示，在底壁Ia上形成凹部121，在此嵌入衬垫122而配设，在底壁Ia和侧壁Ib的接合部分配设作为第一密封部件的内侧O型环131，进一步以包围内侧O型环131的方式配设作为第二密封部件的外侧O型环132。S卩，通过将内侧O型环131和外侧O型环132双重配设，从而形成底壁Ia和侧壁Ib的接合部分的密封结构。
[0066]衬垫122从处理容器I的内侧插入底壁Ia和侧壁Ib的接合部位，其前端到达内侧的O型环131。S卩，在底壁Ia和侧壁Ib的接合部分中，衬垫122直接抵接内侧O型环131，形成第一密封部，在该部位遮断等离子体和腐蚀性气体。这样，内侧O型环131主要具有防止等离子体和腐蚀性气体侵入底壁Ia和侧壁Ib的接合部分的缝隙中的功能、即具有遮断等离子体和腐蚀性气体的功能。另一方面，外侧O型环132直接介于底壁Ia和侧壁Ib之间，形成第二密封部，确保两部件的接合部分的密封性，主要具有气密保持作为真空腔室的处理容器I的内部空间的真空保持功能。
[0067]本实施方式的侧壁Ib和顶板Ic的接合结构与第一实施方式相同。
[0068]在图3所示的底壁Ia和侧壁Ib的接合结构中，等离子体和腐蚀性气体在内侧O型环131的位置被遮断。因此，等离子体和腐蚀性气体不会到达底壁Ia和侧壁Ib直接抵接的接合界面、例如不多到达真空保持用的外侧O型环132的配设位置。因此，关于底壁Ia的阳极氧化处理完全不需要，能够抑制底壁Ia的阳极氧化处理所需的时间和成本。另外，本实施方式中，与第一实施方式同样地，也不需要顶板Ic的阳极氧化处理。另外，在本实施方式中，通过方筒形部件形成侧壁lb，所以也能够得到对侧壁Ib的内面也容易进行阳极氧化处理的次级效果。
[0069]本实施方式中的其他结构、作用和效果与第一实施方式相同。
[0070]〔第三实施方式〕
[0071]接着，参照图4说明本发明的第三实施方式。本实施方式为上述第一以及第二实施方式的变形例，除了改变了第二密封部件的配设位置外，能够原封不动地适用第一及第二实施方式的等离子体蚀刻装置100、200。以下，以与第一以及第二实施方式(图1和图2)的不同点为中心进行说明，对相同的结构适用相同的附图标记，省略说明。
[0072]图4是放大表示侧壁Ib和顶板Ic的接合部分的剖面图。在顶板Ic的内面(下面)配设有作为构成板状的保护部件的衬垫102。在侧壁Ib和顶板Ic的接合部分，衬垫102从处理容器I的内侧插入侧壁Ib和顶板Ic之间。在关闭顶板Ic的状态下在顶板Ic和侧壁Ib的接合部分、靠近侧壁Ib侧的处理容器I的内部的位置配设作为第一密封部件的O型环141。O型环141抵接衬垫102的下面而配设。O型环141主要具有防止等离子体或腐蚀性气体侵入侧壁Ib和顶板Ic的接合部分的间隙中的功能(遮断等离子体或腐蚀性气体的功能)，并且，确保衬垫102和侧壁Ib之间的密封性，具有保持作为真空腔室的处理容器I的气密性的真空保持功能。
[0073]另外，在衬垫102和顶板Ic之间配设有O型环142。O型环142抵接衬垫102的上面而配设。O型环142确保衬垫102的背面侧(即衬垫102和顶板Ic之间)的密封性，具有保持作为真空腔室的处理容器I的气密性的真空保持功能。
[0074]在图4所示的侧壁Ib和顶板Ic的接合结构中，等离子体和腐蚀性气体在O型环141的位置被遮断。因此，等离子体和腐蚀性气体不会到达侧壁Ib和顶板Ic直接抵接的接合界面。因此，关于顶板Ic的阳极氧化处理完全不需要，能够抑制顶板Ic的阳极氧化处理所需的时间和成本。
[0075]本实施方式的其他结构、作用和效果与第一实施方式相同。另外，图4所示的侧壁Ib和顶板Ic的接合结构也能够适用于第二实施方式的等离子体蚀刻装置200的底壁Ia和方筒形的侧壁Ib的接合结构。
[0076]以上，说明了本发明的实施方式，但是本发明不限于上述实施方式，能够进行种种变形。例如，在上述实施方式中，例示说明了对下部电极(基材7)施加高频电力的RIE式电容耦合型平行平板等离子体蚀刻装置，但是也可以是对上部电极供给高频电力的类型，另外不限于电容耦合型，也可以是感应耦合型。
[0077]另外，本发明的等离子体处理容器不限于以Fro用基板为处理对象的等离子体蚀刻装置，例如也可以以半导体晶片为对象，另外不限于等离子体蚀刻装置，例如也能够适合于等离子体灰化装置、等离子体CVD装置等其他等离子体处理装置。
【主权项】
1.一种等离子体处理容器，其形成收纳被处理体而进行等离子体处理的处理室，其特征在于，具有: 接合多个容器构成部件而形成的容器主体； 配设在所述容器构成部件间的接合部分的第一密封部件； 安装在所述容器主体的内面而保护所述容器主体的保护部件， 在所述容器构成部件间的接合部分设有通过将所述保护部件从所述处理室内部插入直至到达所述第一密封部件的位置、由此遮断等离子体或腐蚀性气体或者其两者、并使所述第一密封部件和所述保护部件在整个圆周抵接而进行密封的第一密封部。
2.如权利要求1所述的等离子体处理容器，其特征在于， 以包围所述第一密封部件和所述保护部件的方式在该第一密封部件和所述保护部件的外侧设有在所述容器构成部件间直接介入第二密封部件的第二密封部。
3.如权利要求2所述的等离子体处理容器，其特征在于， 通过所述第一密封部遮断等离子体以及/或者腐蚀性气体，通过所述第二密封部维持所述容器主体的气密性。
4.如权利要求2或3所述的等离子体处理容器，其特征在于， 所述保护部件嵌入在形成于所接合的两个部件中的一个部件的凹部中，使所述部件间的接合面和所述保护部件的表面形成为同一面，所述第一密封部件和所述第二密封部件嵌入在分别设置于所述所接合的两个部件中的另一个部件的槽部。
5.一种等离子体处理容器，其形成收纳被处理体而进行等离子体处理的处理室，其特征在于，具有: 接合多个容器构成部件而形成的容器主体； 配设在所述容器构成部件间的接合部分的第一密封部件； 在所述容器构成部件间的接合部分，以包围所述第一密封部件的方式在该第一密封部件的外侧配设的第二密封部件； 安装在所述容器主体的内面而保护所述容器主体的保护部件， 所述第一密封部件和所述第二密封部件嵌入在分别设置于所接合的两个部件中的一个部件的槽部， 在所述容器构成部件间的接合部分设有:通过将所述保护部件从所述处理室内部插入直至到达所述第一密封部件的位置、由此遮断等离子体或腐蚀性气体或者其两者、并使所述第一密封部件和所述保护部件抵接而进行密封的第一密封部；和在所述容器构成部件间直接介入所述第二密封部件的第二密封部。
6.如权利要求5所述的等离子体处理容器，其特征在于， 所述保护部件嵌入在形成于所述所接合的两个部件中的另一个部件的凹部中，使所述部件间的接合面和所述保护部件的表面形成为同一面。
7.一种等离子体处理装置，其特征在于，具有权利要求1?6中任一项所述的等离子体处理容器。
【专利摘要】本发明提供一种等离子体处理容器和具有该等离子体处理容器的等离子体处理装置。能够极力减轻等离子体处理容器的阳极氧化处理所需的操作时间和成本。在等离子体处理容器中，衬垫(102)插入侧壁(1b)和顶板(1c)的接合部位，其前端到达内侧O型环(111)。等离子体和腐蚀性气体在内侧O型环(111)的位置被遮断，所以等离子体和腐蚀性气体不会到达侧壁(1b)和顶板(1c)所直接抵接的位置，不需要顶板(1c)的阳极氧化处理。
【IPC分类】H01J37-32
【公开号】CN104681388
【申请号】CN201510062189
【发明人】出口新悟
【申请人】东京毅力科创株式会社
【公开日】2015年6月3日
【申请日】2009年4月9日
【公告号】CN101556913A