等离子体处理容器和等离子体处理装置的制造方法
【专利说明】等离子体处理容器和等离子体处理装置
[0001]本申请是申请日为2009年4月9日、申请号为200910134905.7、发明名称为“等离子体处理容器和等离子体处理装置”的专利申请的分案申请。
技术领域
[0002]本发明涉及一种对例如平板显示器(FPD)用的玻璃基板等被处理体进行等离子体处理时收纳被处理体的等离子体处理容器和具有该等离子体处理容器的等离子体处理
目.ο
【背景技术】
[0003]在以液晶显示器(IXD)为代表的FPD制造过程中，在真空下对玻璃基板等被处理体实施蚀刻、成膜等各种处理。为了利用等离子体进行所述处理，而使用具有能够真空抽吸的等离子体处理容器的等离子体处理装置。
[0004]在等离子体处理装置中，由于等离子体或腐蚀性气体的作用会使金属制的等离子体处理容器的内面受损。为此，要对例如铝制的等离子体处理容器的主体实施阳极氧化处理(阳极氧化处理)而提高耐蚀性。阳极氧化处理通常通过将接受处理的等离子体处理容器或其构成部件浸渍在含有硫酸或草酸的电解液中。
[0005]另外，为了防止等离子体处理容器的损伤，也在等离子体处理容器的内壁面配设保护部件(衬垫:liner)。例如在专利文献I中，沿着形成在等离子体处理容器的运送口的内壁面配设能够拆装的衬垫。在衬垫的表面形成利用了阳极氧化处理的氧化皮膜或具有耐等离子体腐蚀性的喷镀膜，提高对等离子体或腐蚀性气体的耐久性。但是，等离子体或腐蚀性气体会从安装在等离子体处理容器的内面的衬垫的端部绕进其背侧(其与等离子体处理容器的间隙)中，所以即使配置有衬垫的情况下，对于等离子体处理容器来说，也不能省略阳极氧化处理。
[0006]专利文献1:国际公开W02002/29877号
[0007]近年来，对FPD用的基板的大型化要求加大，与此对应地，等离子体处理容器也有大型化的倾向。现在也制造以一边超过2m的巨大基板为处理对象的等离子体处理容器，在这样的大型的等离子体处理容器上难以进行阳极氧化处理。另外，用于在大型的等离子体处理容器上实施阳极氧化处理的作业时间和成本也成为较大负担。
【发明内容】
[0008]本发明是鉴于上述问题而研发的，其目的在于极力减轻等离子体处理容器的阳极氧化处理所要的操作时间和成本。
[0009]本发明的等离子体处理容器，其形成收纳被处理体而进行等离子体处理的处理室，其特征在于，具有:
[0010]接合多个容器构成部件而成的容器主体；
[0011]配设在所述容器构成部件间的接合部分的第一密封部件；
[0012]安装在所述容器主体的内面并保护所述容器主体的保护部件，
[0013]在所述容器构成部件间的接合部分设有通过将所述保护部件从所述处理室内部插入直至到达所述第一密封部件的位置而使所述第一密封部件和所述保护部件抵接的第一密封部。
[0014]本发明的等离子体处理容器，其优选以包围所述第一密封部件的方式在该第一密封部件的外侧设有在所述容器构成部件间直接介入所述第二密封部件的第二密封部。这种情况下，优选通过所述第一密封部遮断等离子体以及/或者腐蚀性气体，通过所述第二密封部维持所述容器主体的气密性。另外，优选所述第一密封部件和所述第二密封部件的材质不同，所述第一密封部件由对等离子体以及/或者腐蚀性气体具有耐性的材质构成。
[0015]另外，在本发明的等离子体处理容器中，优选所述保护部件嵌入在形成于所接合的两个部件中的任一部件上的凹部中，使所述部件间的接合面和所述保护部件的表面形成同一面。
[0016]另外，在本发明的等离子体处理容器，优选所述保护部件的表面由利用阳极氧化处理形成的氧化覆膜或具有耐等离子体腐蚀性的陶瓷喷镀膜覆盖。
[0017]本发明的等离子体处理装置特征在于，具有上述等离子体处理容器。
[0018]〔发明效果〕
[0019]根据本发明的等离子体处理容器，形成具有这样的第一密封部的结构，其为在两个容器构成部件间的接合部分，配设第一密封部件，将保护部件插入到达该第一密封部件的位置，使第一密封部件抵接保护部件。根据该密封结构，等离子体或腐蚀性气体由第一密封部遮断。因此，等离子体和腐蚀性气体不会到达两个容器构成部件直接抵接的接合面。因此，关于所接合的容器构成部件中至少一方，不需要阳极氧化处理，能够抑制阳极氧化处理所需的时间和成本。因此，能够起到降低以往成为大的负担的、等离子体处理容器的阳极氧化处理所需的操作时间和成本的效果。
【附图说明】
[0020]图1是表示本发明的第一实施方式的等离子体蚀刻装置的概略结构的剖面图。
[0021]图2是放大表示图1的A部分的要部剖面图。
[0022]图3是表示本发明的第二实施方式的等离子体蚀刻装置的概略结构的剖面图。
[0023]图4是本发明的第三实施方式的等离子体蚀刻装置的要部剖面图。
[0024]附图标记说明
[0025]I处理容器
[0026]Ia 底壁
[0027]Ib 侧壁
[0028]Ic 顶板
[0029]2下部容器
[0030]3绝缘部件
[0031]5承载体
[0032]7 基材
[0033]51 排气口
[0034]61基板运送用开口
[0035]100等离子体蚀刻装置
[0036]101 衬垫
[0037]102 衬垫
[0038]111内侧O型环
[0039]112外侧O型环
[0040]113 O型环配设用槽
[0041]114 凹部
【具体实施方式】
[0042]以下，参照附图详细说明本发明的实施方式。参照图1和图2，关于本实施方式的等离子体处理容器、以及具有该等离子体处理容器的等离子体蚀刻装置100进行说明。图1是表示等离子体蚀刻装置100的概略结构的剖面图。等离子体蚀刻装置100构成为例如对Fro用的玻璃基板(以下简称作“基板”)S进行等离子体蚀刻处理的装置。另外，作为FPD例示液晶显示器(IXD)、场致发光(Electro Luminescence:EL)显示器、等离子体显示面板(PDP)等。
[0043]如图1所示，等离子体蚀刻装置100构成为对形成为矩形的基板S进行蚀刻的电容耦合型的平行平板等离子体蚀刻装置。该等离子体蚀刻装置100具有由例如表面被阳极氧化处理的铝构成的成形为方筒形的处理容器(容器主体)I。为真空容器的处理容器I作为容器构成部件由具有底壁Ia以及四方的侧壁Ib的下部容器2、和顶板Ic构成。具有底壁Ia和侧壁Ib的下部容器2例如通过切削加工等一体成型为箱型，对表面实施阳极氧化处理。在侧壁Ib的内面，为了保护侧壁Ib不受等离子体和腐蚀性气体的影响，配设有作为构成板状的保护部件的衬垫101。
[0044]顶板Ic相对于下部容器2能够通过未图示的开闭机构开闭。在顶板Ic的内面(下面)，为了保护顶板Ic不受等离子体或腐蚀性气体的影响，而配设有作为构成板状的保护部件的衬垫102。在关闭顶板Ic的状态下，在顶板Ic和侧壁Ib的接合部分，在靠近处理容器I的内部的位置上配设作为第一密封部件的内侧O型环111，以包围该内侧O型环111的方式配设作为第二密封部件的外侧O型环112。S卩，通过使内侧O型环111和外侧O型环112双重配设，从而形成顶板Ic和侧壁Ib的接合部分的密封结构。关于该部分的密封结构后述。另外，在本实施方式中，由于下部容器2(底壁Ia和侧壁Ib) —体形成，所以，通过密封顶板Ic和侧壁Ib的接合部分的内侧O型环111以及外侧O型环112，在关闭顶板Ic的状态下保持作为真空容器的处理容器I的气密性。
[0045