本实用新型涉及电子产品散热技术领域,尤其涉及一种贴片封装MOSFET散热装置。
背景技术:
随着电力电子技术的飞速发展,直流稳压电源越来越高效、小型化、高功率密度化。贴片式、体积小的电子器越来越受到电子工程师的喜爱,但对于大电流功率损耗大的器件散热成了主要问题,贴片MOSFET管在大电流下损耗很大,因此需对贴片MOSFET做散热处理设计。常用的散热方式是在PCB上去组焊层,增大散热面积,但这样会增加PCB的面积,且散热有限。
针对相关技术中的问题,目前尚未提出有效的解决方案。
技术实现要素:
本使用新型要解决的技术问题是克服现有的技术缺陷,提供一种贴片封装MOSFET散热装置,可以有效解决背景技术中的问题。
为解决上述技术问题,本实用新型采用的一个技术方案是;
提供了一种贴片封装MOSFET散热装置,包括PCB板,所述PCB板上开设有导热槽,所述PCB板正面导热槽处设有第一金属导热块,所述PCB板背面导热槽处设有第二金属导热块,所述第一金属导热块凸起有一连接部,所述连接部穿过所述导热槽与所述第二金属导热块连接。
进一步的,所述第一金属导热块和第二金属导热块均为铜块。
进一步的,所述第一金属导热块的厚度与贴片MOSFET的厚度相等。
进一步的,所述第二金属导热块的厚度与贴片MOSFET的厚度相等。
进一步的,所述第一金属导热块在PCB板正面延伸有第一传热部。
进一步的,所述第一金属导热块通过焊接固定在PCB板正面。
进一步的,所述第二金属导热块在PCB板背面延伸有第二传热部。
进一步的,所述第二金属导热块通过焊接固定在PCB板背面。
进一步的,所述导热槽截面为矩形。
本实用新型的有益效果:本实用新型一种贴片封装MOSFET散热装置通过采用第一金属导热块(铜片)的导热传导,增大MOSFET的导热面积,MOSFET的热量以最小的热阻把热量传到第一金属导热块上,第一金属导热块通过导热槽将热量传到第二金属导热块,通过第二金属导热块整体贴到机壳上,把热量传到机壳散出去,在不增加增加PCB面积的基础上,同时提高了散热效率。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本实用新型一种贴片封装MOSFET散热装置一较佳实施例的立体爆炸结构示意图;
图2是本实用新型一种贴片封装MOSFET散热装置一较佳实施例立体结构示意图;
图3是本实用新型一种贴片封装MOSFET散热装置一较佳实施例的侧视图。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例,本领域普通技术人员所获得的所有其他实施例,都属于本实用新型保护的范围。
如图1-3所示,根据本实用新型所述的一种贴片封装MOSFET散热装置,包括PCB板1,所述PCB板1上开设有导热槽11,所述PCB板1正面导热槽11处设有第一金属导热块2,所述PCB板1背面导热槽11处设有第二金属导热块3,所述第一金属导热块2凸起有一连接部,所述连接部穿过所述导热槽11与所述第二金属导热块3连接。
本实施例中,所述第一金属导热块2和第二金属导热块3均为铜块。
本实施例中,所述第一金属导热块2的厚度与贴片MOSFET的厚度相等。
本实施例中,所述第二金属导热块3的厚度与贴片MOSFET的厚度相等。
本实施例中,所述第一金属导热块2在PCB板1正面延伸有第一传热部21。
本实施例中,所述第一金属导热块2通过焊接固定在PCB板1正面。
本实施例中,所述第二金属导热块3在PCB板1背面延伸有第二传热部31。
本实施例中,所述第二金属导热块3通过焊接固定在PCB板1背面。
本实施例中,所述导热槽11截面为矩形。
具体使用时,第一金属导热块2和第二金属导热块3贴合在PCB板两面,增大了导热面积,第一金属导热块2和第二金属导热块3间也具备较高的导热效率,PCB板的导热系数很小,第一金属导热块2和第二金属导热块3(铜片)的导热系数很大,让PCB板正面的热通过开槽的第一金属导热块2上的连接部传到PCB背面,同时,PCB板背面和第二金属导热块3安装在机壳(散热器)上也增加了传热面积,从而提高了散热效率。
综上所述,借助于本实用新型的上述技术方案,本实用新型一种贴片封装MOSFET散热装置中采用仿生学构造,模拟蜘蛛和水母的身体构造,将散热片分为两第一散热片组,对每一风路都均匀分配,同时,采用低矮的散热片,减少热量在金属壳体内的传递时间;结合扰流设计,在第一散热片上设扰流口,在减少风路中涡流对风速的迟滞,实现了高效可靠的扇热效果。
以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已,并不用以限制本实用新型,凡在本实用新型的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本实用新型的保护范围之内。