技术特征：
技术总结
一种集成电路器件包括：器件层，具有根据预定的器件节距间隔开的器件；第一金属互连层，设置在器件层之上并且耦合到器件层；以及第二金属互连层，设置在第一金属互连层之上并且通过第一通孔层耦合到第一金属互连层。第二金属互连层具有根据预定的金属线节距间隔开的金属线，并且预定的金属线节距与预定的器件节距的比率小于1。本发明的实施例还涉及具有改进的布局的集成电路器件。
技术研发人员：张丰愿;陈俊臣;黄博祥;鲁立忠;林仲德;高章瑞;陈胜雄;刘钦洲
受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司
技术研发日：2018.07.27
技术公布日：2019.02.05