1.一种半导体结构的制作方法，其特征在于，包括：
形成基底结构，所述基底结构包括衬底、堆叠结构、外延层和半导体填充结构，其中，所述堆叠结构位于所述衬底上，所述堆叠结构包括本体结构和位于所述本体结构中的沟道孔，所述本体结构包括交替设置的牺牲层和绝缘介质层，所述外延层分别位于所述沟道孔的底部上，所述半导体填充结构位于所述沟道孔内；
采用各向异性刻蚀法刻蚀去除部分所述半导体填充结构，形成用于容纳漏极接触结构的凹槽；
在所述凹槽中填充漏极接触材料，形成漏极接触结构。
2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述半导体填充结构包括盖层，采用各向异性刻蚀法刻蚀去除部分所述半导体填充结构，形成用于容纳漏极接触结构的凹槽，包括：
采用各向异性刻蚀法刻蚀去除部分所述盖层，在所述沟道孔中形成底面为平面的所述凹槽。
3.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述盖层为二氧化硅层，
采用各向异性刻蚀法刻蚀去除部分所述盖层，在所述沟道孔中形成底面为平面的所述凹槽，包括：
采用包括氢氟酸气体的刻蚀气体刻蚀去除部分所述二氧化硅层，形成所述凹槽。
4.根据权利要求3所述的制作方法，其特征在于，采用包括氢氟酸气体的刻蚀气体刻蚀去除部分所述二氧化硅层，形成所述凹槽，包括：
控制反应腔的温度在30℃～120℃之间，且向所述反应腔通入氨气和所述氢氟酸气体，以刻蚀所述二氧化硅层；
控制所述反应腔的温度在100℃～250℃之间，且向所述反应腔通入氮气。
5.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，形成基底结构，包括：
提供所述衬底；
在所述衬底上形成预备堆叠结构，所述预备堆叠结构包括交替设置的绝缘介质层和牺牲层；
在所述预备堆叠结构内形成露出所述衬底的所述沟道孔；
在所述沟道孔中依次形成栅介电层、沟道层以及盖层，所述栅介电层、所述沟道层以及所述盖层形成所述半导体填充结构。
6.根据权利要求5所述的制作方法，其特征在于，在所述预备堆叠结构内形成露出所述衬底的所述沟道孔之后，在所述沟道孔中依次形成栅介电层、沟道层以及盖层之前，所述方法还包括：
在所述沟道孔中形成外延层，所述外延层穿过最靠近所述衬底的一个所述牺牲层和最靠近衬底的两个所述绝缘介质层。
7.一种半导体结构，其特征在于，包括：
基底结构，所述基底结构包括衬底、堆叠结构、外延层和半导体填充结构，其中，所述堆叠结构位于所述衬底上，所述堆叠结构包括本体结构和位于所述本体结构中的沟道孔，所述本体结构包括交替设置的牺牲层和绝缘介质层，所述外延层分别位于所述沟道孔的底部上，所述半导体填充结构位于所述沟道孔内；
凹槽，开设在所述沟道孔内，所述凹槽为采用各向异性刻蚀法刻蚀去除部分所述半导体填充结构形成的；
漏极接触结构，位于所述凹槽中。
8.根据权利要求7所述的半导体结构，其特征在于，所述凹槽的底面为平面。
9.根据权利要求7所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体填充结构包括依次设置在所述沟道孔内的栅介电层、沟道层以及盖层，所述凹槽为刻蚀去除部分所述盖层形成的。
10.根据权利要求9所述的半导体结构，其特征在于，所述盖层为二氧化硅层。