专利名称:正温度系数陶瓷热敏电阻的制备工艺的制作方法
本发明属于半导体陶瓷热敏电阻的制备工艺。
目前国内生产正温度系数陶瓷热敏电阻是采用搪瓷工业用TiO2和分析纯BaCO3为主要原料以〔(Ba1-xMx)Ti1+δ+0.15-0.3mol%M′〕+SiO2，Al2O3，MnO2，Sb2O3，Li2CO3等掺杂加入物中的一种或多种作配方，(式中MPb、Sr等二价元素，M′Nb、Ta或Y、Ce、La等稀土元素)。国际上，日本特许公报昭53-31554，昭56-6124，美国专利4.096.098，松冈富造等National Tech，Rept.21.329(1975)均报道过采取〔(Ba1-xMx)Ti1+δO3+0.15-0.3mol%M′〕主配方先行合成，而后再引入其它掺杂加入物的常规工艺来制备正温用系数陶瓷热敏电阻。该工艺路线的缺点是当其原料中受主杂质稍高时，所产生的瓷料难于半导化，有时甚至不能半导化，严重影响产品性能，成品率低，工艺难于掌握。
本发明的目的是克服已有工艺生产的正温度系数陶瓷热敏电阻存在的难于半导化，产品的成品率低，工艺难于掌握的缺点。
本发明采用SiO2或SiO2+Al2O3在合成主配方前引入的工艺，可以实现受主杂质稍高时正温度系数陶瓷热敏电阻瓷料良好半导化，把原料适用性的范围大大拉宽。如下例经光谱分析1＃和2＃TiO2的Fe，Mg等受主杂质的含量不同原料 Fe(PPm) Mg(PPm)1＃ TiO237 642＃ TiO253 82
按同一配方〔(Ba0.75Sr0.25)Ti1.01O3+0.11mol%Nb3O5〕+1.5mol%SiO3+0.5mol%Al2O3+0.05mol%MnO2+0.04mol%Sb2O3+0.1mol%Li2CO3，用已有常规工艺和将SiO2或SiO2+Al2O3在合成主配方前先行引入的本发明工艺，在其他工艺条件相同的情况下制备正温度系数陶瓷热敏电阻资料其性能如下已有常规工艺 本发明工艺ρ(Ω·cm) ρ180/ρ ρ(Ω·cm) ρ180/ρ1＃ TiO3142 5.1×1052400 2.4×1042＃ TiO29700 7.0×103194 3.5×105其中ρ室温下的电阻率。ρ180180℃下的电阻率往1＃TiO2中引入0.001wt%Fe3O4和0.002wt%Mg(OH)2·4MgCO3·6H2O，按配方〔(Ba0.75Sr0.25Ti1.01O3+0.11mol%Nb2O3〕+1.5mol%SiO2+0.5mol%Al2O3+0.05mol%MnO2+0.04mol%Sb2O3+0.1mol%Li2CO3，用两种工艺制备正温度系数陶瓷热敏电阻资料其性能如下性能指标 已有常规工艺 本发明工艺ρ(Ω·cm) 5600 978ρ180/ρ 1.2×1046.9×104采用工业纯TiO2和含Fe量0.0023wt%-0.0027wt%的工业纯BaCO3为原料，结果如下已有常规工艺 本发明工艺发热体资料编号 R(K·Ω) 表面温度 R(Ω) 表面温度A 10K 68℃ 68Ω 96℃
S870K 106℃ 760Ω 150℃可见对Fe、Mg杂质含量较高的原料，本发明工艺有利于资料的半导化，其性能有很大改善。
本发明工艺在生产中容易实现，只要将SiO2或SiO3+Al2O3在合成主配方前引入工艺，不需增加设备，流程。
权利要求
一种正温度系数陶瓷热敏电阻的制备工艺，其特征在于采用Sio2或Sio2+Al2O3在合成主配方前引入的工艺。
专利摘要
一种半导体陶瓷热敏电阻的制备工艺，本发明采用SiO
文档编号H01C7/02GK85100019SQ85100019
公开日1986年2月10日 申请日期1985年4月1日
发明者方春行, 刘维跃, 沈继耀, 谈家琪, 徐庭献, 曲远方 申请人:天津大学导出引文BiBTeX, EndNote, RefMan