接合构件中时该中间构件的光学特性也被忽略。作为接合构件，例如，可以使用YAG磷光体。
[0089]光反射构件4设置在波长转换部32上。光反射构件4包括两层，具体地，DBR 47和含有具有光反射性或光泽度的金属兀素如Ag和Al的金属层46。在本实施方案中，如图8中所示，金属层46设置在波长转换部(YAG) 32的表面上，它们之间插入有DBR 47。金属层46可以直接设置在波长转换部(YAG) 32上，其间没有插入DBR 47。
[0090]根据第五实施方案的半导体发光装置I包括:光反射包装5,其具有对应于光提取表面的开口部并且包围半导体堆叠层2的外周表面；波长转换部(YAG) 32 ;以及光反射构件4。因此，从半导体堆叠层2发射的光被光反射构件4和包装5反射，随后通过波长转换部(YAG) 32进行波长转换，并且被有效地导向至光提取表面。作为结果，提供了实现小型化和高亮度的半导体发光装置。此外，通过在横向上增加半导体堆叠层2中的发光面积，可以增加发光强度。因此，可以在没有增加光提取表面的面积的情况下，增加要发射的光通量。
[0091]第六实施方案
[0092]图9是根据本发明的第六实施方案的半导体发光装置的剖视图。半导体发光装置I包括:半导体堆叠层2，其构成作为发光元件的LED ；以及η-电极11和ρ-电极12，它们各自形成在半导体堆叠层2的下表面上。焊盘电极可以与η-电极11和ρ-电极12相接触形成。在图9中，η-电极11设置在ρ-电极12的后面，如图2所示。
[0093]半导体发光装置I的光提取表面形成在半导体发光装置I的一个侧表面上，以便垂直于半导体堆叠层2。在半导体发光装置I中，具有对应于光提取表面的开口部的BPF (带通滤波器(Band Pass Filter)) 33、波长转换部32和光反射构件4以此顺序堆叠在半导体堆叠层2上。此外，半导体发光装置I包括包围光反射构件4的外周表面的包装5。上文所述的树脂可以用作包装5的材料。
[0094]是YAG系磷光体的波长转换部32设置在半导体堆叠层2的生长衬底30上，它们之间插入有BPF 33。BPF 33是发送具有例如420至500nm的波长带的光的光学滤波器。BPF33的波长带优选为430至470nm。由氮化物系半导体堆叠层2构成的LED的峰值为450nm。
[0095]光反射构件4设置在波长转换部32上。光反射构件4包括两层，具体地，DBR 47和含有具有光反射性或光泽度的金属兀素如Ag和Al的金属层46。在本实施方案中，如图9中所示，金属层46设置在波长转换部(YAG) 32的表面上，它们之间插入有DBR 47。金属层46可以直接设置在波长转换部(YAG) 32上，其间没有插入DBR 47。
[0096]第七实施方案
[0097]图10是根据本发明的第七实施方案的半导体发光装置的剖视图。半导体发光装置I包括:半导体堆叠层2，其构成作为发光元件的LED ；以及η-电极11和ρ-电极12，它们各自形成在半导体堆叠层2的下表面上。焊盘电极可以与η-电极11和ρ-电极12相接触形成。在图10中，η-电极11设置在ρ-电极12的后面，如图2所示。
[0098]半导体发光装置I的光提取表面形成在半导体发光装置I的一个侧表面上，以便垂直于半导体堆叠层2。此外，半导体发光装置I包括:包装5，其具有对应于光提取表面的开口部并且包围半导体堆叠层2的外周表面；BPF 33 ;波长转换部32 ;以及光反射构件4。上文所述的树脂可以用作包装5的材料。
[0099]在通过LLO法去除生长衬底(未显示)之后，包括BPF 33和是YAG系磷光体的波长转换部32的导光构件设置在半导体堆叠层2上。在本实施方案中，如图10中所示，BPF33与半导体堆叠层2接触。
[0100]BPF 33是发送具有例如420至500nm波长带的光的光学滤波器。BPF33的波长带优选为430至470nm。由氮化物系半导体堆叠层2构成的LED的峰值为450nm。
[0101]光反射构件4包括两层，具体地，DBR 47和含有具有光反射性或光泽度的金属元素如Ag和Al的金属层46。在本实施方案中，如图10中所不,金属层46设置在波长转换部(YAG) 32的表面上，它们之间插入有DBR47。金属层46可以直接设置在波长转换部(YAG) 32上，其间没有插入DBR47。
[0102]第八实施方案
[0103]图11是根据本发明的第八实施方案的半导体发光装置的剖视图。图12是在图11中所示的半导体发光装置的透视图。在上文所述的第三至第七实施方案中各半导体发光装置也具有如图12中所示的相同外观。半导体发光装置I包括:半导体堆叠层2，其构成作为发光兀件的LED ;以及η-电极11和ρ-电极12,它们各自形成在半导体堆叠层2的下表面上。在图11中，η-电极11设置在ρ-电极12的后面，如图2所示。
[0104]半导体发光装置I的光提取表面形成在半导体发光装置I的一个侧表面上，以便垂直于半导体堆叠层2。半导体发光装置I的包装5具有对应于光提取表面的开口部并且将半导体堆叠层2容纳在其中。容纳在包装5中的半导体堆叠层2通过密封构件34密封。
[0105]密封构件34由含有YAG系磷光体的透光的树脂构成。然而，密封构件34可以不必需地含有磷光体，并且可以是含有扩散材料(填料等)或着色材料(颜料等)的树脂。上文所述的树脂可以用作包装5的材料。
[0106]根据本实施方案的半导体发光装置I包括光反射包装5,其具有对应于光提取表面的开口部并且将半导体堆叠层2容纳在其中。因此，从半导体堆叠层2发射的光在包装5内部被反射，并且通过密封构件34被有效地导向至光提取表面。作为结果，提供了实现小型化和高亮度的半导体发光装置。此外，通过在横向上增加半导体堆叠层2中的发光面积，可以增加发光强度。因此，可以在没有增加光提取表面的面积的情况下，增加要发射的光通量。
[0107]本发明不限于以上描述的具体实施方案。在本发明所公开的技术构思范围内，本领域技术人员可以适当地改变这些实施方案中的非必要的要素，或者用其他已知的要素替换非必要的要素。
[0108]如上所述，显而易见的是，在不背离本发明的精神和范围的情况下，各种其他实施方案是可能的。因此，本发明的范围和精神应当仅由所附权利要求限制。
[0109]本说明书中提及的所有出版物、专利申请和技术标准通过引用结合于本文中，其程度与每个单独的出版物、专利申请或技术标准具体且单个地指明通过引用结合的程度相同。
【主权项】
1.一种半导体发光装置，所述半导体发光装置包括: 半导体堆叠层，其具有垂直于所述半导体堆叠层的堆叠表面的光提取表面； 设置在所述半导体堆叠层上的透光的导光构件； 设置在所述导光构件上的光反射构件；和 光反射包装，其具有对应于所述光提取表面的开口部并且包围所述半导体堆叠层的外周表面的至少一部分。
2.根据权利要求1所述的半导体发光装置，其中所述光反射包装与绝缘构件集成，所述绝缘构件使连接至所述半导体堆叠层的电极电绝缘。
3.根据权利要求1所述的半导体发光装置，其中所述光反射构件由金属形成。
4.根据权利要求1所述的半导体发光装置，其中所述光反射构件包含DBR(分布式布拉格反射器)。
5.根据权利要求1所述的半导体发光装置，其中所述光反射构件包含由金属形成的DBR。
6.根据权利要求1所述的半导体发光装置，其中所述导光构件包含波长转换部。
7.根据权利要求1所述的半导体发光装置，其中所述导光构件包含波长转换部和透明部，所述波长转换部和所述透明部是堆叠的。
8.根据权利要求7所述的半导体发光装置，其中所述导光构件由玻璃衬底形成，所述玻璃衬底具有形成在其一个表面上的磷光体层。
9.一种用于制造半导体发光装置的方法，所述半导体发光装置包括垂直于半导体堆叠层的堆叠表面的光提取表面，所述方法包括: 设置多个各自具有半导体层和电极的发光元件以使所述电极与薄片接触； 在所述多个发光元件的至少两个相邻的发光元件上方并横过它们，设置导光构件，所述导光构件具有形成在其一个表面上的光反射构件； 设置光反射绝缘构件以填充在所述多个发光元件之间的间隙；和 在所述至少两个相邻的发光元件之间的位置处切割所述绝缘构件和所述导光构件。
10.根据权利要求9所述的用于制造半导体发光装置的方法，所述方法还包括: 在排布所述光反射绝缘构件之后，形成连接至所述多个发光元件各自的各个电极的焊盘电极。
【专利摘要】本发明提供一种半导体发光装置1包括：半导体堆叠层2，其具有垂直于所述半导体堆叠层2的堆叠表面的光提取表面3a；设置在所述半导体堆叠层2上的透光的导光构件3；设置在所述导光构件3上的光反射构件4；和光反射包装5，其具有对应于所述光提取表面3a的开口部并且包围所述半导体堆叠层2的外周表面。
【IPC分类】H01L33-24, H01L33-58, H01L33-00, H01L33-60
【公开号】CN104659172
【申请号】CN201410653499
【发明人】市川将嗣
【申请人】日亚化学工业株式会社
【公开日】2015年5月27日
【申请日】2014年11月17日
【公告号】EP2874190A1, US20150137164