线圈部件的制作方法

文档序号:16842465发布日期:2019-02-12 21:39阅读:148来源:国知局
线圈部件的制作方法

本实用新型涉及线圈部件。



背景技术:

以往,作为线圈部件,有日本特开2013-62459号公报(专利文献1)中记载的线圈部件。在专利文献1中记载有共模噪声滤波器,该共模噪声滤波器至少具有:第一绝缘层,其包含玻璃和无机填料,在内部具有多个气孔;一对线圈导体,它们在该第一绝缘层的正面和背面对置配置;和氧化物磁性体层,其配置于配置有该一对线圈导体的第一绝缘层的上方和下方。在专利文献1中记载的共模噪声滤波器中,在配置有一对线圈导体的第一绝缘层与氧化物磁性体层之间配置有第二绝缘层,该第二绝缘层包含玻璃和无机填料,在内部具有多个气孔。

专利文献1:日本特开2013-62459号公报。

专利文献1中记载的共模噪声滤波器构成为,在配置有一对线圈导体的第一绝缘层的上方和下方配置的氧化物磁性体层分别在其间各隔着两层含有玻璃成分的绝缘层。通过采用这样的结构,使由与第一绝缘层不同的材料构成的氧化物磁性体层的烧制收缩动作更接近第一绝缘层,设定为更加有利于一体同时烧制的结构。

然而,在氧化物磁性体层之间各设置两层含有玻璃成分的绝缘层的情况下,共模噪声滤波器的芯片高度增高,存在芯片的低矮化困难的问题。另外,通过各设置两层含有玻璃成分的绝缘层,存在无法使磁性体层的厚度变小和增大共模成分的阻抗的问题。



技术实现要素:

因此,本实用新型的课题在于提供能够均衡实现同时烧制时的应力的缓和、电气特性的提高以及芯片的低矮化的线圈部件。

为了解决上述课题,本实用新型的一个实施方式的线圈部件具备:

层叠体,其包括沿层叠方向依次层叠的第一外侧磁性体、第一外侧绝缘体、第一内侧磁性体、内侧绝缘体、第二内侧磁性体、第二外侧绝缘体以及第二外侧磁性体;和

线圈,其设置于所述内侧绝缘体的内部,

所述第一外侧绝缘体的厚度为所述第一外侧磁性体、所述第一外侧绝缘体以及所述第一内侧磁性体的合计厚度的1/15以上且1/7以下,

所述第二外侧绝缘体的厚度为所述第二外侧磁性体、所述第二外侧绝缘体以及所述第二内侧磁性体的合计厚度的1/15以上且1/7以下。

根据上述实施方式的线圈部件,将在内侧绝缘体的上下各设置一层的第一外侧绝缘体的厚度和第二外侧绝缘体的厚度分别设定为规定范围,由此能够减小内侧绝缘体受到的应力,且能够提高线圈部件的电气特性,并且能够实现线圈部件的低矮化。

另外,在线圈部件的一个实施方式中,优选为,第一外侧绝缘体与内侧绝缘体之间的距离为第一外侧磁性体、第一外侧绝缘体以及第一内侧磁性体的合计厚度的1/3以上且1/2以下,第二外侧绝缘体与内侧绝缘体之间的距离为第二外侧磁性体、第二外侧绝缘体以及第二内侧磁性体的合计厚度的1/3以上且1/2以下。

根据上述实施方式,通过将第一外侧绝缘体与内侧绝缘体之间的距离以及第二外侧绝缘体与内侧绝缘体之间的距离分别设定为规定范围,能够均衡地实现内侧绝缘体受到的应力的减小和线圈部件的电气特性的提高。

另外,本实用新型的一个实施方式的线圈部件具备:层叠体,其包括沿层叠方向依次层叠的第一外侧磁性体、第一外侧绝缘体、第一内侧磁性体、内侧绝缘体、第二内侧磁性体、第二外侧绝缘体以及第二外侧磁性体;和

线圈,其设置于内侧绝缘体的内部,第一外侧绝缘体的厚度和第二外侧绝缘体的厚度为10μm以上20μm以下。

根据上述实施方式的线圈部件,通过将在内侧绝缘体的上下各设置一层的第一外侧绝缘体的厚度和第二外侧绝缘体的厚度分别设定为规定范围,由此能够减小内侧绝缘体受到的应力,且能够提高线圈部件的电气特性,并且能够实现线圈部件的低矮化。

另外,在线圈部件的一个实施方式中,优选为,第一外侧绝缘体与内侧绝缘体之间的距离为55μm以上75μm以下,第二外侧绝缘体与内侧绝缘体之间的距离为55μm以上75μm以下。

根据上述实施方式,通过将第一外侧绝缘体与内侧绝缘体之间的距离和第二外侧绝缘体与内侧绝缘体之间的距离分别设定为规定范围,能够均衡地实现内侧绝缘体受到的应力的减少和线圈部件的电气特性的提高。

另外,本实用新型的一个实施方式的线圈部件具备:

层叠体,其包括沿层叠方向依次层叠的第一外侧绝缘体、第一内侧磁性体、内侧绝缘体、第二内侧磁性体以及第二外侧绝缘体;和

线圈,其设置于内侧绝缘体的内部,

第一外侧绝缘体的厚度和第二外侧绝缘体的厚度为1μm以上20μm以下。层叠体还包括:第一外侧磁性体,其配置于第一外侧绝缘体之下;和第二外侧磁性体,其配置于第二外侧绝缘体之上。

根据上述实施方式的线圈部件,通过将在内侧绝缘体的上下各设置一层的第一外侧绝缘体的厚度和第二外侧绝缘体的厚度分别设定于规定范围,能够减小内侧绝缘体受到的应力,且能够提高线圈部件的电气特性,并且能够实现线圈部件的低矮化。

另外,在线圈部件的一个实施方式中,优选为,在不存在第一外侧磁性体的情况下,第一外侧绝缘体与内侧绝缘体之间的距离为第一外侧绝缘体和第一内侧磁性体的合计厚度的1/2以上,在存在第一外侧磁性体的情况下,第一外侧绝缘体与内侧绝缘体之间的距离为第一外侧绝缘体、第一内侧磁性体以及第一外侧磁性体的合计厚度的1/2以上,在不存在第二外侧磁性体的情况下,第二外侧绝缘体与内侧绝缘体之间的距离为第二外侧绝缘体和第二内侧磁性体的合计厚度的1/2以上,在存在第二外侧磁性体的情况下,第二外侧绝缘体与内侧绝缘体之间的距离为第二外侧绝缘体、第二内侧磁性体以及第二外侧磁性体的合计厚度的1/2以上。

根据上述实施方式,通过将第一外侧绝缘体与内侧绝缘体之间的距离以及第二外侧绝缘体与内侧绝缘体之间的距离分别设定为规定范围,能够均衡地实现内侧绝缘体受到的应力的减少和线圈部件的电气特性的提高。

另外,在线圈部件的一个实施方式中,优选为,第一外侧绝缘体与内侧绝缘体之间的距离为37.5μm以上,第二外侧绝缘体与内侧绝缘体之间的距离为37.5μm以上。

根据上述实施方式,通过将第一外侧绝缘体与内侧绝缘体之间的距离以及第二外侧绝缘体与内侧绝缘体之间的距离分别设定为规定范围,能够均衡地实现内侧绝缘体受到的应力的减少和线圈部件的电气特性的提高。

另外,在一个实施方式中,优选为,线圈部件还具备内部磁性体,所述内部磁性体在内侧绝缘体内设置于靠线圈的内周侧,与第一内侧磁性体和第二内侧磁性体连接。

根据上述实施方式,线圈部件具备内部磁性体,由此能够进一步提高线圈部件的电气特性。

另外,在线圈部件的一个实施方式中,优选为,第一外侧绝缘体与内侧绝缘体之间的距离和第二外侧绝缘体与内侧绝缘体之间的距离分别为在线圈的内周侧的区域大于俯视观察下与内侧绝缘体重叠的区域。

根据上述实施方式,通过使第一外侧绝缘体与内侧绝缘体之间的距离以及第二外侧绝缘体与内侧绝缘体之间的距离分别在线圈的内周侧的区域较大,能够减小内侧绝缘体受到的应力,且进一步提高线圈部件的电气特性,并且,能够实现线圈部件的低矮化。

另外,在一个实施方式中,优选为,线圈部件还具备内部磁性体,所述内部磁性体在内侧绝缘体内设置于靠线圈的内周侧,与第一内侧磁性体和第二内侧磁性体连接,第一外侧绝缘体与内侧绝缘体之间的距离和第二外侧绝缘体与内侧绝缘体之间的距离在内部磁性体的中央分别大于俯视观察下与内侧绝缘体重叠的区域。

根据上述实施方式,通过使第一外侧绝缘体与内侧绝缘体之间的距离和第二外侧绝缘体与内侧绝缘体之间的距离分别在内部磁性体的中央较大,能够减小内侧绝缘体受到的应力,且能够进一步提高线圈部件的电气特性,并且能够实现线圈部件的低矮化。

另外,在线圈部件的一个实施方式中,优选为,第一内侧磁性体和第二内侧磁性体含有Ni-Cu-Zn系铁氧体,或者是在存在第一外侧磁性体、第二外侧磁性体以及内部磁性体的情况下,第一内侧磁性体和第二内侧磁性体、第一外侧磁性体、第二外侧磁性体以及内部磁性体含有Ni-Cu-Zn系铁氧体,第一外侧绝缘体和第二外侧绝缘体含有碱性硼硅酸玻璃。

根据上述实施方式,能够提高线圈部件的高频特性。

采用本实用新型的线圈部件,能够均衡地实现同时烧制时的应力的缓和、电气特性的提高以及芯片的低矮化。

附图说明

图1是示出本实用新型的第一个实施方式的线圈部件的立体图。

图2是线圈部件的剖视图。

图3是线圈部件的分解立体图。

图4是示出本实用新型的第二实施方式的线圈部件的剖视图。

图5是示出本实用新型的第三实施方式的线圈部件的剖视图。

图6是示出本实用新型的第四实施方式的线圈部件的剖视图。

图7是示出本实用新型的第五实施方式的线圈部件的剖视图。

图8是示出本实用新型的第六实施方式的线圈部件的剖视图。

附图标记说明

1…层叠体;2…线圈;2a…初级线圈;2b…次级线圈;10、10A~10E…线圈部件;11…第一内侧磁性体;12…第二内侧磁性体;13…内侧绝缘体;13a…绝缘层;13b…孔;14…内部磁性体;21~24…第一线圈导体层~第四线圈导体层;25…连接导体;41~44…第一外部电极~第四外部电极;51…第一外侧磁性体;52…第二外侧磁性体;61…第一外侧绝缘体;62…第二外侧绝缘体

具体实施方式

下面,根据图示的实施方式详细说明本实用新型。但是,本实用新型的线圈部件和各构成要素的形状及配置等并不局限于以下说明的实施方式和图示的结构,在不脱离本实用新型的要旨的范围内,能够变更设计。

(第一个实施方式)

图1是示出本实用新型的第一个实施方式的线圈部件的立体图。图2是线圈部件的剖视图。图3是线圈部件的分解立体图。如图1~3所示,线圈部件10具备:层叠体1;线圈2,其设置于层叠体1的内部;以及第一外部电极41~第四外部电极44,它们设置于层叠体1的表面。

线圈部件10是共模扼流线圈。当然,本实施方式的线圈部件并不局限于共模扼流线圈,也可以是具备单一线圈的共模扼流线圈。线圈部件10例如,搭载于个人计算机、DVD播放机、数码相机、电视机、移动电话、汽车电子产品等电子设备。

层叠体1包括沿层叠方向(图中以箭头Z表示)依次层叠的第一外侧磁性体51、第一外侧绝缘体61、第一内侧磁性体11、内侧绝缘体13、第二内侧磁性体12、第二外侧绝缘体62以及第二外侧磁性体52。在内侧绝缘体13内设置有内部磁性体14。第一外侧磁性体51位于下侧,第二外侧磁性体52位于上侧。下侧例如是安装于安装基板这一侧。

第一内侧磁性体11、第二内侧磁性体12、第一外侧磁性体51、第二外侧磁性体52以及内部磁性体14例如可以含有Ni-Cu-Zn系铁氧体。由此,能够提高线圈部件10的高频的阻抗特性。第一内侧磁性体11、第二内侧磁性体12、第一外侧磁性体51、第二外侧磁性体52以及内部磁性体14优选由Ni-Cu-Zn系铁氧体构成。第一内侧磁性体11、第二内侧磁性体12、第一外侧磁性体51、第二外侧磁性体52以及内部磁性体14可以是相同的组成,也可以是互不相同的组成。

Ni-Zn-Cu系铁氧体含有Fe、Ni、Zn、Cu,作为主要成分,优选将Fe换算为Fe2O3,则含有40~49.5摩尔%,将Zn换算为ZnO,则含有5~35摩尔%,将Cu换算为CuO,则含有6~13摩尔%,剩余部分为Ni(换算为NiO)。还可以含有添加物,优选相对于Fe2O3、ZnO、CuO以及NiO的合计100摩尔份,将Si换算为SiO2则含有1.0~3.0摩尔份,将Mn换算为Mn3O4,则含有0.05~1.0摩尔份。

第一外侧绝缘体61、第二外侧绝缘体62以及内侧绝缘体13例如由包括碱性硼硅酸玻璃(日文:アルカリホウケイ酸ガラス)在内的玻璃构成,能够减小介电常数,减小线圈的寄生电容,提高高频特性。内侧绝缘体13是层叠多个绝缘层13a而构成的。

碱性硼硅酸玻璃至少含有Si、B、K,将Si换算为SiO2则含有65~85摩尔%,将B换算为B2O3,则含有20~30摩尔%,将K换算为K2O则含有0.5~2.0摩尔%。并且,优选相对于SiO2、B2O3以及K2O的合计100摩尔份,将Al换算为Al2O3,则含有0.5~1.5摩尔份,将Mg换算为MgO,则含有1.0~3.0摩尔份。碱性硼硅酸玻璃还可以是制作规定比率的SiO2-B2O3-K2O玻璃,并在其中含有SiO2作为填料。即,最终的Si、B、K的比率只要为上述范围即可。

在内侧绝缘体13内,内部磁性体14设置于靠线圈2的内周侧,与第一内侧磁性体11和第二内侧磁性体12连接。更加具体而言,在内侧绝缘体13的靠线圈2的内周侧的部分设置有沿层叠方向贯通的孔13b,内部磁性体14设置于该孔13b的内部。在与层叠方向平行的截面中,从第一内侧磁性体11朝向第二内侧磁性体12,内部磁性体14的宽度连续地增大。即,在与层叠方向平行的方向上,从第一内侧磁性体11朝向第二内侧磁性体12,设置于内侧绝缘体13的内部的孔13b的内径连续地增大,依照该孔13b的内径设置有内部磁性体14。

层叠体1具有大致长方体的形状。层叠体1的表面由第一端面111、第二端面112、第一侧表面115、第二侧表面116、第三侧表面117以及第四侧表面118构成。第一端面111和第二端面112位于在层叠方向上相互对置的位置。第一侧表面115~第四侧表面118位于相对于第一端面111和第二端面112大致垂直的位置。在层叠方向上,第一端面111位于下侧,第二端面112位于上侧。

层叠体1是长度L为0.80±0.10mm、宽度W为0.60±0.10mm、高度T为0.45±0.05mm的近似长方体或者是长度L为0.60±0.10mm、宽度W为0.50±0.10mm、高度T为0.35±0.05mm的近似长方体。

线圈2设置于内侧绝缘体13的内部。线圈2包含相互磁耦合的初级线圈2a和次级线圈2b。初级线圈2a和次级线圈2b沿层叠体1的层叠方向相互重合地配置。

初级线圈2a包括相互电连接的第一线圈导体层21和第三线圈导体层23。次级线圈2b包括相互电连接的第二线圈导体层22和第四线圈导体层24。

第一线圈导体层21~第四线圈导体层24沿层叠方向依次排列。即,构成初级线圈2a的两个线圈导体层(第一线圈导体层21和第三线圈导体层23)与构成次级线圈2b的两个线圈导体层(第二线圈导体层22以及第四线圈导体层24)沿层叠方向交替排列。第一线圈导体层21~第四线圈导体层24分别设置于不同的绝缘层13a之上。第一线圈导体层21~第四线圈导体层24例如可以由Ag、Ag-Pd、Cu、Ni等导电性材料构成。第一线圈导体层21~第四线圈导体层24可以具有相同的组成,或者可以具有互不相同的组成。

从上方观察,第一线圈导体层21~第四线圈导体层24具有在平面上呈螺旋状卷绕的螺旋图案。从上方观察,第一线圈导体层21~第四线圈导体层24的中心轴线对齐。即,第一线圈导体层21~第四线圈导体层24沿层叠方向重叠。通过具有这样的结构,能够任意变更线圈部件10的特性。

第一线圈导体层21的第一端21a向螺旋图案的外周侧引出,第一线圈导体层21的第二端21b位于螺旋图案的内周侧。同样地,第二线圈导体层22具有第一端22a和第二端22b,第三线圈导体层23具有第一端23a和第二端23b,第四线圈导体层24具有第一端24a和第二端24b。第一线圈导体层21的第一端21a从第二侧表面116的靠第一侧表面115侧暴露。第二线圈导体层22的第一端22a从第二侧表面116的靠第三侧表面117侧暴露。第三线圈导体层23的第一端23a从第四侧表面118的靠第一侧表面115侧暴露。第四线圈导体层24的第一端24a从第四侧表面118的靠第三侧表面117侧暴露。

第一线圈导体层21的第二端21b与第三线圈导体层23的第二端23b经由贯通绝缘层13a的连接导体25电连接。同样地,第二线圈导体层22的第二端22b与第四线圈导体层24的第二端24b经由贯通绝缘层13a的连接导体25电连接。这样,线圈2由第一线圈导体层21~第四线圈导体层24以及连接导体25构成。

此外,在图1~3所示的线圈部件10中,初级线圈2a和次级线圈2b分别由两个平面线圈构成,但也可以是,初级线圈2a和次级线圈2b中至少一者由一个或者三个以上平面线圈构成。另外,在图1~3所示的线圈部件10中,线圈2包括4层线圈导体层,但线圈2只要至少包括一层线圈导体层即可。另外,在图1~3所示的线圈部件10中,全部线圈导体层的形状都相同,但至少一个线圈导体层的形状可以不同于其它线圈导体层的形状。

第一外部电极41~第四外部电极44例如可以由Ag、Ag-Pd、Cu、Ni等导电性材料构成。第一外部电极41~第四外部电极44可以具有相同的组成,或者可以具有互不相同的组成。例如能够将导电性材料涂敷于层叠体1的表面并进行烧结而形成第一外部电极41~第四外部电极44。

第一外部电极41设置于第二侧表面116的靠第一侧表面115侧。第一外部电极41的一端延伸至第一端面111,第一外部电极41的另一端延伸至第二端面112。换言之,第一外部电极41在层叠体1的表面形成为コ形。第一外部电极41与第一线圈导体层21的第一端21a电连接。

同样地,第二外部电极42设置于第二侧表面116的靠第三侧表面117,与第二线圈导体层22的第一端22a电连接。第三外部电极43设置于第四侧面118的靠第一侧表面115侧,与第三线圈导体层23的第一端23a电连接。第四外部电极44设置于第四侧表面118的靠第三侧表面117侧,与第四线圈导体层24的第一端24a电连接。

第一外侧绝缘体61配置于第一外侧磁性体51与第一内侧磁性体11之间。同样地,第二外侧绝缘体62配置于第二外侧磁性体52与第二内侧磁性体12之间。通过这样配置第一外侧绝缘体61和第二外侧绝缘体62,由此能够缓和内侧绝缘体13的收缩率与磁性体(第一内侧磁性体11、第二内侧磁性体12、第一外侧磁性体51以及第二外侧磁性体52)的收缩率之差,减小在烧制层叠体时能够产生的应力,其结果是,能够抑制在层叠体产生破裂、缺口。

一方面,呈现第一外侧绝缘体61的厚度和第二外侧绝缘体62的厚度越大则应力减小效果越好的趋势。另一方面,若第一外侧绝缘体61的厚度和第二外侧绝缘体62的厚度增大,则线圈部件整体尺寸增大,难以实现芯片的低矮化。另外,若增大第一外侧绝缘体61的厚度和第二外侧绝缘体62的厚度,则磁性体的厚度相对减小,其结果是,有降低线圈部件的电气特性之虞。本实施方式的线圈部件通过优化第一外侧绝缘体61的厚度和第二外侧绝缘体62的厚度,能够减小内侧绝缘体13受到的应力,且能够提高线圈部件的电气特性,并且,能够实现线圈部件的低矮化。在线圈部件为共模扼流线圈的情况下,能够利用上述结构,提高共模成分的阻抗。

具体而言,第一外侧绝缘体61的厚度优选为第一外侧磁性体51、第一外侧绝缘体61以及第一内侧磁性体11的合计厚度的1/15且以上1/7以下。同样地,第二外侧绝缘体62的厚度优选为第二外侧磁性体52、第二外侧绝缘体62以及第二内侧磁性体12的合计厚度的1/15以上且1/7以下。通过将外侧绝缘体的厚度设定为上述范围,由此能够减小内侧绝缘体13受到的应力,且能够提高线圈部件的电气特性,并且,能够实现线圈部件的低矮化。

作为其它方法,第一外侧绝缘体61的厚度和上述第二外侧绝缘体62的厚度优选为10μm以上20μm以下。通过将外侧绝缘体的厚度设定为上述范围,能够减小内侧绝缘体13受到的应力,且能够提高线圈部件的电气特性,并且,能够实现线圈部件的低矮化。

一方面,呈现第一外侧绝缘体61与内侧绝缘体13之间的距离以及第二外侧绝缘体62与内侧绝缘体13之间的距离(以下,亦统称为“外侧绝缘体与内侧绝缘体之间的距离”)越小则应力减小效果越好但线圈部件的电气特性越差的趋势。另一方面,若增大外侧绝缘体与内侧绝缘体之间的距离,则线圈部件整体尺寸增大,难以实现芯片的低矮化。通过优化外侧绝缘体与内侧绝缘体之间的距离,能够减小内侧绝缘体13受到的应力,且能够提高线圈部件的电气特性,并且能够实现线圈部件的低矮化。在线圈部件为共模扼流线圈的情况下,能够利用上述结构,提高共模成分的阻抗。

具体而言,第一外侧绝缘体61与内侧绝缘体13之间的距离优选为第一外侧磁性体51、第一外侧绝缘体61以及第一内侧磁性体11的合计厚度的1/3以上且1/2以下。同样地,第二外侧绝缘体62与内侧绝缘体13之间的距离优选为第二外侧磁性体52、第二外侧绝缘体62以及第二内侧磁性体12的合计厚度的1/3以上且1/2以下。通过将外侧绝缘体与内侧绝缘体之间的距离设定为上述范围,能够减小内侧绝缘体13受到的应力,且能够提高线圈部件的电气特性,并且,能够实现线圈部件的低矮化。

作为其它方法,第一外侧绝缘体61与内侧绝缘体13之间的距离优选为55μm以上且75μm以下。同样地,第二外侧绝缘体62与内侧绝缘体13之间的距离优选为55μm以上且75μm以下。通过将外侧绝缘体与内侧绝缘体之间的距离设定为上述范围,能够减小内侧绝缘体13受到的应力,且能够提高线圈部件的电气特性,并且,能够实现线圈部件的低矮化。

优选为,线圈部件10还具备内部磁性体14,该内部磁性体14在内侧绝缘体13内设置得靠线圈2的内周侧,与第一内侧磁性体11和第二内侧磁性体12连接。通过具备内部磁性体14,能够进一步提高线圈部件10的电气特性。

本实施方式的线圈部件的层叠体1的高度优选为0.30mm以上且0.50mm以下。另外,第一外侧绝缘体61与层叠体1的第一端面111之间的距离优选为第一外侧磁性体51、第一外侧绝缘体61以及第一内侧磁性体11的合计厚度的1/3以上且1/2以下。同样地,第二外侧绝缘体62与层叠体1的第二端面112之间的距离优选为第二外侧磁性体52、第二外侧绝缘体62以及第二内侧磁性体12的合计厚度的1/3以上且1/2以下。作为其它方法,第一外侧绝缘体61与层叠体1的第一端面111之间的距离优选为55μm以上且75μm以下。同样地,第二外侧绝缘体62与层叠体1的第二端面112之间的距离优选为55μm以上且75μm以下。

在本说明书中,第一外侧绝缘体61的厚度和第二外侧绝缘体62的厚度的含义是在与层叠体1的层叠方向平行的截面中的平均厚度。第一外侧绝缘体61的厚度和第二外侧绝缘体62的厚度可以以如下方式求出,例如在层叠体1的与第二侧表面116平行且位于第二侧表面116与第四侧表面118之间的中央的截面中,在与层叠方向垂直的方向上等间隔地在5处位置测定厚度,并根据该测定值计算出平均值。第一外侧磁性体51的厚度、第二外侧磁性体52的厚度、第一内侧磁性体11的厚度以及第二内侧磁性体12的厚度也能够以同样的方式求取。另外,第一外侧绝缘体61与内侧绝缘体13之间的距离以及第二外侧绝缘体62与内侧绝缘体13之间的距离的含义是在与层叠体1的层叠方向平行的截面中的最短距离。外侧绝缘体与内侧绝缘体之间的距离,例如能够在层叠体1的与第二侧表面116平行且位于第二侧表面116与第四侧表面118之间的中央的截面中测定。另外,第一外侧绝缘体61与层叠体1的第一端面111之间的距离以及第二外侧绝缘体62与层叠体1的第二端面112之间的距离的含义是在与层叠体1的层叠方向平行的截面中的最短距离。外侧绝缘体与层叠体1的端面之间的距离,例如能够在层叠体1的与第二侧表面116平行且位于第二侧表面116与第四侧表面118之间的中央的截面测定。

接下来,对线圈部件10的制造方法进行说明。

如图2和图3所示,在第一外侧磁性体51上依次层叠第一外侧绝缘体61和第一内侧磁性体11。接下来,将通过镀敷设置有各线圈导体层21~24的多个绝缘层13a依次层叠于第一内侧磁性体11上。由此,内部设置有线圈2的内侧绝缘体13形成于第一内侧磁性体11上。

接下来,从内侧绝缘体13的上方朝向下方照射激光,设置上下贯通内侧绝缘体13的孔13b。孔13b也可以通过机械加工形成。在向该孔13b填充了内部磁性体14之后,在内侧绝缘体13之上依次层叠第二内侧磁性体12、第二外侧绝缘体62以及第二外侧磁性体52,形成层叠体1。在烧制层叠体1之后,在层叠体1的表面形成外部电极41~44。这样,能够制造线圈部件10。

(第二实施方式)

图4是示出本实用新型的第二实施方式的线圈部件的剖视图。第二实施方式与第一个实施方式的不同点在于线圈部件不具有内部磁性体。下面仅说明该不同的结构。此外,在第二实施方式中,与第一个实施方式相同的附图标记指示与第一个实施方式相同的结构,因此省略其说明。

如图4所示,第二实施方式的线圈部件10A不具有内部磁性体14。在本实施方式的线圈部件10A中,层叠体1也具备第一外侧绝缘体61和第二外侧绝缘体62,由此能够减小内侧绝缘体13受到的应力,且能够提高线圈部件的电气特性,并且能够实现线圈部件的低矮化。在线圈部件为共模扼流线圈的情况下,能够利用上述结构,提高共模成分的阻抗。

(第三实施方式)

图5是示出本实用新型的第三实施方式的线圈部件的剖视图。第三实施方式与第一个实施方式的不同点在于,第一外侧绝缘体与内侧绝缘体之间的距离以及第二外侧绝缘体与内侧绝缘体之间的距离在线圈的内周侧的区域分别大于俯视观察下与内侧绝缘体重叠的区域。下面仅说明该不同的结构。在第三实施方式中,与第一个实施方式相同的附图标记指示与第一个实施方式相同的结构,省略其说明。

如图5所示,第三实施方式的线圈部件10B的第一外侧绝缘体61与内侧绝缘体13之间的距离和第二外侧绝缘体62与内侧绝缘体13之间的距离在线圈2的内周侧的区域分别大于在俯视观察下与内侧绝缘体13重叠的区域。具体而言,第一外侧绝缘体61与内侧绝缘体13之间的距离和第二外侧绝缘体62与内侧绝缘体13之间的距离在内部磁性体14的中央分别大于在俯视观察下与内侧绝缘体13重叠的区域。一方面,通过这样在与内侧绝缘体13重叠的区域相对缩小外侧绝缘体与内侧绝缘体之间的距离,由此能够确保减小内侧绝缘体受到的应力这个效果。另一方面,通过在产生磁通的线圈2的内周侧的区域,相对增大外侧绝缘体与内侧绝缘体之间的距离,能够提高线圈部件的电气特性。即,能够减小内侧绝缘体受到的应力,并进一步提高线圈部件的电气特性。在线圈部件10B为共模扼流线圈的情况下,能够大幅度地提高共模成分的阻抗。并且,即使在如上所述设定外侧绝缘体与内侧绝缘体之间的距离的情况下,由于对线圈部件的高度的影响小,因此也能同时实现线圈部件的低矮化。

在本实施方式中,俯视观察下线圈2的内周侧的区域(内部磁性体14的中央)中的外侧绝缘体与内侧绝缘体之间的距离优选为俯视观察下与内侧绝缘体13重叠的区域中的外侧绝缘体与内侧绝缘体之间的距离的1倍以上且1.2倍以下。或者,俯视观察下线圈2的内周侧的区域(内部磁性体14的中央)中的外侧绝缘体与内侧绝缘体之间的距离优选为55μm以上且90μm以下。

(第四实施方式)

图6是示出本实用新型的第四实施方式的线圈部件的剖视图。第四实施方式与第三实施方式的不同点在于,线圈部件不具有内部磁性体。下面仅对该不同的结构进行说明。在第四实施方式中,与第三实施方式相同的附图标记指示与第三实施方式相同的结构,因此省略其说明。

如图6所示,第四实施方式的线圈部件10C不具有内部磁性体14。在本实施方式的线圈部件10C中,也是第一外侧绝缘体61与内侧绝缘体13之间的距离以及第二外侧绝缘体62与内侧绝缘体13之间的距离在线圈2的内周侧的区域分别大于俯视观察下与内侧绝缘体13重叠的区域,由此能够减小内侧绝缘体13受到的应力,并能进一步提高线圈部件10C的电气特性。在线圈部件10C为共模扼流线圈的情况下,能够大幅提高共模成分的阻抗。并且,在如上所述设定了外侧绝缘体与内侧绝缘体之间的距离的情况下,由于对线圈部件的高度的影响小,因此也能同时实现线圈部件的低矮化。

(第五实施方式)

图7是示出本实用新型的第五实施方式的线圈部件的剖视图。第五实施方式与第一个实施方式的第一外侧绝缘体61的厚度、上述第二外侧绝缘体62的厚度、第一外侧绝缘体61与内侧绝缘体13之间的距离以及第二外侧绝缘体62与内侧绝缘体13之间的距离不同。下面仅说明该不同的结构。在第五实施方式中,与第一个实施方式相同的附图标记指示与第一个实施方式相同的结构,因此省略其说明。

本实施方式的线圈部件10D具有适合比第一个实施方式的线圈部件10小型的线圈部件的结构。若将线圈部件小型化,则内侧绝缘体的体积本身变小,因此烧制时产生的应力呈现变小趋势。因此,在使外侧绝缘体的厚度小于第一个实施方式中的厚度的情况下,以及/或者使外侧绝缘体与内侧绝缘体之间的距离大于第一个实施方式中的距离的情况下,也能充分地实现应力减小的效果。并且,通过减小外侧绝缘体的厚度,并且/或者增大外侧绝缘体与内侧绝缘体之间的距离,能够提高线圈部件的电气特性。

层叠体1是长度L为0.40±0.10mm、宽度W为0.3±0.10mm、高度T为0.30±0.05mm的近似方体。

第五实施方式的线圈部件10D具备:层叠体1,其包括沿层叠方向依次层叠的第一外侧绝缘体61、第一内侧磁性体11、内侧绝缘体13、第二内侧磁性体12以及第二外侧绝缘体62;和线圈2,其设置于内侧绝缘体13的内部。线圈部件10D还具备内部磁性体14,该内部磁性体14在内侧绝缘体13内设置于靠线圈2的内周侧,与第一内侧磁性体11和第二内侧磁性体12连接。如图7所示,层叠体1还包括:第一外侧磁性体51,其配置于第一外侧绝缘体61之下;和第二外侧磁性体52,其配置于第二外侧绝缘体62之上,但层叠体1也可不包括第一外侧磁性体51和第二外侧磁性体52。

在本实施方式中,第一外侧绝缘体61的厚度和上述第二外侧绝缘体62的厚度优选为1μm以上且20μm以下,更加优选为5μm以上且15μm以下。作为其它方法,第一外侧绝缘体61的厚度优选为第一外侧绝缘体61和第一内侧磁性体11的合计厚度的1/12以上且1/8以下,或者是在存在第一外侧磁性体51的情况下,第一外侧绝缘体61的厚度优选为第一外侧绝缘体61、第一内侧磁性体11以及第一外侧磁性体51的合计厚度的1/12以上且1/8以下。同样地,第二外侧绝缘体62的厚度优选为第二外侧绝缘体62和第二内侧磁性体12的合计厚度的1/12以上1/8以下,或者是在存在第二外侧磁性体52的情况下,第二外侧绝缘体62的厚度优选为第二外侧绝缘体62、第二内侧磁性体12以及第二外侧磁性体52的合计厚度的1/12且以上1/8以下。通过将外侧绝缘体的厚度设定为上述范围,能够减小内侧绝缘体13受到的应力,且能够提高线圈部件的电气特性,并且,能够实现线圈部件的低矮化。

在本实施方式中,第一外侧绝缘体61与内侧绝缘体13之间的距离优选为第一外侧绝缘体61和第一内侧磁性体11的合计厚度的1/2以上,或者是在存在第一外侧磁性体51的情况下,第一外侧绝缘体61与内侧绝缘体13之间的距离优选为第一外侧绝缘体61、第一内侧磁性体11以及第一外侧磁性体51的合计厚度的1/2以上。同样地,第二外侧绝缘体62与内侧绝缘体13之间的距离优选为第二外侧绝缘体62和第二内侧磁性体12的合计厚度的1/2以上,或者是在存在第二外侧磁性体52的情况下,第二外侧绝缘体62与内侧绝缘体13之间的距离优选为第二外侧绝缘体62、第二内侧磁性体12以及第二外侧磁性体52的合计厚度的1/2以上。通过将外侧绝缘体与内侧绝缘体之间的距离设定为上述范围,能够减小内侧绝缘体13受到的应力,且能够提高线圈部件的电气特性,并且,能够实现线圈部件的低矮化。

作为其它方法,第一外侧绝缘体61与内侧绝缘体13之间的距离优选为37.5μm以上。同样地,第二外侧绝缘体62与内侧绝缘体13之间的距离优选为37.5μm以上。通过将外侧绝缘体与内侧绝缘体之间的距离设定为上述范围,由此能够减小内侧绝缘体13受到的应力,且能够提高线圈部件的电气特性,并且,能够实现线圈部件的低矮化。

本实施方式的线圈部件的层叠体1的高度优选为0.25mm以上且0.35mm以下。另外,在存在第一外侧磁性体51与第二外侧磁性体52的情况下,第一外侧绝缘体61与层叠体1的第一端面111之间的距离优选为62.5μm以下。同样地,第二外侧绝缘体62与层叠体1的第二端面112之间的距离优选为62.5μm以下。

此外,在图7所示的线圈部件10D中,外侧绝缘体与内侧绝缘体之间的距离为固定值,但也可以是,与图5所示的结构相同,第一外侧绝缘体61与内侧绝缘体13之间的距离和第二外侧绝缘体62与内侧绝缘体13之间的距离分别是在内部磁性体14的中央大于俯视观察下与内侧绝缘体13重叠的区域。通过这样的结构,能够减小内侧绝缘体受到的应力,并进一步提高线圈部件的电气特性。在线圈部件10D为共模扼流线圈的情况下,能够大幅提高共模成分的阻抗。并且,即使在如上所述设定了外侧绝缘体与内侧绝缘体之间的距离的情况下,由于对线圈部件的高度的影响较小,因此也能同时实现线圈部件的低矮化。

(第六实施方式)

图8是示出本实用新型的第六实施方式的线圈部件的剖视图。第六实施方式与第五实施方式的不同点在于线圈部件不具有内部磁性体。下面仅说明该不同的结构。此外,在第六实施方式中,与第五实施方式相同的附图标记指示与第五实施方式相同的结构,因此省略其说明。

本实施方式的线圈部件10E与第五实施方式的线圈部件10D相同,具有适合于比第二实施方式的线圈部件10A小型的线圈部件的结构。若将线圈部件小型化,则内侧绝缘体的体积本身变小,因此呈现烧制时所产生的应力变小的趋势。因此,在使外侧绝缘体的厚度小于第二实施方式中的厚度的情况下以及/或者使外侧绝缘体与内侧绝缘体之间的距离大于第二实施方式中的距离的情况下,也能够充分地实现应力减小的效果。并且,通过缩小外侧绝缘体的厚度,并且/或者增大外侧绝缘体与内侧绝缘体之间的距离,由此能够提高线圈部件的电气特性。

如图8所示,第六实施方式的线圈部件10E不具有内部磁性体14。在本实施方式的线圈部件10E中,层叠体1具备第一外侧绝缘体61和第二外侧绝缘体62,由此能够减小内侧绝缘体13受到的应力,且能够提高线圈部件的电气特性,并且,能够实现线圈部件的低矮化。在线圈部件为共模扼流线圈的情况下,能够利用上述结构,提高共模成分的阻抗。

此外,在图8所示的线圈部件10E中,外侧绝缘体与内侧绝缘体之间的距离为固定值,但也可以是,与图6所示的结构相同,第一外侧绝缘体61与内侧绝缘体13之间的距离和第二外侧绝缘体62与内侧绝缘体13之间的距离分别为在线圈2的内周侧的区域大于在俯视观察下与内侧绝缘体13重叠的区域。利用这样的结构,能够减小内侧绝缘体受到的应力,并能够进一步增大线圈部件的电气特性。在线圈部件10E为共模扼流线圈的情况下,能够大幅增大共模成分的阻抗。并且,在如上所述设定了外侧绝缘体与内侧绝缘体之间的距离的情况下,由于对线圈部件的高度的影响小,因此也能够同时实现线圈部件的低矮化。

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