量为1000标准毫升/分钟。

根据本发明一优选实施例，所述步骤s402中，所述cl2气体的预设流量为1200～1600标准毫升/分钟，所述bcl3气体的预设流量为150～200标准毫升/分钟。

根据本发明另一方面，提供了一种tft显示装置的制作方法，所述tft显示装置的制作方法包括：制作tft基板的步骤，以及在所述tft基板上制作显示器件的步骤；其中，所述制作tft基板的步骤包括：

步骤s10、提供一衬底基板；

步骤s20、在所述衬底基板上形成源漏极金属层；

步骤s30、在所述源漏极金属层上沉积一层光刻胶薄膜，在所述光刻胶薄膜上蚀刻所需的图案；

步骤s40、采用蚀刻气体对所述源漏极金属层进行蚀刻；

步骤s50、剥离所述光刻胶；

其中，采用蚀刻气体对所述源漏极金属层进行蚀刻的步骤包括：

步骤s401、采用bcl3气体除掉所述源漏极金属层表面由于接触空气而产生的金属氧化物；

步骤s402、采用cl2气体和bcl3气体对所述源漏极金属层进行蚀刻。

根据本发明一优选实施例，所述源漏极金属层包括从底到顶依次层叠设置的第一金属层、第二金属层和第三金属层。

根据本发明一优实施例，所述第一金属层和所述第三金属层为钛金属层，所述第二金属层为铝金属层。

本发明提供了一种tft基板的制作方法及tft显示装置的制作方法，通过先单独使用较大流量bcl3气体将源漏极金属层表面的金属氧化物移除，再使用cl2气体和bcl3气体对源漏极金属层进行蚀刻，能够保证源漏极金属层每个蚀刻区域的蚀刻速度相同，从而大幅度提高源漏极金属层蚀刻后源极和漏极的均一性，进而改善tft器件的性能。

附图说明

为了更清楚地说明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为现有技术中tft基板制作的部分结构示意图；

图2为本发明实施例的tft基板的制作方法的流程图。

图3为本发明中tft基板制作方法步骤s40的流程图。

图4a-4f为本发明实施例的tft基板制作方法的的结构工艺流程图。

具体实施方式

以下各实施例的说明是参考附加的图示，用以例示本发明可用以实施的特定实施例。本发明所提到的方向用语，例如[上]、[下]、[前]、[后]、[左]、[右]、[内]、[外]、[侧面]等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本发明，而非用以限制本发明。在图中，结构相似的单元是用以相同标号表示。

本发明针对现有tft基板及tft显示装置技术中，因源漏极金属层表面被氧化形成金属氧化物，而导致在后续工艺中各蚀刻区域蚀刻速度不一样，致使tft器件均一性较差，降低tft器件性能等问题，而提出了一种tft基板的制作方法及一种tft显示装置的制造方法，本实施例能够改善该缺陷。

下面结合附图和具体实施例对本发明做进一步的说明：

图2和图3为本发明实施例一种tft基板的制作方法流程图，图4a-4f为本发明实施例tft基板制作方法的结构工艺流程图，所述tft基板的制作方法包括：

步骤s10、提供一衬底基板20；

步骤s20、在所述衬底基板20上形成源漏极金属层21。

具体包括：如图4a所示，在衬底基板20上采用物理气相沉积技术沉积源漏极金属层21，源漏极金属层包括依次层叠设置的第一金属层211、第二金属层212和第三金属层213，其中，第一金属层211设置于衬底基板20表面，第三金属层213背离衬底基板20设置。

第一金属层211与第三金属层213采用金属钛制备，第二金属层212采用金属铝制备。

步骤s30、在所述源漏极金属层上沉积一层光刻胶薄膜，在所述光刻胶薄膜上蚀刻所需的图案。

如图4b所示，由于金属钛为在空气环境下容易为氧气腐蚀的活跃金属，所以通常第三金属层213表面的部分金属钛会被氧化成为钛氧化物24。

在源漏极金属层21表面形成一层用于制作源极25和漏极26的光刻胶薄膜22；采用预制掩模版对光刻胶薄膜22进行曝光，使用显影液蚀掉不需要光刻胶部分，以获得所需形状的光刻胶薄膜22；在涂胶过程应采用动态涂胶工艺，以确保获得厚度均匀的光刻胶薄膜22。

步骤s40、采用蚀刻气体对所述源漏极金属层进行蚀刻。

此步骤为本发明的核心部分，如图3所示，步骤s40的具体步骤包括：

步骤s401、采用bcl3气体231除掉所述源漏极金属层表面由于接触空气而产生的金属氧化物24。

如图4c所示，由于部分源漏极金属层21表面的金属被氧化产生的金属氧化物24会影响后续蚀刻工艺，所以在本发明先单独使用较大流量的bcl3气体231将部分金属被氧化产生的金属氧化物24除掉，才能使得后续工艺不会受到影响；在这里，bcl3气体231的预设流量为1000标准毫升/分钟。

在步骤s401中，应对源漏极金属层21表面未受氧化的金属部分进行保护，避免bcl3气体231错误的将未受氧气氧化的金属部分腐蚀掉。

步骤s402、采用cl2气体和bcl3气体的混合气体232对所述源漏极金属层21进行蚀刻。

如图4d所示，采用混合气体232对源漏极金属层21需要蚀刻的每个部分进行干性蚀刻，应确保每个蚀刻部分的混合气体流量相同，进而得到所需的源漏极金属层21。

其中，经蚀刻得到的源漏极金属层21包括源极区域25和漏极区域26，源极区域25和漏极区域26均为源漏极金属层21被蚀刻得到的凹陷区域，且源极区域25和漏极区域拥有相同的宽度和深度。

在本实施例中，混合气体232中cl2气体的预设流量为1400标准毫升/分钟，bcl3气体的预设流量为175标准毫升/分钟。

步骤s50、剥离所述光刻胶22。

如图4f所示，在光刻胶22剥离的制程中，所用的剥离液通常为碱性剥离液，要求在洗去tft基板上用于保护非蚀刻部分的光刻胶22的同时，不能腐蚀源漏极金属层21。

依据上述目的，本发明还提出一种tft显示装置的制作方法，所述tft显示装置的制作方法包括：制作tft基板的步骤，以及在所述tft基板上制作显示器件的步骤；其中，所述显示器件为至少包括阳极层、有机发光层、阴极层的显示器件，在这种情况下，所述tft显示装置为oled显示装置，或者，所述显示器件为彩色滤光片基板，在这种情况下，所述tft显示装置为lcd显示装置。所述制作tft基板的步骤包括：

步骤s10、提供一衬底基板；

步骤s20、在所述衬底基板上形成源漏极金属层；

步骤s30、在所述源漏极金属层上沉积一层光刻胶薄膜，在所述光刻胶薄膜上蚀刻所需的图案；

步骤s40、采用蚀刻气体对所述源漏极金属层进行蚀刻；

步骤s50、剥离所述光刻胶；

其中，采用蚀刻气体对所述源漏极金属层进行蚀刻的步骤包括：

步骤s401、采用bcl3气体除掉所述源漏极金属层表面由于接触空气而产生的金属氧化物；

步骤s402、采用cl2气体和bcl3气体对所述源漏极金属层进行蚀刻。

所述源漏极金属层包括从底到顶依次层叠设置的第一金属层、第二金属层和第三金属层。

所述第一金属层和所述第三金属层为钛金属层，所述第二金属层为铝金属层。

本优选实施例的tft显示装置的制作方法原理跟上述tft基板的制作方法的原理一致，具体可参考上述优选实施例的tft基板制作方法的工作原理，此处不再做赘述。

本发明提供了一种tft基板的制作方法及tft显示装置的制作方法，通过先单独使用较大流量bcl3气体将源漏极金属层表面的金属氧化物移除，再使用cl2气体和bcl3气体对源漏极金属层进行蚀刻，能够保证源漏极金属层每个蚀刻区域的蚀刻速度相同，从而大幅度提高源漏极金属层蚀刻后源极和漏极的均一性，进而改善tft器件的性能。

综上所述，虽然本发明已以优选实施例揭露如上，但上述优选实施例并非用以限制本发明，本领域的普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与润饰，因此本发明的保护范围以权利。