以下描述涉及一种半导体封装件及其制造方法。
背景技术：
为了以高速使用高质量、高容量数据，增大了半导体封装件的频带。例如，在用于无线通信的半导体封装件的情况下，可使用利用27ghz或更大的毫米波段的技术。
当使用毫米波段时，频率的波长被减小到毫米标准。因此，当使用传统的半导体封装结构时，可能会出现性能劣化。
因此，存在对于在上述高频带下能够有效运行的半导体封装件的需求。
技术实现要素：
提供本发明内容以按照简化形式介绍发明构思的选择，以下在具体实施方式中进一步描述发明构思。本发明内容并不意在确定所要求保护的主题的关键特征或必要特征，也不意在用于帮助确定所要求保护的主题的范围。
在一个总的方面，一种半导体封装件包括：装置埋入部，包括第一基板和第二基板，所述第一基板具有埋入在所述第一基板中的第一装置，所述第二基板设置在所述第一基板上；装置安装部，包括第二装置和密封部，所述第二装置设置在所述装置埋入部上，所述密封部用于密封所述第二装置；以及第二模块，安装在所述装置埋入部的与所述装置安装部设置在其上的表面相对的表面上。
所述第一装置和所述第二装置可被布置为使得各自的有效表面彼此面对，并且所述第二基板位于所述第一装置和所述第二装置之间。
所述第一装置和所述第二装置可通过所述第二基板电连接。
所述第一装置可以是用于无线通信的前端模块(fem)装置，以及所述第二装置是用于无线通信的信号处理装置。
所述半导体封装件还可包括散热构件，所述散热构件包括设置在所述第二装置的无效表面上的金属材料，所述散热构件的一个表面暴露到所述密封部的外部。
所述第二模块可包括：介电基板；辐射部，设置在所述介电基板的第一表面上；连接电极，设置在所述介电基板的与所述第一表面相对的第二表面中，并且通过导电结合构件结合到所述装置埋入部；以及层间连接导体，设置在所述介电基板中，并且电连接所述辐射部和所述连接电极。
所述装置安装部可包括设置在所述密封部中的连接导体，所述连接导体具有电连接到所述装置埋入部的一端和暴露到所述密封部的外部的另一端。
所述第二基板可包括在所述第一基板上交替地堆叠的一个或更多个绝缘层以及一个或更多个布线层，所述布线层形成第三装置。
所述第三装置可连接到使所述第一装置和所述第二装置电连接的路径，并且可用于所述第一装置和所述第二装置的阻抗匹配。
所述第三装置可包括电感器或电容器。
在另一总的方面，一种制造半导体封装件的方法包括：形成装置埋入部，在所述装置埋入部中，第一装置埋入在基板中；在所述装置埋入部的第一表面上安装第二装置；以及在所述装置埋入部的与所述第一表面相对的第二表面上安装天线模块。
安装所述第二装置的步骤可包括将所述第二装置安装为使得所述第一装置的有效表面与所述第二装置的有效表面彼此面对。
形成所述装置埋入部的步骤可包括：将所述第一装置埋入在第一基板中；以及在所述第一基板上通过交替地堆叠一个或更多个绝缘层以及一个或更多个布线层形成第二基板。
形成所述第二基板的步骤还可包括在所述第二基板中通过所述布线层形成第三装置。所述第三装置可电连接到使所述第一装置和所述第二装置电连接的路径。
所述方法还可包括：形成被构造为密封所述第二装置的密封部；以及形成连接导体，所述连接导体穿过所述密封部并且包括电连接到所述装置埋入部的第一端以及暴露到所述密封部的外部的第二端。
形成所述密封部的步骤可包括部分地去除所述密封部，以部分地暴露所述第二装置。
通过以下具体实施方式、附图以及权利要求，其它特征和方面将显而易见。
附图说明
图1是示出半导体封装件的示例的示意性截面图。
图2、图3、图4、图5、图6、图7、图8和图9是示出制造图1中所示的半导体封装件的方法的示例的示图。
图10是图1中所示的半导体封装件的示出了第一装置和第二装置连接的示例的放大部分的分解透视图。
具体实施方式
提供以下具体实施方式，以帮助读者获得对在此描述的方法、设备和/或系统的全面理解。然而，在理解了本申请的公开内容后，在此描述的方法、设备和/或系统的各种改变、变型及等同物将是显而易见的。例如，在此描述的操作顺序仅仅是示例，且不限于在此所阐述的示例，而是除了必须按照特定顺序发生的操作外，可在理解了本申请的公开内容后做出显而易见的改变。此外，为了增加清楚性和简洁性，可省略本领域中公知的特征的描述。
在此描述的特征可按照不同的形式实施，并且将不被解释为局限于在此描述的示例。更确切地说，已经提供在此描述的示例，仅仅为了示出在理解了本申请的公开内容后将是显而易见的实现在此描述的方法、设备和/或系统的多种可行方式中的一些可行方式。
在整个说明书中，当元件(诸如层、区域或基板)被描述为“在”另一元件“上”、“连接到”另一元件或“结合到”另一元件时，其可直接“在”另一元件“上”、“连接到”另一元件或“结合到”另一元件，或者可存在介于它们之间的一个或更多个其它元件。相比之下，当元件被描述为“直接在”另一元件“上”、“直接连接到”另一元件或“直接结合到”另一元件时，可不存在介于它们之间的其它元件。
如在此使用的术语“和/或”包括相关所列项中的任何一个和任何两个或更多个的任何组合。
虽然诸如“第一”、“第二”和“第三”的术语可在此用于描述各种构件、组件、区域、层或部分，但是这些构件、组件、区域、层或部分不受这些术语限制。更确切地说，这些术语仅用于将一个构件、组件、区域、层或部分与另一构件、组件、区域、层或部分区分开。因此，在不脱离示例的教导的情况下，在此描述的示例中涉及到的第一构件、组件、区域、层或部分还可被称为第二构件、组件、区域、层或部分。
为了方便描述，在此可使用诸如“在……之上”、“上方”、“在……之下”以及“下方”的空间相关术语来描述如附图中所示的一个元件与另一元件的关系。这样的空间相对术语意于包含除了附图中描绘的方位之外的装置在使用或操作中的不同方位。例如，如果附图中的装置被翻转，则被描述为“在”另一元件“之上”或“上方”的元件将随后为“在”另一元件“之下”或“下方”。因此，术语“在……之上”根据装置的空间方向包括“在……之上”和“在……之下”两种方位。装置还可以以另外的方式被定位(例如，旋转90度或处于其它方位)，并将对在此使用的空间相关术语做出相应的解释。
在此使用的术语仅是为了描述各种示例，而不被用来限制本公开。除非上下文另外清楚地指明，否则单数形式也意于包含复数形式。术语“包含”、“包括”以及“具有”列举存在所陈述的特征、数量、操作、构件、元件和/或它们的组合，但不排除存在或添加一个或更多个其它特征、数量、操作、构件、元件和/或它们的组合。
由于制造技术和/或制造公差，可出现附图中所示的形状的变化。因此，在此描述的示例不限于附图中所示的特定形状，而是包括在制造过程中出现的形状的改变。
如在此使用的诸如“第一导电类型”和“第二导电类型”的表述可指诸如n导电类型和p导电类型的相反的导电类型，在此描述的使用这样的表述的示例也包括互补示例。例如，第一导电类型为n且第二导电类型为p的示例包含第一导电类型为p且第二导电类型为n的示例。
图1是示出半导体封装件的示例的示意性截面图。
参照图1，半导体封装件100包括第一模块m1和堆叠在第一模块m1上的第二模块m2。
第一模块m1包括装置埋入部s1和装置安装部s2。
装置埋入部s1包括基板部40和埋入在基板部40中的至少一个第一装置1。
基板部40具有重复堆叠的绝缘层l1、绝缘层l2和绝缘层l3以及布线层41、布线层42、布线层43和布线层44。基板部40还包括设置在其中的装置容纳部49。
基板部40包括：第一基板10，构成芯；第二基板20，堆叠在第一基板10的外部上；绝缘保护层30a和30b，设置在基板部40的相对的表面上。
第一基板10被构造为布线层41和布线层42设置在一个绝缘层l1的相对侧上的双侧基板。然而，本公开的构造不限于此。例如，必要时，第一基板10可被构造为布线层和/或绝缘层层层堆叠的多层基板。
第二基板20使第一装置1的端子1a重新布线，并且可通过堆积法(build-upmethod)形成在第一基板10上。例如，第二基板20可通过在第一基板10上重复堆叠绝缘层l2和绝缘层l3以及布线层43和44而形成。
第二基板20中包括的绝缘层l2和绝缘层l3可由相同的材料形成，但也可由不同的材料形成。
参照图1，第二基板20设置在第一基板10的仅仅一侧上。然而，构造不限于此。可进行各种变型，例如，必要时，第二基板20可设置在第一基板10的两个表面上，和/或可重复堆叠。
绝缘保护层30a和30b设置在基板部40的最外侧上，以形成基板部40的表面。绝缘保护层30a和30b包括开口，以使连接垫41a和44a暴露到外部。
绝缘保护层30a和30b可由绝缘树脂材料形成，并且可使用例如阻焊剂形成。然而，形成绝缘保护层30a和30b的材料和方法不限于此。
基板部40的绝缘层l1至l3可由具有绝缘性质的树脂材料形成。绝缘层l1至l3可由例如诸如环氧树脂的热固性树脂、诸如聚酰亚胺的热塑性树脂或者浸渍有诸如玻璃纤维或无机填料的增强材料的树脂(例如，半固化片)形成。
第一基板10的绝缘层l1以及第二基板20的绝缘层l2和l3可由不同的材料形成。例如，第二基板20的绝缘层l2和l3可由环氧材料形成，第一基板10的绝缘层l1可由其他聚合物材料形成，或者第一基板10的绝缘层l1可由环氧材料形成，第二基板的绝缘层l2和l3可由其他聚合物材料形成。可选地，如果必要，则基板部40的绝缘层l1至l3可由相同的材料形成。以上仅仅是示例，可对绝缘层l1、l2和l3中包括的材料进行各种变型。
布线层41至44设置在绝缘层l1至l3中的每个绝缘层的一个表面或两个表面上。
布线层41至44可通过使诸如铜箔(cu箔)的金属层图案化而形成，但不限于此。
用于安装电子组件或连接端子的连接垫41a和44a可形成在设置于基板部40的最外侧上的布线层41和44上。
各种基板(例如，陶瓷基板、印刷电路板、柔性基板、玻璃基板等)可用作基板部40。
基板部40是包括布线层41至44的多层基板。根据图1，基板部40包括四个布线层41至44，但基板部40不限于此。
基板部40还包括层间连接导体48，层间连接导体48用于使形成在各个侧上的连接垫41a和44a与形成在基板部40上的布线层41至44彼此电连接。
层间连接导体48形成为穿过绝缘层l1至l3中的每个。
至少一个第一装置1埋入其中的装置容纳部49形成在基板部40中。
装置容纳部49形成在第一基板10中。然而，必要时，装置容纳部49可部分地延伸到第二基板20中。
绝缘构件49a设置在装置容纳部49中。绝缘构件49a填充装置容纳部49，使得装置容纳部49的容纳第一装置1的全部空间被填充。
绝缘构件49a由具有绝缘性质并且可容易填充装置容纳部49的材料形成。例如，绝缘构件49a由与第一基板10的绝缘层l1的材料相同的材料形成。例如，绝缘构件49a通过在装置容纳部49中填充半固化态的环氧树脂或其他聚合物，然后对环氧树脂或其他聚合物执行固化而形成。然而，绝缘构件49a不限于此。
埋入在装置容纳部49中的第一装置1是各种电子装置中的一种，并且包括例如，功率放大器或包含功率放大器的前端模块(fem)。
作为示例，第一装置1包括用于无线通信的其中埋入有开关装置的fem元件、功率放大器和rm滤波器。然而，以上描述的构造不限于此，可应用各种装置，只要装置可埋入在基板中即可。
第一装置1包括端子1a形成在其上的有效表面和与有效表面相对的无效表面。如上所述，第二基板20用于使第一装置1的端子1a重新布线。因此，第二基板20可形成在第一装置1的有效表面位于其上的一个表面上。
接着，将描述装置安装部s2。
装置安装部s2包括第二装置2、密封部52和连接导体54。
装置安装部s2设置在装置埋入部s1的一个表面上。
第二装置2是表面安装式组件，且至少一个第二装置2安装在装置埋入部s1的一个表面上。因此，第二装置2在尺寸和形状方面不被限制，只要第二装置2可安装在装置埋入部s1上即可。
第二装置2包括端子(未示出)形成在其上的有效表面和与有效表面相对的无效表面。
第二装置2被布置为使得具有端子的有效表面面对第一装置1的有效表面。因此，第二装置2安装在第二基板20上，并且通过设置在第二基板20中的层间连接导体48以及设置在第二基板20上的布线层43和44电连接到第一装置1。
第二装置2包括用于无线通信的至少一个信号处理装置2a(例如，rfic)。
信号处理装置2a是执行rf信号处理并且电连接到如上所述的第一装置1的装置。
如果无线通信频率的波长以毫米的单位缩短，则信号处理装置2a与功率放大器(或fem装置)之间的电路径被设计为尽可能短。为此，在半导体封装件100中，信号处理装置2a设置在面对第一装置1的位置中。
因此，第一装置1和信号处理装置2a通过形成在第二基板20中的层间连接导体48彼此竖直连接，因此，第一装置1和信号处理装置2a之间的电路径被最小化。
第二装置2还包括用于阻抗匹配和电源旁路的诸如电阻器、电容器和电感器的各种无源装置2b。
第二装置2中的至少一个包括散热构件h。
在第二装置2中，信号处理装置2a在操作期间产生大量热。因此，散热构件h设置在信号处理装置2a的无效表面上。
散热构件h被设置为使在信号处理装置2a的操作期间产生的热向外消散，并且因此由具有高导热性的金属材料形成。
如图1所示，散热构件h通过结合部分(未示出)附着到信号处理装置2a的无效表面，并且可由例如由铜制成的金属块形成。然而，散热构件h不限于此，可进行各种变型，例如，通过使用金属箔或通过将金属材料应用到信号处理装置2a的无效表面来形成散热构件h。
在图1中，示出了散热构件h仅设置在信号处理装置2a中的情况。然而，构造不限于此，并且对于产生大量热的任何第二装置2，散热构件h可容易地添加到其它第二装置2。
密封部52密封安装在装置埋入部s1上的第二装置2。此外，通过将密封部52填充在安装于装置埋入部s1上的第二装置2之间，可防止第二装置2之间的电短路，并且通过使密封部52围绕第二装置2的外部并将第二装置2固定到半导体封装件100中可防止第二装置2受外部冲击。
设置在第二装置2中的散热构件h的一个表面暴露到密封部52的外部。
以上描述的密封部52由包括诸如环氧塑封料(emc，epoxymoldingcompound)的树脂材料的绝缘材料形成。然而，密封部52不限于此。
连接导体54穿过密封部52并设置在密封部52中。连接导体54的一端结合到基板部40，另一端连接到连接端子60。
连接导体54可由诸如铜、金、银、铝或它们的合金的导电材料形成。
连接导体54形成为朝向基板部40具有比较小的水平截面面积的锥形形状。
连接端子60可结合到连接导体54的另一端。连接端子60将半导体封装件100与半导体封装件100安装在其上的主板(未示出)电连接和物理连接。连接端子60可形成为焊球的形式，但不限于此。
如图1所示，使用天线模块作为第二模块m2。然而，第二模块m2不限于此，如果必要，可使用各种模块作为第二模块m2。
第二模块m2包括具有高介电常数的介电基板72、设置在介电基板72的一个表面上的辐射部74和布置在介电基板72的另一表面上的连接垫76。此外，第二模块m2还可包括用于保护连接垫76的绝缘保护层75。
可使用包含玻璃的聚酰亚胺基聚合物塑料基板或环氧树脂作为介电基板72，并且介电基板72的介电常数可通过控制玻璃含量进行调节。
连接垫76通过层间连接导体78连接到辐射部74。
第二模块m2通过诸如焊料的导电粘合剂60a安装在第一模块m1的一个表面上。
由于介电基板72由具有高介电常数的材料形成，因此参照图1描述的第二模块m2可减小插入损耗并有利于优异的阻抗匹配。因此，可使天线模块的尺寸最小化。
在根据以上描述的实施例的半导体封装件100中，第一模块m1和第二模块m2可分别制造然后组合。因此，半导体封装件100可在制造第二模块m2时选择和使用可增大天线效率的介电基板72。
此外，fem(第一装置1)和信号处理装置2a(第二装置2)竖直地布置，同时，第一装置1和第二装置2的有效表面布置为彼此面对。因此，第一装置和信号处理装置2a之间的电路径可被最小化，因此，信号损失可被最小化。
此外，由于fem、信号处理装置和天线被一体化成单个半导体封装件，因此与fem、信号处理装置和天线分开制造并安装在主板上的情况相比，可减小安装面积，并且可使fem、信号处理装置和天线之间的电路径最小化。
接着，将描述上述半导体封装件的制造方法。
图2至图9是示出制造图1中所示的半导体封装件的方法的示例的示图。
参照图2至图9，如图2所示，形成具有分别形成在绝缘层l1的顶表面和底表面上的金属层m10和m20的堆叠板p(s01)。例如，使用覆铜层压板(ccl)作为堆叠板p。
接着，去除堆叠板p的一部分以形成装置容纳部49，并且将用于支撑第一装置1的带t附着到堆叠板p的一个表面(s02)。
装置容纳部49是通孔，并具有与将要埋入到其中的第一装置1的尺寸/形状相对应的尺寸/形状。
装置容纳部49可通过使用激光部分地去除堆叠板p而容易地形成。然而，装置容纳部49不限于此，可使用各种方法(诸如使用穿孔法、钻孔法或蚀刻法)，只要可在堆叠板p中形成装置容纳部49即可。
当形成装置容纳部49时，将其有效表面上形成有端子1a的第一装置1设置在装置容纳部49中。此时，第一装置1被布置为使得端子1a(或有效表面)与带t接触。
如图3所示，当第一装置1设置在装置容纳部49中时，在装置容纳部49中填充绝缘构件49a，然后使绝缘构件49a固化(s03)。绝缘构件49a流入到装置容纳部49中，以填充形成在第一装置1的周围的空间并固定第一装置1。
绝缘构件49a可以以液体或胶体的形式流入到装置容纳部49中，然后被固化并成形。
接着，在去除带t之后，使堆叠板p的金属层m10和m20图案化来形成布线层41和42(s04)。
在该步骤中，在堆叠板p中还形成层间连接导体48。层间连接导体48可通过在绝缘层l1中形成通孔然后在通孔中填充或施加导电材料而形成。
布线层41和42可通过光刻法来形成，但不限于此。
通过以上工艺，完成第一基板10。第一基板10形成为比第一装置1厚，以使第一装置1被完全埋入。
接着，如图4所示，在第一基板10的两个表面中的一个表面(在下文中称为第一表面)上形成第二基板20(s05)。第二基板20通过重复堆叠绝缘层l2和l3然后在绝缘层l2和l3中形成层间连接导体48并在绝缘层l2和l3上分别形成布线层43和44而完成。可使用光刻法执行这样的工艺，但不限于此。布线层43和44还可通过镀覆、气相沉积、溅射等形成。
接着，分别在第一基板10和第二基板20的表面上形成绝缘保护层30a和30b(s06)。此时，在绝缘保护层30a和30b中形成开口，以使连接垫41a和44a暴露到外部(见图1)。
绝缘保护层30a和30b可形成为阻焊剂。此外，必要时，绝缘保护层30a和30b可形成为多层。
通过上述工艺，完成了装置埋入部s1。
接着，在装置埋入部s1上形成装置安装部s2。
首先，如图5所示，在装置埋入部s1的一个表面上安装第二装置2(s07)。第二装置2安装在第二基板20的表面上。第二装置2中的信号处理装置2a安装在尽可能靠近第一装置1的位置中。
接着，如图6所示，形成用于密封安装在装置埋入部s1上的第二装置2的密封构件52a(s08)。密封构件52a可由包括诸如环氧塑封料(emc)的树脂材料的绝缘材料形成。然而，密封构件52a不限于此。
可通过将其中安装有第二装置2的装置埋入部s1设置在金属模具(未示出)中并向金属模具中注射成型树脂而形成密封构件52a。
然后，如图7所示，通过部分地去除密封构件52a以使信号处理装置2a暴露到外部并在密封构件52a中形成导通孔54a而完成密封构件52a(如上所述，并如前面的图6所示)，从而形成密封部52(s09)。
可通过用研磨机(未示出)等打磨覆盖第二装置2的部分而去除密封构件52a。打磨并去除密封构件52a，直到设置在信号处理装置2a的无效表面上的散热构件h的一个表面暴露到外部为止，并且使密封构件52a和散热构件h的暴露的表面布置在同一平面上。
可通过激光钻孔方法形成导通孔54a。
在该工艺过程中，导通孔54a的整体形状形成为其水平截面面积随着导通孔54a变得靠近装置埋入部s1而减小的锥形形状。
接着，如图8所示，在导通孔54a中形成连接导体54(s10)。连接导体54可通过镀覆法形成。当连接导体54由铜(cu)制成时，可执行铜镀覆。镀覆方法可包括无电镀覆和电镀中二者或任何一者，但不限于此。
例如，连接导体54可仅通过电镀形成。在这种情况下，连接导体54可通过使用形成在装置埋入部s1中的电镀布线(未示出)从第二基板20的布线层44顺序填充导通孔54a而形成。
密封部52可由emc形成。通常，在作为热固性树脂的emc的表面上镀覆金属(即，结合金属)是非常难的。
因此，可使用机械联锁、挂钩、锚固理论或锚固效应来在emc表面上镀覆导体。这些术语指的是使粘合剂穿入到被粘合的表面上的不规则结构(即，不整齐结构)中并通过机械接合而结合的机械原理。
例如，可使用将由emc形成的导通孔54a的内表面形成的尽可能粗糙并以镀覆方法按照锚固效应使镀覆材料与导通孔54a的内表面结合的方法。然而，方法不限于此。
当连接导体54形成在导通孔54a中时，在密封部52的表面上形成绝缘保护层30c。此时，连接导体54和散热构件h通过形成在绝缘保护层30c中的开口而暴露到外部。
然后，使连接端子60结合到连接导体54，以形成第一模块m1。然而，可省略连接端子60，或者可在第二模块m2安装于第一模块m1上之后使连接端子60结合到连接导体54。
然后，在第一模块m1上堆叠第二模块m2。
将参照图9简要描述制造第二模块m2的方法。
在具有高介电常数的介电基板72的一个表面上形成辐射部74，并且在另一表面上形成连接垫76。然后，在介电基板72中形成层间连接导体78，以电连接辐射部74和连接垫76。可通过光刻法执行以上工艺，但不限于此。
然后，在介电基板72的连接垫76形成在其上的另一表面上形成绝缘保护层75，以完成第二模块m2。
如图9所示，在第一模块m1上堆叠完成的第二模块m2(s11)。
第二模块m2可通过诸如焊球的导电粘合剂60a结合到第一模块m1。
以上描述的半导体封装件不限于上述实施例，可进行各种变型。
图10是图1中所示的半导体封装件的第一装置1和第二装置2连接的放大部分的分解透视图。
参照图10，半导体封装件包括用于对连接第一装置1和第二装置2的电路径进行阻抗匹配的第三装置3。
第三装置3位于第二基板20中，并用于fem装置(例如，第一装置1)和信号处理装置2a(例如，第二装置2)之间的阻抗匹配。
第三装置3还可在制造第二基板20的工艺过程中通过形成在第二基板20中的布线层43而制造。
参照图10，在本实施例中，第三装置3包括电感器。然而，第三装置3不限于此，并且可实现为诸如电容器或电阻器的各种形式，只要第三装置3可通过布线层43实现并且可用于阻抗匹配即可。
当在第一装置1(例如，fem装置)和第二装置2(例如，信号处理装置)之间执行阻抗匹配时，需要在连接第一装置1和第二装置2的电路径上设置至少一个无源装置。
因此，当第一装置1和第二装置2水平地安装在一个基板上时，由于无源装置设置在第一装置1和第二装置2之间，因此连接第一装置1和第二装置2的电路径可被延长，导致在使用毫米频带时产生信号损失。此外，当无源装置通过表面安装方法安装在基板上时，由于用于安装无源装置的连接垫导致可能会引起寄生成分，这可能会导致半导体封装件的性能的劣化。
然而，根据本公开，由于第一装置1和第二装置2竖直地布置，因此以上描述的半导体封装件可使第一装置1和第二装置2之间的电路径最小化。由于第三装置3形成在设置于第一装置1和第二装置2之间的第二基板20中，因此，即使添加第三装置3也不增加电路径。因此，可使信号的损失最小化，并且可防止引起上述的寄生成分。
如上阐述，在半导体封装件中，fem(第一装置)和信号处理装置(第二装置)竖直地布置，同时，第一装置和第二装置的有效表面被布置为彼此面对。因此，第一装置和第二装置之间的电路径可被最小化，因此可使信号损失最小化。
此外，即使在第一装置和第二装置之间设置第三装置，第一装置和第二装置之间的电路径也不增加。因此，可使信号的损失最小化，并且可防止引起不必要的寄生成分。
虽然本公开包括特定的实施例，但是在理解了本申请的公开内容后将显而易见的是，在不脱离权利要求及它们的等同物的精神和范围的情况下，可对这些示例做出形式和细节上的各种变化。在此描述的示例将仅被理解为描述性含义，而非出于限制的目的。在每个示例中的特征或方面的描述将被认为是可适用于其它示例中的类似特征或方面。如果以不同的顺序执行描述的技术，和/或如果以不同的方式组合描述的系统、架构、装置或者电路中的组件和/或用其它组件或者它们的等同物替换或者补充描述的系统、架构、装置或者电路中的组件，则可获得适当的结果。因此，本公开的范围不由具体实施方式限定，而是由权利要求及它们的等同物限定，并且在权利要求及它们的等同物的范围内的所有变化将被解释为包含于本公开中。