1.一种镶嵌式TiO2纳米棒簇周期阵列提高LED发光效率的方法，其特征是，将TiO2纳米棒簇周期性镶嵌入p型GaN，TiO2纳米棒簇和GaN结合力大幅提升，将TiO2纳米棒簇周期性地镶嵌在ITO电流扩展层和p型GaN层之间来提高LED发光效率，通过TiO2纳米棒图形阵列的光散射作用增加光的提取，同时利用TiO2纳米棒阵列图形之间且生长在p型GaN层上的ITO网络结构来兼顾高的扩展电流，在显著提高LED的发光效率同时也保持良好的电学性能，具体包括以下步骤：
(1)采用金属有机化学气相沉积法(MOCVD)在衬底(平面蓝宝石衬底、图形蓝宝石衬底、硅衬底或碳化硅衬底)上依次外延生长u型GaN缓冲层、n型GaN层、多量子阱有源区和p型GaN层，形成完整的LED外延结构，得到外延片；
(2)制备光刻胶和SiO2双层周期孔图形模板：在外延片的p型GaN上利用等离子体气相沉积法蒸镀一层SiO2，通过光刻工艺在SiO2层上制作光刻胶周期孔图形模板，以光刻胶为模板用HF溶液腐蚀SiO2层，制备SiO2周期孔图形，得到光刻胶和SiO2双层周期孔图形模板；
(3)刻蚀p型GaN周期孔：以光刻胶和SiO2双层周期孔图形为模板通过等离子体刻蚀(ICP)设备干法刻蚀p型GaN，得到20-200nm深的p型GaN周期孔。
(4)制作周期排布的镶嵌式TiO2种子层：光刻胶和SiO2为模板和保护层，在外延片表面蒸镀一层5nm-250nm厚的钛，钛附着在光刻胶表面和p型GaN周期孔中，再通过剥离光刻胶，整个外延片仅p型GaN周期孔中附着钛，然后在400℃-600℃下煅烧1小时-5小时，使钛转变成为TiO2，得到周期排布p型GaN孔中的TiO2种子层，由于TiO2种子层在p型GaN孔中是镶嵌式分布，TiO2在p型GaN上粘附性得到很大提高，TiO2不易剥落；或者在在外延片表面直接磁控溅射一层10nm-200nm厚的TiO2，再通过剥离光刻胶，得到周期排布p型GaN孔中的TiO2种子层；
(5)用酸热法生长TiO2纳米棒簇图形阵列，将40mL浓度3M-8M的HCl溶液倒入高压釜中，加入0.15mL-8mL钛源(钛酸四丁酯、三氯化钛或四氯化钛等)，搅拌2分钟-10分钟，制成混合溶液；将带有周期排布的镶嵌式TiO2种子层的外延片放入混合溶液中，以与水平面呈40-90度的倾斜状态斜靠在高压釜的内衬壁上，在120℃-220℃下反应1小时-16小时(周期排布镶嵌式TiO2种子层上会生长出TiO2纳米棒簇阵列，没有TiO2种子层的p-GaN上由于晶格失配大不会生长TiO2纳米棒)，然后冷却到室温，用去离子水多次清洗外延片，用HF酸腐蚀去除SiO2为模板，得到长有镶嵌入p型GaN的TiO2纳米棒簇图形阵列的LED外延片；
(6)在生长有镶嵌式TiO2纳米棒簇图形阵列的LED外延片表面溅射或蒸镀一层100-400nm的ITO电流扩展层(溅射在没有生长TiO2纳米棒簇的p-GaN表面区域的ITO会形成电流扩展网络)。
(7)制作成具有p电极和n电极完整结构的同面电极LED管芯。
2.根据权利要求1所述的镶嵌式TiO2纳米棒簇周期阵列提高LED发光效率的方法，其特征是，所述步骤(4)中，TiO2种子层是周期性排镶嵌在p型GaN周期孔中，TiO2种子层厚度是5nm-250nm，p型GaN周期孔深度是20-200nm，直径是100nm-100μm，周期间隔为0.1μm-100μm；所述步骤(5)中的TiO2纳米棒簇图形阵列的排列方式是六方周期排列、四方周期排列或其它周期排列，一簇TiO2纳米棒阵列的直径为100nm-100μm；图形形状为圆形、正方形、六角形或三角形，周期间隔为0.1μm-100μm；TiO2纳米棒的直径为10nm-500nm，TiO2纳米棒的高度为0.2μm-10μm。