PNP型双极晶体管的制作方法

技术总结
本实用新型涉及一种PNP型双极晶体管，包括发射极(69)，所述发射极具有矩形横截面，相对于所述晶体管的基极(15)被抬起，并且具有受间隔物(73)保护的横向表面，所述晶体管进一步包括在所述基极(15)的由所述间隔物(73)界定的重掺杂N型部分(77)上形成的基极触头。

技术研发人员：P·舍瓦利耶;G·阿弗尼耶
受保护的技术使用者：意法半导体（克洛尔2）公司
文档号码：201720175742
技术研发日：2017.02.24
技术公布日：2017.12.15