1.一种PNP型双极晶体管，其特征在于，包括发射极(69)，所述发射极具有矩形横截面，相对于所述晶体管的基极(15)被抬起，并且具有受间隔物(73)保护的横向表面，所述晶体管进一步包括在所述基极(15)的由所述间隔物(73)界定的重掺杂N型部分(77)上形成的基极触头。
2.如权利要求1所述的PNP型双极晶体管，其特征在于，所述发射极(69)进一步掺杂有碳原子。
3.如权利要求1所述的PNP型双极晶体管，其特征在于，在所述发射极(69)的上表面和所述基极(15)的上表面上具有硅化区域。
4.如权利要求1所述的PNP型双极晶体管，其特征在于，所述间隔物(73)是由氮化物层和氧化硅层形成的。