技术总结
本发明公开了一种镶嵌式TiO2纳米棒簇图形阵列提高LED发光效率的方法，包括以下步骤：(1)制备LED外延片；(2)在外延片的p型GaN层上制作光刻胶和SiO2双层周期孔图形模板；(3)刻蚀p型GaN周期孔；(4)制作周期排布的镶嵌式TiO2种子层；(5)用酸热法在p型GaN上生长镶嵌式TiO2纳米棒簇图形阵列；(6)蒸镀ITO；(7)制作具有p电极和n电极完整结构的同面电极LED管芯。本发明将TiO2纳米棒簇镶嵌入p型GaN层来提高TiO2纳米棒簇在LED上的牢固性，通过TiO2纳米棒簇图形阵列的光散射作用增加光的提取，利用TiO2纳米棒簇之间的ITO网络结构来保持高的扩展电流，显著提高LED的发光效率，同时也保持良好的电学性能。
技术研发人员：尹正茂;代新博;杜芳林;王凯;李桂村;于立岩;王莉;石良;
受保护的技术使用者：青岛科技大学;
技术研发日：2017.12.29
技术公布日：2018.06.22