技术特征：
技术总结
本发明公开了一种超结构LED芯片，包括键合衬底和发光层级结构，所述键合衬底与发光层级结构之间还依次设有第一粘附层、阻挡层、键合层和第二粘附层，所述第一粘附层粘附于键合衬底，所述第二粘附层粘附于发光层级结构；其中，所述第一粘附层为Cr粘附层、Pt粘附层或者Cr/Pt粘附层，所述阻挡层为Ti阻挡层，所述键合层由若干Ni/Sn键合层叠加而成，所述Ni/Sn键合层中，Sn层的厚度为Ni层的厚度的1～8倍，所述第二粘附层为Ti粘附层。本发明还公开了一种超结构LED芯片的制备方法。本发明超结构LED芯片中键合衬底与发光层级结构之间键合良好，电极与基板之间接触良好，使用寿命长。
技术研发人员：李国强
受保护的技术使用者：河源市众拓光电科技有限公司
技术研发日：2018.01.11
技术公布日：2018.08.10