封装层的制备方法、显示面板及其制备方法与流程

本申请涉及显示技术领域，特别是涉及一种封装层的制备方法、显示面板及其制备方法。

背景技术：

在oled(organiclightemittingdiode，有机发光二极管)显示面板中，为了防止有机发光材料被水氧入侵而失效，需要制备封装层对发光层进行封装。现有技术中最常用的封装方式为tfe(thinfilmencapsulation，薄膜封装)，结构为包括无机封装层和有机封装层的叠层结构。其中沉积形成无机封装层的过程需使用掩膜板，以暴露出显示面板中衬底上的切割位置，但是使用掩膜板沉积无机封装层一方面会带入颗粒等污染物，另一方面掩膜板下方存在成膜阴影区域，可控性较差，导致成膜阴影区域可能形成质量很差的无机封装层，后续切割衬底过程中可能形成由成膜阴影区延伸至发光层所在区域的水氧入侵路径，提高了发光层中的发光材料因水氧入侵而失效的几率，降低了封装层的封装效果。

技术实现要素：

本申请主要解决的技术问题是提供一种封装层的制备方法、显示面板及其制备方法，能够提高封装层的封装效果。

为解决上述技术问题，本申请采用的一个技术方案是：提供一种封装层的制备方法，包括：

在衬底设置有发光层的一侧形成第一无机封装层和第一有机封装层；其中，所述第一无机封装层覆盖所述衬底，所述第一有机封装层覆盖所述发光层以及所述发光层上的所述第一无机封装层，且暴露出所述发光层外围的所述第一无机封装层；

在所述第一有机封装层背离所述衬底一侧形成第二无机封装层；其中，所述第二无机封装层覆盖所述第一有机封装层，且暴露出所述发光层外围的所述第一无机封装层；

以所述第二无机封装层为刻蚀掩膜，去除所述发光层外围的所述第一无机封装层，以暴露出所述衬底。

其中，所述以所述第二无机封装层为掩膜板，刻蚀去除所述发光层外围的所述第一无机封装层，以暴露出所述衬底的步骤，包括：

以预设气体为刻蚀气氛，采用干法刻蚀技术去除未被所述第二无机封装层覆盖的所述第一无机封装层，以暴露出所述衬底。

其中，以所述预设气体为刻蚀气氛进行干法刻蚀时，所述第一无机封装层与所述第二无机封装层的刻蚀速率之比为1.5:1-3:1。

其中，所述第一无机封装层包括氧化铝、氧化钛中至少一种，所述第二无机封装层包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅中至少一种，所述预设气体包括三氯化硼。

其中，所述在衬底设置有发光层的一侧形成第一无机封装层和第一有机封装层的步骤，包括：

采用原子层沉积技术在所述衬底设置有所述发光层的一侧整面沉积所述第一无机封装层；

采用喷墨印刷技术在所述第一无机封装层背离所述发光层一侧的预设区域形成所述第一有机封装层，所述预设区域覆盖所述发光层以及所述发光层上的所述第一无机封装层。

其中，所述第一无机封装层和所述第一有机封装层为交替设置的至少两组。

其中，所述采用原子层沉积技术在所述衬底设置有所述发光层的一侧整面沉积所述第一无机封装层的步骤，包括：

采用原子层沉积技术在所述衬底设置有所述发光层的一侧依次整面沉积多个第一无机封装子层，以形成所述第一无机封装层；其中，所述第一无机封装子层的厚度为0.5nm-5nm，数量为15-50。

其中，所述在所述第一有机封装层背离所述衬底一侧形成第二无机封装层的步骤，包括：

在所述第一有机封装层背离所述衬底一侧设置掩膜板，所述掩膜暴露出所述第一有机封装层，且覆盖所述发光层外围的所述第一无机封装层；

采用化学气相沉积技术在所述掩膜板背离所述衬底一侧整面沉积所述第二无机封装层；

移除所述掩膜板。

为解决上述技术问题，本申请采用的另一个技术方案是：提供一种显示面板的制备方法，包括：

根据如上述技术方案所述的封装层的制备方法，在所述衬底设置有所述发光层的一侧制备封装层；

从所述封装层暴露出的所述衬底位置处切割所述衬底，以获得所述显示面板。

为解决上述技术问题，本申请采用的另一个技术方案是：提供一种显示面板，包括：

衬底；

发光层，设置于所述衬底的一侧；

封装层，包括层叠设置的第一无机封装层、第一有机封装层和第二无机封装层，其中所述第一无机封装层由原子层沉积技术沉积形成，所述第二无机封装层由化学气相沉积技术沉积形成，所述第二无机封装层进一步用于作为所述第一无机封装层的刻蚀掩膜。

本申请的有益效果是：区别于现有技术的情况，本申请在在衬底设置有发光层的一侧制备封装层时，先形成整面覆盖衬底的第一无机封装层；再形成第一有机封装层，其中第一有机封装层覆盖发光层以及发光层上的第一无机封装层，且暴露出发光层外围的第一无机封装层；再在第一有机封装层背离衬底一侧形成第二无机封装层，其中第二无机封装层覆盖第一有机封装层，且暴露出发光层外围的第一无机封装层；然后以第二无机封装层为刻蚀掩膜，去除发光层外围的第一无机封装层，以暴露出衬底，用于后续的切割。其中，整面沉积第一无机封装层，并以第二无机封装层为刻蚀掩膜，去除发光层外围的第一无机封装层，可以减少一次使用掩膜板的工艺，优化封装层的制备流程。而且，发光层外围的第一无机封装层被刻蚀去除，确保切割区域没有无机封装层残留，降低了后续切割衬底过程中产生由切割区域延伸至发光层所在区域的水氧入侵路径的几率，从而能够降低发光层中的发光材料因水氧入侵而失效的几率，提高封装层的封装效果。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施方式中的技术方案，下面将对实施方式描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。其中：

图1为本申请封装层的制备方法一实施方式的流程示意图；

图2为图1中步骤s11一实施方式对应的结构示意图；

图3为图1中步骤s11一实施方式的流程示意图；

图4a为图1中步骤s12一实施方式对应的结构示意图；

图4b为本申请封装层一实施方式的局部结构示意图；

图5为图1中步骤s12一实施方式的流程示意图；

图6a为图5中步骤s31一实施方式对应的结构示意图；

图6b为图5中步骤s32一实施方式对应的结构示意图；

图7为图1中步骤s13一实施方式对应的结构示意图；

图8为本申请显示面板的制备方法一实施方式的流程示意图；

图9为本申请显示面板一实施方式的结构示意图。

具体实施方式

下面将结合本申请实施方式中的附图，对本申请实施方式中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施方式仅仅是本申请一部分实施方式，而不是全部实施方式。基于本申请中的实施方式，本领域普通技术人员在没有做出创造性的劳动前提下所获得的所有其他实施方式，都属于本申请保护的范围。

制备oled显示面板时，通常先于衬底一侧设置发光层，其中发光层依次包括阳极、多个发光像素单元和阴极，并且还可以进一步包括空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层中的一层或多层，为现有技术中所公知，此处不再赘述。然后在发光层一侧制备封装层，对发光层进行封装，防止发光层中的有机发光材料被水氧入侵而失效，而且，通常为了更好地封装，在衬底上发光层的边缘围设有堤坝，具体制备封装层的过程如下述实施方式所述。

请参阅图1，图1为本申请封装层的制备方法一实施方式的流程示意图，该制备方法包括如下步骤。

步骤s11，在衬底设置有发光层的一侧形成第一无机封装层和第一有机封装层；其中，第一无机封装层覆盖衬底，第一有机封装层覆盖发光层以及发光层上的第一无机封装层，且暴露出发光层外围的第一无机封装层。

请参阅图2，图2为图1中步骤s11一实施方式对应的结构示意图，首先在衬底11设置有发光层12的一侧形成第一无机封装层13和第一有机封装层14。其中，第一无机封装层13覆盖衬底11，第一有机封装层14覆盖发光层12以及发光层12上的第一无机封装层13，且暴露出发光层12外围的第一无机封装层13。其中，衬底11上发光层12的边缘围设有堤坝15，发光层12位于堤坝15围设的区域内。

具体地，请结合图2参阅图3，图3为图1中步骤s11一实施方式的流程示意图，可通过如下步骤在衬底设置有发光层的一侧形成第一无机封装层和第一有机封装层。

步骤s21，采用原子层沉积技术在衬底设置有发光层的一侧整面沉积第一无机封装层。

原子层沉积技术(atomiclayerdeposition，ald)是一种可以将物质以单原子膜形式一层一层的镀在基底表面的方法。本实施方式采用原子层沉积技术在衬底11设置有发光层12的一侧整面沉积第一无机封装层13，具体为依次整面沉积多个第一无机封装子层(图未示)，以形成第一无机封装层13。其中，第一无机封装子层的厚度为0.5nm-5nm，例如0.5nm、1nm、2nm、3nm、4nm、5nm等，数量为15-50，例如15、20、25、30、35、40、45、50等。也就是说，第一无机封装层13包括多个第一无机封装子层，且第一无机封装子层为单原子膜厚度，使得第一无机封装层13的结构致密，能够更好地阻挡水氧对发光层12的入侵，提高封装效果。

其中，采用ald技术沉积形成第一无机封装层13时，第一无机封装层13沿衬底11、堤坝15和发光层12的外表面生长，整面覆盖衬底11、堤坝15和发光层12。

步骤s22，采用喷墨印刷技术在第一无机封装层背离发光层一侧的预设区域形成第一有机封装层，预设区域覆盖发光层以及发光层上的第一无机封装层。

第一有机封装层14包括有机物，在预设温度下具有流动性，固可以采用喷墨印刷技术(inkjetprinting，ijp)将其设置于堤坝15围设的区域内，并待其流平固化，能够进一步阻挡水氧的入侵，提高封装效果。最终形成的第一有机封装层14覆盖发光层12以及发光层12上的第一无机封装层13，且暴露出发光层12外围的第一无机封装层13，即堤坝15之外的区域内无第一有机封装层14。优选地，第一有机封装层14的厚度为5μm-10μm，例如5μm、6μm、7μm、8μm、9μm、10μm等。

本实施方式利用原子层沉积技术形成第一无机封装层，利用喷墨印刷技术形成第一有机封装层，能够阻挡水氧对发光层的入侵，提高封装效果。

步骤s12，在第一有机封装层背离衬底一侧形成第二无机封装层；其中，第二无机封装层覆盖第一有机封装层，且暴露出发光层外围的第一无机封装层。

请结合图2参阅图4a，图4a为图1中步骤s12一实施方式对应的结构示意图，形成第一无机封装层13和第一有机封装层14之后，在第一有机封装层14背离衬底11一侧形成第二无机封装层16。其中，第二无机封装层16覆盖第一有机封装层14，且暴露出发光层12外围的第一无机封装层13。

本实施方式中，第二无机封装层16覆盖第一有机封装层14以及堤坝15的上表面，仅暴露出发光层12外围的少量第一无机封装层13。其中，暴露出第一无机封装层13的位置a即为后续切割衬底的位置。

在其他实施方式中，第一无机封装层13和第一有机封装层14为交替设置的至少两组。请参阅图4b，图4b为本申请封装层一实施方式的局部结构示意图，即重复执行上述步骤s21和s22之后，再执行步骤s12，获得多组交替设置的第一无机封装层13和第一有机封装层14，以及第二无机封装层16。进一步延长水氧入侵路径，提高封装效果。

在一些实施方式中，请参阅图5，图5为图1中步骤s12一实施方式的流程示意图，可通过如下步骤在第一有机封装层背离衬底一侧形成第二无机封装层。

步骤s31，在第一有机封装层背离衬底一侧设置掩膜板，掩膜板暴露出第一有机封装层，且覆盖发光层外围的第一无机封装层。

请结合图2参阅图6a，图6a为图5中步骤s31一实施方式对应的结构示意图，在图2所示结构的基础上，首先在第一有机封装层14背离衬底11一侧设置掩膜板17，例如金属网格，暴露出第一有机封装层14，且覆盖发光层12外围的第一无机封装层13，即覆盖上述位置a处的第一无机封装层13，本实施方式中，掩膜板17还暴露出堤坝15上表面的第一无机封装层13。被掩膜板17暴露出的区域后续将沉积生成第二无机封装层16，被掩膜板17覆盖的区域则不会有第二无机封装层16形成。

步骤s32，采用化学气相沉积技术在掩膜板背离衬底一侧整面沉积第二无机封装层。

请结合图6a参阅图6b，图6b为图5中步骤s32一实施方式对应的结构示意图，设置掩膜板17之后，采用化学气相沉积技术(chemicalvapordeposition，cvd)在掩膜板17背离衬底11一侧整面沉积第二无机封装层16。也就是说，第二无机封装层16位于覆盖第一有机封装层14和堤坝15以及掩膜板17。

步骤s33，移除掩膜板。

请结合参阅图6b和图4a，在图6b所示结构的基础上，移除掩膜板17之后，位于掩膜板17上表面的第二无机封装层16也被移除，即位置a处的第一无机封装层13被暴露出，剩余的第二无机封装层16覆盖第一有机封装层14和堤坝15，如图4a所示。

本实施方式结合掩膜和cvd技术形成图案化的第二无机封装层，暴露出发光层外围的第一无机封装层，便于后续刻蚀掉部分第一无机封装层之后暴露出衬底上的切割位置。

步骤s13，以第二无机封装层为刻蚀掩膜，去除发光层外围的第一无机封装层，以暴露出衬底。

请结合图4a参阅图7，图7为图1中步骤s13一实施方式对应的结构示意图，形成第二无机封装层16之后，由于第二无机封装层16覆盖第一有机封装层14和堤坝15，暴露出位置a处的第一无机封装层13，则能够以第二无机封装层16为刻蚀掩膜，去除发光层12外围的第一无机封装层13，以暴露出衬底11，便于进行后续的切割工艺。即在图4a所示结构的基础上，得到如图7所示结构。

其中，第一无机封装层13包括氧化铝、氧化钛中至少一种，第二无机封装层16包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅中至少一种。

刻蚀去除发光层12外围的第一无机封装层13的具体过程为：以预设气体为刻蚀气氛，采用干法刻蚀技术去除未被第二无机封装层16覆盖的第一无机封装层13，即去除位置a的第一无机封装层13，以暴露出位置a处的衬底11。

其中，预设气体包括三氯化硼，以预设气体为刻蚀气氛进行干法刻蚀时，第一无机封装层13与第二无机封装层16的刻蚀速率之比为1.5:1-3:1，例如1.5:1、1.7:1、1.9:1、2.1:1、2.3:1、2.5:1、2.7:1、3:1等。也就是说，在相同的刻蚀时间内，第一无机封装层13的刻蚀量要大于第二无机封装层16的刻蚀量，从而实现第二无机封装层16的刻蚀掩膜作用，在将位置a处的第一无机封装层13完全刻蚀去除之后，仍然保留有第二无机封装层16，作为封装层的一部分，延长水氧入侵路径，阻挡水氧入侵，保护发光层12。

当封装层包括多组交替设置的第一无机封装层13和第一有机封装层14，以及第二无机封装层16时，以第二无机封装层16为掩膜，可以同时刻蚀去除位置a处的多个第一无机封装层13，暴露出衬底11。

可见，本实施方式能够确保切割区域没有第一无机封装层和第二无机封装层残留，降低了后续切割衬底过程中产生由切割区域延伸至发光层所在区域的水氧入侵路径的几率，从而能够降低发光层中的发光材料因水氧入侵而失效的几率，提高封装层的封装效果。

此外，本实施方式形成图案化的第一无机封装层时，是以第二无机封装层为掩膜，刻蚀去除发光层外围的第一无机封装层形成的，减少了一次使用外置掩膜板的工艺，优化了封装层的制备流程。

基于同样的发明构思，本申请还提供一种显示面板的制备方法，请参阅图8，图8为本申请显示面板的制备方法一实施方式的流程示意图，该方法包括如下步骤。

步骤s41，在衬底设置有发光层的一侧制备封装层。

其中，封装层的制备方法可参见上述任一实施方式，此处不再赘述。

步骤s42，从封装层暴露出的衬底位置处切割衬底，以获得显示面板。

请结合图7参阅图9，图9为本申请显示面板一实施方式的结构示意图，在衬底11设置有发光层12的一侧制备封装层20之后，从封装层20暴露出的衬底11位置处切割衬底11，以获得显示面板。即从图7所示位置a处切割衬底11，得到预设尺寸的显示面板。

本实施方式制备显示面板的过程中，切割区域没有第一无机封装层和第二无机封装层残留，降低了切割衬底过程中产生由切割区域延伸至发光层所在区域的水氧入侵路径的几率，从而能够降低发光层中的发光材料因水氧入侵而失效的几率，提高封装层的封装效果。

基于同样的发明构思，本申请还提供一种显示面板，请继续参阅图9，该显示面板包括衬底11、发光层12和封装层20，其中，发光层12设置于衬底11的一侧；封装层20包括层叠设置的第一无机封装层13、第一有机封装层14和第二无机封装层16，其中第一无机封装层13由原子层沉积技术ald沉积形成，第二无机封装层16由化学气相沉积技术cvd沉积形成，第二无机封装层16进一步用于作为第一无机封装层13的刻蚀掩膜。

本实施方式中，封装层20为无机-有机-无机的多层结构，水氧入侵发光层12的入侵路径被延长，降低了发光层12中的发光材料因水氧入侵而失效的几率，提高了封装层20的封装效果。

在其他实施方式中，请继续参阅图4b，显示面板的封装层20还可以包括多组交替设置的第一无机封装层13和第一有机封装层14，以及第二无机封装层16，进一步延长水氧入侵路径，提高封装效果。

以上所述仅为本申请的实施方式，并非因此限制本申请的专利范围，凡是利用本申请说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本申请的专利保护范围内。