具有倾斜源极/漏极的半导体器件和关联方法与流程

技术特征：

技术总结
一种半导体器件包括其中具有沟道区域的半导体衬底、在沟道区域以上的栅极结构以及在栅极结构的相对侧上的源极和漏极区域。相应接触在源极和漏极区域中的每个区域上。源极和漏极区域中的至少一个区域具有相对于相应接触的倾斜的上接触表面。倾斜的上接触表面具有比对应平坦接触表面将有的面积大至少50％的面积。

技术研发人员：柳青;P·卡雷;N·劳贝特
受保护的技术使用者：意法半导体公司
技术研发日：2013.08.21
技术公布日：2018.09.14