电路基板、电路基板模块以及天线模块的制作方法

本发明涉及电路基板、电路基板模块以及天线模块。

背景技术：

在用于天线模块等的电路基板中，有时设有使期望的频段的高频信号通过并阻止不需要的高频信号的滤波器等。在这样的滤波器中，有时成为例如对于信号线(传输线)连接有多条短截线的电路结构。当在电路基板中在不同的层形成该多条短截线时，利用导通孔导体(日文：ビア導体)进行短截线间的连接。

具体而言，在专利文献1(日本特开2017-216589号公报)中，在带阻滤波器中，在共面线的信号线的下层形成螺旋形状的第1短截线，利用导通孔导体将信号线与第1短截线连接。并且，在该带阻滤波器中，在比形成有第1短截线的层靠下的下层形成螺旋形状的第2短截线，利用导通孔导体将第1短截线与第2短截线连接。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2017-216589号公报

技术实现要素：

发明要解决的问题

为了获得期望的电路特性，当设为在电路基板中形成多条短截线的电路结构的情况下，需要利用由设计决定的线路长度的布线连接短截线间。但是，若如在专利文献1中公开的那样利用导通孔导体连接在电路基板的不同的层形成的短截线间，则为了确保由设计决定的线路长度的布线，需要推进电路基板的多层化并增加导通孔导体的级数。

在增加导通孔导体的级数而连接短截线间的情况下，存在难以取得短截线间的匹配，形成有该短截线的电路基板整体的传输损耗增大的问题。另外，在推进电路基板的多层化的情况下，存在无法使电路基板整体的尺寸小型化的问题。

于是，本发明是为了解决这样的课题而完成的，其目的在于，对于连接形成于电路基板的不同的层的短截线间的电路基板而言，提供能够小型化且能够抑制传输损耗的电路基板、电路基板模块以及天线模块。

用于解决问题的方案

本发明的一技术方案的电路基板具有多层构造，利用导通孔导体连接层间，其中，该电路基板包括：多条信号线，其串联地连接；以及多条短截线，其与多条信号线分别连接，多条短截线由设于彼此不同的层的布线形成，连接多条短截线之间的至少1条信号线由导通孔导体和在形成有短截线的层设置的布线构成。

本发明的一技术方案的电路基板模块与天线连接，其中，该电路基板模块包括：上述电路基板；以及高频集成电路元件，其安装于电路基板，与信号线的一端部连接，电路基板在与安装有高频集成电路元件的面相反的面具有将天线与信号线的另一端部连接的连接部。

本发明的一技术方案的天线模块包括：天线；上述电路基板；以及高频集成电路元件，其安装于电路基板，与信号线的一端部连接，电路基板在与安装有高频集成电路元件的面相反的面具有将天线与信号线的另一端部连接的连接部。

发明的效果

采用本发明，连接短截线之间的信号线中的至少1条信号线由导通孔导体和在形成有短截线的层设置的布线构成，因此与仅利用导通孔导体连接短截线间的情况相比，能够实现电路基板的小型化且抑制在电路基板处的传输损耗。

附图说明

图1是本实施方式1的天线模块的一例的剖视图。

图2是本实施方式1的天线模块的一例的框图。

图3是本实施方式1的电路基板模块的一例的概略图。

图4是本实施方式1的电路基板模块的一例的俯视图。

图5是表示本实施方式1的中介层的电路特性的一例的图表。

图6是变形例1的天线模块的一例的框图。

图7是变形例2的中介层的一例的布线图。

图8是本实施方式2的天线模块的一例的框图。

图9是本实施方式2的中介层的一例的布线图。

图10是表示本实施方式2的中介层的电路特性的一例的图表。

图11是在电路基板形成有天线的电路基板模块的一例的概略图。

具体实施方式

以下，参照附图详细地说明本公开的实施方式。另外，对于图中相同或相当的部分，标注相同的附图标记而不重复其说明。

[实施方式1]

图1是本实施方式1的天线模块100的一例的剖视图。图2是本实施方式1的天线模块100的一例的框图。天线模块100通过与基带信号处理电路等连接而用于例如手机、智能手机或平板电脑等便携终端、具备通信功能的个人计算机等通信装置。

天线模块100包括作为供电电路的一例的rfic110、作为电路基板的一例的中介层120以及天线阵列130。在天线模块100中，将自未图示的基带信号处理电路传递的信号升频为高频信号而自天线阵列130辐射，并且将利用天线阵列130接收的高频信号降频而向基带信号处理电路传递。在本实施方式1中，天线模块100是应对两个特定的频段的所谓的双频应对天线模块。

另外，在图1中，为了容易说明，仅示出与构成天线阵列130的多条天线131中的两条天线131对应的结构，省略与具有同样的结构的其他天线131对应的结构。另外，在本实施方式1中，以天线131为具有矩形的平板形状的贴片天线的情况为例而说明。另外，将从天线模块100去除天线阵列130而得到的包括rfic110和中介层120的结构设为电路基板模块200。

rfic110是由未图示的多个开关、多个功率放大器、多个低噪声放大器、多个衰减器、多个移相器、信号合成/分波器、混频器、放大电路等构成的高频集成电路元件。另外，rfic110包括多个tx端子和多个rx端子。

参照图2，rfic110在发送高频信号的情况下将开关111a设为断路状态并将开关111b设为接通状态，从而自tx端子发送高频信号。rfic110在接收高频信号的情况下将开关111a设为接通状态并将开关111b设为断路状态，从而自rx端子接收高频信号。

发送的高频信号自rfic110的tx端子通过中介层120而向彼此不同的天线131传递。另外，在rfic110中，利用内置的放大电路放大信号，利用混频器进行升频。另外，在rfic110中，利用信号合成/分波器对升频而得到的高频信号进行分波而使其通过不同的信号路径，利用配置于各信号路径的移相器逐一调整移相度，从而调整天线阵列130的方向性。

利用各天线131接收的高频信号通过中介层120而向rfic110的rx端子输入。输入到rx端子的信号被rfic110的信号合成/分波器合波，被混频器降频，然后被放大电路放大。

rfic110通过利用钎焊凸块将tx端子和rx端子与中介层120的端子连接而与中介层120电连接。中介层120是设于rfic110与天线阵列130之间的电路基板，构成滤波电路、匹配电路等。另外，中介层120是例如环氧、聚酰亚胺等的树脂形成为多层构造而成的基板。中介层120也可以使用具有更低的介电常数的液晶聚合物(liquidcrystalpolymer：lcp)或氟树脂形成。

另外，在图2中，为了容易说明，仅示出与构成中介层120的多个电路中的与1组tx端子和rx端子对应的结构，省略与具有同样的结构的其他组tx端子和rx端子对应的结构。另外，以下以tx端子和rx端子的端口阻抗不同且构成在两个特定的频段中取得谐振的匹配电路的情况为例而说明中介层120。

参照图2，中介层120包括与rfic110的tx端子连接的信号线121和与rfic110的rx端子连接的信号线122。在将rfic110的开关111a设为断路状态并将开关111b设为接通状态的情况下，信号线121成为发送来自tx端子的高频信号的第1传输线，信号线122成为第1短截线。相反，在将rfic110的开关111a设为接通状态并将开关111b设为断路状态的情况下，信号线121成为第1短截线，信号线122成为向rx端子发送高频信号的第1传输线。

中介层120还包括将信号线121、122与天线阵列130连接的第2传输线123和设于第2传输线123与天线阵列130之间的第2短截线124。

第1短截线和第2短截线124通过分别与第1传输线和第2传输线123组合而分别构成具有第1谐振频率和第2谐振频率的电路。因而，第1短截线和第1传输线的线路长度分别根据第1谐振频率而确定，第2短截线124和第2传输线123的线路长度分别根据第2谐振频率而确定。另外，第1短截线、第2短截线124以及第2传输线123的线路宽度分别根据rfic110和天线阵列130的特性阻抗而确定。上述第1短截线、第2短截线124以及第2传输线123具有阻抗调整功能，并且也作为使设为目标的两个特定的频段的信号通过的滤波器发挥功能。

在中介层120中，将上述信号线121、122、第2传输线123以及第2短截线124形成于具有多层构造并利用导通孔导体连接层间的电路基板。并且，成为第1短截线的信号线121、122和第2短截线124在电路基板中形成于不同的层。在以往的电路结构的情况下，利用导通孔导体形成将形成于不同的层的第1短截线与第2短截线连接的第2传输线。

但是，在本实施方式1的中介层120中，为了实现在两个特定的频段(例如28ghz频段和39ghz频段)中取得谐振的匹配电路，需要确保特定的线路长度(例如1.2mm)的第2传输线。若像以往的电路结构那样利用导通孔导体形成第2传输线，则为了确保特定的线路长度而需要使电路基板多层化而增加导通孔导体的级数(例如若导通孔导体的高度为100μm则导通孔导体的级数为十几级)。

若增加导通孔导体的级数，则虽然能够确保第2传输线的线路长度，但是难以取得第1短截线与第2短截线之间的匹配，中介层120的传输损耗增大。另外，在增加导通孔导体的级数而使电路基板进一步多层化的情况下，中介层120本身的尺寸大型化。

于是，在本实施方式1的中介层120中，利用在形成有第1短截线或第2短截线的层设置的布线构成第2传输线123。即，并非仅利用导通孔导体形成第2传输线123，而是利用在形成有第1短截线或第2短截线的层设置的布线形成第2传输线123的至少局部。

以下，具体地说明信号线121、122、第2传输线123以及第2短截线124的布线的形状。图3是本实施方式1的电路基板模块200的一例的概略图。图3的(a)表示电路基板模块200的剖视图，图3的(b)表示中介层120的layer3的布线图，图3的(c)表示中介层120的layer5的布线图。

如图3的(a)所示，中介层120具有layer1～layer6的多层构造，利用导通孔导体连接层间。在中介层120的layer1形成有用于与rfic110的凸块端子(例如tx端子)连接的布线。如图3的(b)所示，在中介层120的layer3形成有成为第1传输线的信号线121和成为第1短截线的信号线122。在信号线121的一端形成用于与rfic110的tx端子连接的导通孔焊盘(日文：ビアパッド)p1，在信号线121的另一端形成用于与信号线122的一端连接且与下层的第2传输线123连接的导通孔焊盘p2。在信号线122的另一端形成用于与rfic110的rx端子连接的导通孔焊盘p3。

如图3的(c)所示，在中介层120的layer5形成有第2传输线123和第2短截线124。在第2传输线123的一端形成用于与成为上层的第1传输线的信号线121连接的导通孔焊盘p4。在第2传输线123的另一端形成用于与第2短截线124的一端连接且与下层的天线阵列130连接的导通孔焊盘p5。另外，在中介层120中，在形成有第1短截线的layer3与形成有第2短截线124的layer5之间的layer4设有接地导体(gnd)。因此，中介层120排除在形成于不同的层的第1短截线与第2短截线124之间的电磁影响。在图3的(a)中，layer2、6也是接地导体(gnd)。另外，中介层120的layer1、3、5与形成于layer间的导通孔导体经由导通孔焊盘电连接。另外，中介层120的layer6在与安装有作为高频集成电路元件的rfic110的面(layer1)相反的面具有将天线阵列130与第2传输线123的端部连接的连接部129。

说明了第2传输线123并非利用使形成有第1短截线和第2短截线124的层之间相连的导通孔导体构成，而是利用在形成有第2短截线124的层(layer5)设置的布线构成的情况。但是，第2传输线123也可以利用在形成有第1短截线的层(layer3)设置的布线构成，也可以利用在形成有第1短截线的层(layer3)设置的布线和在形成有第2短截线124的层(layer5)设置的布线分开地构成。

通过并非仅利用导通孔导体形成第2传输线123而是利用在其他层设置的布线形成第2传输线123，能够根据期望利用中介层120实现的电路特性而自如地改变第2传输线123的线路长度。另外，与利用导通孔导体形成第2传输线123的情况相比，不需要使电路基板多层化而增加导通孔导体的级数，能够抑制中介层120的传输损耗并使中介层120本身小型化(薄型化)。

另外，形成于中介层120的信号线121、122、第2传输线123以及第2短截线124由带状线形成。但是，信号线121、122、第2传输线123以及第2短截线124也可以由带状线以外的微带线、共面线等形成。

对于1条天线131分别连接有两组在图3中示出的信号线121、122、第2传输线123以及第2短截线124的布线的组(参照图1)。天线阵列130的多条天线131在平面上排列地设置，因此信号线121、122、第2传输线123以及第2短截线124的布线的组也在中介层120设有多个。

图4是本实施方式1的电路基板模块200的一例的俯视图。如图4所示，在中介层120设有12个信号线121、122、第2传输线123以及第2短截线124的布线的组。rfic110的1组tx端子和rx端子对应于1组布线。

接着，详细地说明利用图2所示的电路结构构成中介层120的情况的电路特性。图5是表示本实施方式1的中介层120的电路特性的一例的图表。在图5的(a)中表示对于各频率的信号的通过特性，在图5的(b)中表示对于各频率的信号的反射特性。在图5的(a)所示的图表中，将横轴设为频率freq(ghz)，将纵轴设为通过特性s(2，1)(db)。在图5的(b)所示的图表中，将横轴设为频率freq(ghz)，将纵轴设为反射特性s(2，2)、s(1，1)(db)。在此，通过特性s(2，1)表示在中介层120中自连接于rfic110的端子向连接于天线阵列130的端子的通过特性。反射特性s(2，2)表示在中介层120中在连接于天线阵列130的端子处的反射特性。反射特性s(1，1)表示在中介层120中在连接于rfic110的端子处的反射特性。

在图5的(a)所示的图表中，示出中介层120对于约27ghz～约40ghz的信号具有0.1～0.2db程度的通过特性s(2，1)(db)。另外，在图5的(b)所示的图表中，示出中介层120对于约28ghz和约39ghz的信号具有-22～-25db程度的反射特性s(2，1)、s(1，1)(db)。即，根据图5所示的图表，可知中介层120是传输约28ghz和约39ghz的信号的特性较高的滤波电路。另外，rfic110的阻抗为30ω，天线阵列的阻抗为50ω，因此中介层120也是将第2传输线123的特性阻抗设为35ω程度并自30ω向50ω变换阻抗的匹配电路。即，传输线和短截线的布线宽度取决于特性阻抗等，因此成为第1传输线的信号线121、第2传输线123以及第2短截线124也可以是布线宽度彼此不同等不同的构造的布线。

如上所述，本实施方式1的中介层120是具有多层构造并利用导通孔导体连接层间的电路基板，包括串联地连接的信号线121(122)和第2传输线123、与信号线121(122)和第2传输线123分别连接的信号线122(121)和第2短截线124。作为第1短截线的信号线122(121)和第2短截线124由设于彼此不同的层的布线形成。将第1短截线与第2短截线124之间连接的第2传输线123由导通孔导体和在形成有第2短截线124的层设置的布线构成。由此，本实施方式1的中介层120与仅利用导通孔导体将第1短截线与第2短截线连接的情况相比，能够实现中介层120的小型化且抑制在中介层120处的传输损耗。

另外，在中介层120中，说明了利用rfic110的开关切换将信号线121设为第1传输线的时刻和设为第1短截线的时刻的结构，但也可以是将信号线121固定于第1传输线和第1短截线中的任一者的结构。

也可以是，中介层120还包括在形成有第1短截线和第2短截线的层之间设置的接地导体。通过在第1短截线与第2短截线之间设置接地的布线层(接地导体)，能够在第1短截线与第2短截线之间抑制电容或电感等的形成，排除电磁影响。相反，也可以是，不在形成有第1短截线和第2短截线的层之间设置接地导体，利用信号线121、122、第2传输线123以及第2短截线124的电磁影响构成中介层。

第2短截线124的布线和在形成有第2短截线124的层(layer5)设置的第2传输线123的布线也可以设为相同的构造的布线。例如，通过利用相同的带状线形成第2短截线124和第2传输线123，不需要对每条布线实施不同的工序，因此能够降低制造成本。即，在rfic110的阻抗与天线阵列130的阻抗相同的情况下，不需要利用第2传输线123进行阻抗变换。因此，通过将第2传输线123和第2短截线以及成为第1传输线的信号线121设为相同的构造的布线，能够降低制造成本。

在本实施方式1的中介层120中，第1短截线和第2短截线分别是与第1传输线和第2传输线123连接的端部的相反侧的端部接地的短路短截线(参照图2)。通过将与第1传输线和第2传输线123连接的短截线设为短路短截线，天线所带的静电能够向接地电极gnd流通，能够保护rfic110等电子器件免受由短截线产生的静电放电(electrostaticdischarge：esd)的影响。另外，不限定于第1短截线和第2短截线分别全部为短路短截线的情况，也可以是第1短截线和第2短截线中的任一者为开路短截线的情况。

(变形例1)

在上述的实施方式中，如图2所示，说明了将两个传输线与短截线的组合串联地连接的电路结构。在变形例1中，说明将3个以上的传输线与短截线的组合串联地连接的电路结构。图6是变形例1的天线模块100a的一例的框图。天线模块100a包括rfic110、中介层120a以及天线阵列130。另外，在天线模块100a中，对于与图2所示的天线模块100相同的结构，标注相同的附图标记而不重复详细的说明。另外，在图6中，为了容易说明，设为rfic110和中介层120a利用1个端子连接的结构，但也可以是如在图2中说明那样利用rfic110的tx端子和rx端子与中介层120a连接的结构。

在图6所示的中介层120a中，在rfic110与天线阵列130之间串联地连接有第1传输线121a、第2传输线123a以及第3传输线125a。并且，在中介层120a中，在第1传输线121a与第2传输线123a之间设有第1短截线122a，在第2传输线123a与第3传输线125a之间设有第2短截线124a，在第3传输线125a与天线阵列130之间设有第3短截线126a。

在本变形例1的中介层120a中也是，第2传输线123a利用在形成有第2短截线124a的层设置的布线构成，第3传输线125a利用在形成有第3短截线126a的层设置的布线构成。由此，中介层120a与仅利用导通孔导体连接形成于不同的层的短截线间的情况相比，能够实现中介层120a的小型化且抑制在中介层120a处的传输损耗。

另外，不需要第2传输线123a和第3传输线125a均利用在形成有短截线的层设置的布线构成，也可以利用在形成有短截线的层设置的布线仅构成至少1条传输线。

(变形例2)

在上述的实施方式中，如图3所示，信号线121、122、第2传输线123以及第2短截线124的布线的形状主要利用直线构成。在变形例2中，说明传输线和短截线的布线的形状利用曲线构成的情况。图7是变形例2的中介层的一例的布线图。图7的(a)表示中介层的layer3的布线图，图7的(b)表示中介层的layer5的布线图。另外，变形例2的中介层的层结构与图3的(a)所示的中介层120的层结构相同，因此不重复详细的说明。另外，变形例2的中介层除了布线的形状与实施方式1的中介层120不同以外，具有相同的结构。

在图7的(a)所示的中介层的layer3中，形成有成为第1传输线的信号线121b和成为第1短截线的信号线122b。信号线121b呈使多条曲线组合而成的形状，在一端形成导通孔焊盘p1，在另一端形成用于与下层的第2传输线123b连接的导通孔焊盘p2。信号线122b呈包含成为半圆的曲线的形状，一端连接于导通孔焊盘p2，在另一端形成导通孔焊盘p3。

在图7的(b)所示的中介层的layer5中，形成有第2传输线123b和第2短截线124b。第2传输线123b和第2短截线124b是曲线，特别成为连续的卷绕形状。第2传输线123b在一端形成用于与上层的第1传输线连接的导通孔焊盘p4，在另一端形成导通孔焊盘p5。第2短截线124b的一端连接于导通孔焊盘p5，在另一端形成导通孔焊盘p6。

在本变形例2的中介层中，短截线(第1短截线、第2短截线124b)和在形成有短截线的层设置的信号线(第1传输线、第2传输线123b)的布线为曲线或卷绕形状。由此，在该中介层中，与利用直线形成短截线或信号线的情况相比，在布线的形状上自由度增加，能够在更小的区域内形成相同的长度的布线。

另外，图7所示的信号线121b、122b、第2传输线123b以及第2短截线124b的布线的形状是一例，也可以是其他形状。例如，信号线121b、122b可以是卷绕形状，第2传输线123b和第2短截线124b可以是反向的卷绕形状。在反向的卷绕形状的情况下，能够在layer4并非gnd层的情况下防止由上下层的线间的耦合导致的无用谐振。

[实施方式2]

在本实施方式1中，说明了对于第1传输线连接第1短截线且对于第2传输线123连接第2短截线124的中介层120的结构。在本实施方式2中，说明对于第1传输线进一步连接用于抑制高次谐波的另外的短截线的中介层的结构。

图8是本实施方式2的天线模块100c的一例的框图。另外，在天线模块100c中，对于与图2所示的天线模块100相同的结构，标注相同的附图标记而不重复详细的说明。另外，在图8中，为了容易说明，设为rfic110和中介层120c利用1个端子连接的结构，但也可以是如在图2中说明的那样利用rfic110的tx端子和rx端子与中介层120c连接的结构。

在图8所示的中介层120c中，在rfic110与天线阵列130之间串联地连接有第1传输线121c和第2传输线123c。并且，在中介层120c中，在第1传输线121c与第2传输线123c之间设有第1短截线122c，在第2传输线123c与天线阵列130之间设有第2短截线124c。并且，在中介层120c中，在第1传输线121c与第2传输线123c之间还包括第3短截线126c。

在本实施方式2的中介层120c中，在两个特定的频段(例如28ghz频段和39ghz频段)中取得谐振，并且设置第3短截线126c，从而实现使在各个频段下的第2高次谐波衰减的匹配电路。

图9是本实施方式2的中介层120c的一例的布线图。图9的(a)表示中介层120c的layer3的布线图，图9的(b)表示中介层120c的layer5的布线图。另外，中介层120c的层结构与图3的(a)所示的中介层120的层结构相同，因此不重复详细的说明。

在图9的(a)所示的中介层120c的layer3中，形成有第1传输线121c和第1短截线122c。第1传输线121c呈在局部包含曲线的形状，在一端形成导通孔焊盘p1，在另一端形成用于与下层的第2传输线123c连接的导通孔焊盘p2。第1短截线122c呈使多条曲线组合而成的形状，一端与导通孔焊盘p2连接，在另一端形成导通孔焊盘p3。

并且，在中介层120c的layer3形成有与第1传输线121c连接的第3短截线126c。第3短截线126c呈利用两条曲线使3条直线相连的形状，一端连接于导通孔焊盘p2，在另一端形成导通孔焊盘p7。第3短截线126c与第1短截线122c相同地形成于layer3，但是是第1短截线122c和第2短截线124c以外的短截线。另外，第1短截线122c和第2短截线124c是形成于不同的层的多条短截线。

在图9的(b)所示的中介层120c的layer5中，形成有第2传输线123c和第2短截线124c。第2传输线123c和第2短截线124c为曲线，特别成为连续的卷绕形状。第2传输线123c在一端形成用于与上层的第1传输线连接的导通孔焊盘p4，在另一端形成导通孔焊盘p5。第2短截线124c的一端连接于导通孔焊盘p5，在另一端形成导通孔焊盘p6。

接着，详细地说明利用图8所示的电路结构构成中介层120c的情况的电路特性。图10是表示本实施方式2的中介层120c的电路特性的一例的图表。在图10的(a)中表示对于各频率的信号的通过特性，在图10的(b)中表示对于各频率的信号的反射特性。在图10的(a)所示的图表中，将横轴设为频率freq(ghz)，将纵轴设为通过特性s(2，1)(db)。在图10的(b)所示的图表中，将横轴设为频率freq(ghz)，将纵轴设为反射特性s(2，2)、s(1，1)(db)。

在图10的(a)所示的图表中，示出中介层120c对于约27ghz～约40ghz的信号具有0.1～0.2db程度的通过特性s(2，1)(db)。并且，中介层120c对于与约28ghz的谐振频率相对的第2高次谐波(约56ghz)的信号具有-42db程度的通过特性s(2，1)(db)。另外，中介层120c对于与约39ghz的谐振频率相对的第2高次谐波(约78ghz)的信号具有-36db程度的通过特性s(2，1)(db)。

在图5的(b)所示的图表中，示出中介层120c对于约28ghz和约39ghz的信号具有-30db以下的反射特性s(2，1)、s(1，1)(db)。即，中介层120c是传输约28ghz和约39ghz的信号且使与各个谐振频率相对的第2高次谐波的信号衰减的特性的滤波电路。另外，中介层120c也与图2所示的中介层120同样，是将第2传输线123c的特性阻抗设为35ω程度而自30ω向50ω变换阻抗的匹配电路。

如上所述，在本实施方式2的中介层120c中，对于至少1条信号线(例如第1传输线121c)，连接形成于不同的层的多条短截线(例如第1短截线122c、第2短截线124c)以外的短截线(例如第3短截线126c)。由此，本实施方式的中介层120c能够具有使与谐振频率相对的第2高次谐波的信号衰减的特性。

[其他变形例]

在上述的实施方式中说明的天线模块以如在图1中说明的那样在电路基板模块200连接作为另外结构的天线阵列130的结构为前提。但是，天线模块不限于在电路基板模块连接作为另外结构的天线阵列的结构，例如也可以是在构成中介层的电路基板形成天线的结构。

图11是在电路基板形成有天线的电路基板模块200d的一例的概略图。在图11中表示电路基板模块200d的剖视图。电路基板模块200d包括rfic110和电路基板120d。另外，由于是将天线形成于电路基板120d的结构，因此，对于该电路基板120d，不像在图1中说明的那样将其称为中介层，而是仅将其称为电路基板。对于电路基板模块200d的结构中的与图3的(a)所示的电路基板模块200相同的结构，标注相同的附图标记而不重复详细的说明。

如图11所示，电路基板120d具有layer1～layer6的多层构造，利用导通孔导体连接层间。在电路基板120d的layer1形成有用于与rfic110的凸块端子(例如tx端子)连接的布线。在电路基板120d的layer6形成有天线的辐射电极139。辐射电极139与形成有第2传输线的电路基板120d的layer5利用导通孔导体电连接。辐射电极139不限定于如图11所示那样在电路基板形成1个的结构，也可以形成多个而构成阵列天线。另外，辐射电极139不限定于如图11所示那样形成于电路基板的表面而暴露的结构，也可以是形成于电路基板的内部而不暴露的结构。

应理解为本次公开的实施方式在所有的方面均为例示，不是限制。本发明的范围由权利要求书表示而不是由上述的说明表示，并且意图包含在与权利要求书均等的意思和范围内的所有的变更。

附图标记说明

100、100a、100c、天线模块；111a、111b、开关；120、120a、120c、中介层；121、121b、122、122b、信号线；121a、121c、第1传输线；122a、122c、第1短截线；123、123a、123b、123c、第2传输线；124、124a、124b、124c、第2短截线；125a、第3传输线；126a、126c、第3短截线；130、天线阵列；131、天线；200、电路基板模块。