一种用于微波同轴介质振荡电路的装配调试装置及方法与流程

技术领域

本发明涉及一种用于微波同轴介质振荡电路的装配调试装置及方法，属于微波混合集成电路技术领域。

背景技术：

同轴介质振荡源已成为几乎所有军用和民用通信系统中不可或缺的微波组件。其主要作为通信整机的本机振荡器，既可以直接通过功率放大作为发射输出，也可以在超外差制式的发射和接收机中作为变频器的本振信号，实现微波频谱的搬移。其中，介质振荡器因其体积小、成本低、功耗小等优势已得到越来越多的应用。而在介质震荡电路因工作频率高导致电路元器件寄生参数对工作频率极易造成明显变化带来调试难度，浪费了时间，造成工作效率低，不利于大批量生产。

技术实现要素：

本发明的目的在于，克服现有技术存在的缺陷，解决上述技术问题，提出一种用于微波同轴介质振荡电路的装配调试装置及方法，能够快速准确实现目标频率，然后使调试特征值固化达到一致性便于大规模生产。

本发明采用如下技术方案：一种用于微波同轴介质振荡电路的装配调试装置，其特征在于，包括金属屏蔽腔体，所述金属屏蔽腔体内固定设置有调谐端加电针、介质振荡电路板，所述介质振荡电路板上固定设置有电子元器件、调试电容，所述介质振荡电路板上还固定设置有介质谐振器，所述金属屏蔽腔体上还设置有相配合的金属屏蔽盖板。

本发明还提出一种用于微波同轴介质振荡电路的装配调试装置的装配调试方法，其特征在于，将介质振荡电路板烧结在金属屏蔽腔体内，通过改变介质谐振器的长短和位置，微调调试电容的大小，在金属屏蔽腔体上加上金属屏蔽盖板得到同轴介质振荡电路的输出频率。

作为一种较佳的实施例，包括同轴介质振荡电路的装配方法、同轴介质振荡电路的调试方法。

作为一种较佳的实施例，同轴介质振荡电路的装配方法具体包括如下步骤：

步骤SS11：将调谐端加电针和介质振荡电路板用焊锡膏烧结在金属屏蔽腔体内；

步骤SS12：将电子元器件和调试电容用焊锡膏烧结在介质振荡电路板上；

步骤SS13：将介质谐振器用焊锡膏烧结在介质振荡电路板上。

作为一种较佳的实施例，步骤SS11中的焊锡膏的烧结温度为213摄氏度。

作为一种较佳的实施例，步骤SS11中的焊锡膏的烧结温度为183摄氏度。

作为一种较佳的实施例，步骤SS11中的焊锡膏的烧结温度为160摄氏度。

作为一种较佳的实施例，同轴介质振荡电路的调试方法具体包括如下步骤：

步骤SS21：将装配完成的同轴介质振荡电路在检查确定没有短路虚焊的前提下通电测试；

步骤SS22：当测试输出频率FX远小于目标中心频率F0时，则用160摄氏度温度加热将介质谐振器取下，用锉刀锉介质谐振器一端开路面使介质谐振器2的长度减小0.5mm，然后再用160摄氏度温度将磨过的介质谐振器烧结在介质振荡电路板上；

步骤SS23：加电测试输出频率FX是否接近中心频率F0，如果判断还是远小于则重复步骤SS22，直到输出频率FX接近且小于F0然后确定介质谐振器的长度L，转入步骤SS24；

步骤SS24：当输出频率FX接近中心频率F0时微调调试电容监测输出频率FX，使其输出频率FX小于中心频率F0调频带宽BW的一半，然后确定调试电容的电容值C，最终完成同轴介质振荡电路的装配和调试。

作为一种较佳的实施例，步骤SS24还包括：通过对调谐端加电针缓慢加电监测输出频率FX的变化范围即调频带宽BW。

本发明所达到的有益效果：本发明解决了现有的介质震荡电路因工作频率高导致电路元器件寄生参数对工作频率极易造成明显变化带来调试难度，浪费时间多，造成工作效率低，不利于大批量生产的缺陷，将介质振荡电路板烧结在金属屏蔽腔体内，通过改变介质振荡器的长短和位置，微调调试电容值的大小和加上屏蔽盖板得到振荡电路输出频率，实现了快速准确获得目标频率，然后使调试特征值固化达到一致性便于大规模生产的功能。

附图说明

图1是本发明的一种用于微波同轴介质振荡电路的装配调试装置的结构示意图。

图2是本发明的金属屏蔽盖板的主视图的结构示意图。

图3是本发明的金属屏蔽盖板的俯视图的结构示意图。

图中标记的含义：1-金属屏蔽盖板，2-介质谐振器，3-金属屏蔽腔体，4-调试电容，5-调谐端加电针，6-介质振荡电路板。

具体实施方式

下面结合附图对本发明作进一步描述。以下实施例仅用于更加清楚地说明本发明的技术方案，而不能以此来限制本发明的保护范围。

如图1、图2和图3所示，本发明提出一种用于微波同轴介质振荡电路的装配调试装置，其特征在于，包括金属屏蔽腔体3，金属屏蔽腔体3内固定设置有调谐端加电针5、介质振荡电路板6，介质振荡电路板6上固定设置有电子元器件、调试电容4，介质振荡电路板6上还固定设置有介质谐振器2，金属屏蔽腔体3上还设置有相配合的金属屏蔽盖板1。

本发明还提出一种用于微波同轴介质振荡电路的装配调试装置的装配调试方法，其特征在于，将介质振荡电路板6烧结在金属屏蔽腔体3内，通过改变介质谐振器2的长短和位置，微调调试电容4的大小，在金属屏蔽腔体3上加上金属屏蔽盖板1得到同轴介质振荡电路的输出频率。

作为一种较佳的实施例，包括同轴介质振荡电路的装配方法、同轴介质振荡电路的调试方法。

作为一种较佳的实施例，同轴介质振荡电路的装配方法具体包括如下步骤：

步骤SS11：将调谐端加电针5和介质振荡电路板6用焊锡膏烧结在金属屏蔽腔体3内；

步骤SS12：将电子元器件和调试电容4用焊锡膏烧结在介质振荡电路板6上；

步骤SS13：将介质谐振器2用焊锡膏烧结在介质振荡电路板6上。

作为一种较佳的实施例，步骤SS11中的焊锡膏的烧结温度为213摄氏度。

作为一种较佳的实施例，步骤SS11中的焊锡膏的烧结温度为183摄氏度。

作为一种较佳的实施例，步骤SS11中的焊锡膏的烧结温度为160摄氏度。

作为一种较佳的实施例，同轴介质振荡电路的调试方法具体包括如下步骤：

步骤SS21：将装配完成的同轴介质振荡电路在检查确定没有短路虚焊的前提下通电测试；

步骤SS22：当测试输出频率FX远小于目标中心频率F0时，则用160摄氏度温度加热将介质谐振器2取下，用锉刀锉介质谐振器2一端开路面使介质谐振器2的长度减小0.5mm，然后再用160摄氏度温度将磨过的介质谐振器2烧结在介质振荡电路板6上；

步骤SS23：加电测试输出频率FX是否接近中心频率F0，如果判断还是远小于则重复步骤SS22，直到输出频率FX接近且小于F0然后确定介质谐振器2的长度L，转入步骤SS24；

步骤SS24：当输出频率FX接近中心频率F0时微调调试电容4监测输出频率FX，使其输出频率FX小于中心频率F0调频带宽BW的一半，然后确定调试电容4的电容值C，最终完成同轴介质振荡电路的装配和调试。

作为一种较佳的实施例，步骤SS24还包括：通过对调谐端加电针5缓慢加电监测输出频率FX的变化范围即调频带宽BW。

以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明技术原理的前提下，还可以做出若干改进和变形，这些改进和变形也应视为本发明的保护范围。