]在处理容器I内的底部配置有框形状的绝缘部件3。在绝缘部件3上设有作为能够载置基板S的载置台的承载体5。
[0046]也作为下部电极的承载体5具有基材7。基材7例如由铝或不锈钢(SUS)等导电性材料构成。基材7配置在绝缘部件3之上，在两部件的接合部分上配设O型环等密封部件13，维持气密性。绝缘部件3和处理容器I的底壁Ia之间也由密封部件14维持气密性。基材7的侧部外周由绝缘部件17包围。由此，确保承载体5的侧面的绝缘性，防止等离子体处理时的异常放电。
[0047]在承载体5的上方与该承载体5平行地且相对地设有起到作为上部电极的作用的喷淋头31。喷淋头31支承于处理容器I的上部的顶板lc。喷淋头31构成中空状，在其内部设有气体扩散空间33。另外，在喷淋头31的下面(承载体5的相对面)形成喷出处理气体的多个气体喷出孔35。该喷淋头31接地，与承载体5 —起构成一对平行平板电极。
[0048]在喷淋头31的上部中央附近设有气体导入口 37。在该气体导入口 37连接着处理气体供给管39。在该处理气体供给管39经由两个阀41、41以及质量流量控制器43连接着供给用于蚀刻的处理气体的气体供给源45。作为处理气体例如卤类气体和氧气外，还能够使用氩气Ar等稀有气体等。
[0049]在所述处理容器I的底部的四个角上形成四处排气口 51。在排气口 51上连接着排气管53，该排气管53与排气装置55连接。排气装置55具有例如涡轮分子泵等真空泵，由此能够将处理容器I内真空抽吸到规定的减压气氛。
[0050]另外，在处理容器I的一方的侧部Ib上设有作为与该侧部Ib贯通形成的开口部的基板运送用开口 61。该基板运送用开口 61由门阀(省略图示)开闭。并且，在该门阀打开的状态下经由基板运送用开口 61运入运出基板S。另外，在处理容器I的其他侧部Ib上设有作为贯通形成侧部Ib的开口部的窗用开口 63。在各窗用开口 63安装有透明的石英板65。
[0051]在承载体5的基材7连接有供电线71。该供电线71经由匹配箱(M.B.) 73连接有高频电源75。由此，从高频电源75向作为下部电极的承载体5供给例如13.56MHz的高频电力。另外，供电线71经由形成在底壁Ia的开口 77导入处理容器内。
[0052]另外，在承载体5的侧方设有作为控制处理容器I内的气流的整流板的挡板81。挡板81与平面四方形的承载体5的四边对应设置四张。各挡板81由从处理容器I的底壁Ia直立设置的绝缘壁83以及绝缘壁85大致水平支承。从喷淋头31的气体喷出孔35朝向承载体5上的基板S供给的处理气体在基板S的表面向四方扩散，通过挡板81的整流作用，朝向设于处理容器I的底部四处的排气口 51形成气流并同时排气。
[0053]接着，说明以上构成的等离子体蚀刻装置100的处理动作。首先，在开放未图示的门阀的状态下，作为被处理体的基板S由未图示的运送装置经由基板运送用开口 61向处理容器I内运入，向承载体5交接。之后，关闭门阀，由排气装置55将处理容器I内真空抽吸为规定的真空度。
[0054]接着，开放阀41，从气体供给源45经由处理气体供给管39、气体导入口 37向喷淋头31的气体扩散空间33导入处理气体。这时，通过质量流量控制器43进行处理气体的流量控制。导入气体扩散空间33的处理气体进一步经由多个喷出口 35而向载置于承载体5上的基板S均匀喷出，处理容器I内的压力维持规定值。
[0055]该状态下从高频电源75经由匹配箱73对承载体5施加高频电力。由此，在作为下部电极的承载体5和作为上部电极的喷淋头31之间产生高频电场，处理气体离解而等离子体化。通过该等离子体对基板S实施蚀刻处理。
[0056]实施蚀刻处理后，停止从高频电源75施加高频电力，停止气体导入，之后，将处理容器I内减压到规定的压力。接着，开放门阀，从承载体5对未图示的运送装置交接基板S，从处理容器I的基板运送用开口 61运出。通过以上的操作，结束对基板S的蚀刻处理。
[0057]图2是放大表示侧壁Ib和顶板Ic的接合部分即图1的A部分的剖面图。如前所述，侧壁Ib和顶板Ic的接合部分通过内侧的O型环111和外侧的O型环112双重密封。由橡胶或氟类树脂等弹性材料构成的内侧O型环111以及外侧O型环112分别以嵌入形成在侧壁Ib的上端的O型环配设用槽113的状态安装在该O型环配设用槽113上、。
[0058]保护侧壁Ib的内面的衬垫101能够拆装地安装在侧壁lb。保护顶板Ic的内面的衬垫102能够拆装地安装在顶板lc。衬垫102嵌入有台阶差地形成在顶板Ic的下面的凹部114中，衬垫102的表面和顶板Ic的下面构成一个面。衬垫101、102安装在侧壁Ib和顶板Ic的方法不作特别限定，例如也能够以螺栓等固定方式进行安装。
[0059]安装在顶板Ic的衬垫102与安装在侧壁Ib的衬垫101的上端抵接，衬垫101和衬垫102剖面看构成T字型配置。作为衬垫101和衬垫102，能够通过对铝基材的表面实施阳极氧化处理(阳极氧化处理)而得到。另外，作为衬垫101和衬垫102，优选使用对铝等基材表面形成具有耐等离子体腐蚀性的陶瓷喷镀膜的结构。作为具有耐等离子体腐蚀性的陶瓷喷镀膜例如能够使用Y2O3喷镀膜、YF 3喷镀膜、AL 203喷镀膜、B 4C喷镀膜等。这其中，更优选具有优秀的耐等离子体腐蚀性的Y2O3喷镀膜或YF 3喷镀膜。
[0060]在侧壁Ib和顶板Ic的接合部分，衬垫102从处理容器I的内侧插入侧壁Ib和顶板Ic之间，其前端到达内侧O型环111。S卩，在侧壁Ib和顶板Ic的接合部分，内侧O型环111不抵接顶板1C，而抵接衬垫102，形成第一密封部。通过该第一密封部在该部位遮断等离子体或腐蚀性气体。这样，内侧O型环111主要具有防止等离子体或腐蚀性气体侵入侧壁Ib和顶板Ic的接合部分的间隙中的功能，即具有遮断等离子体或腐蚀性气体的功能。另一方面，外侧O型环112直接介于侧壁Ib和顶板Ic之间，确保两部件的接合部分的密封性，主要具有保持作为真空腔室的处理容器I的气密性的真空保持功能。
[0061]内侧O型环111和外侧O型环112也能够为相同材质。但是，作为以遮断等离子体和气体的功能为主要目的内侧O型环111的材质优先选择对等离子体和腐蚀性气体具有优良的耐性的材质例如娃橡胶、全氟醚橡胶(perfluoroelastomers)。另一方面，作为以真空保持功能为主要目的的外侧O型环112的材质，从气体透射率低且廉价的观点考虑，例如优选氟类橡胶。这样，根据双重配设的内侧O型环111和外侧O型环112的功能的不同，而通过选择最合适的材质，能够将内侧O型环111和外侧O型环112的作用发挥到最大限度，并且能够长期使用容易劣化的O型环。
[0062]在图1和图2所示的接合结构中，等离子体和腐蚀性气体在内侧O型环111的位置被遮断。因此，等离子体和腐蚀性气体不会到达侧壁Ib和顶板Ic直接抵接的接合界面、例如不会到达真空保持用的外侧O型环112的配设位置。因此，顶板Ic不会暴露于等离子体或腐蚀性气体，完全不需要阳极氧化处理。因此，在本实施方式的等离子体蚀刻装置100中，能够抑制顶板Ic的阳极氧化处理所需的时间和成本。
[0063]〔第二实施方式〕
[0064]接着，参照图3说明本发明的第二实施方式。图3为表示本发明的第二实施方式的等离子体蚀刻装置200的概略结构的剖面图。在第一实施方式的等离子体蚀刻装置100中，使用底壁Ia和侧壁Ib —体成型并对表面实施了阳极氧化处理的下部容器2，但是在本实施方式的等离子体蚀刻装置200中，分别由板状部件构成底壁la，由方筒状部件构成侧壁lb。以下，以与第一实施方式(图1)的不同点为中心说明，对相同的结构使用相同的附图标记，省略其说明。另外，在图3中，省略挡板81、绝缘壁83和绝缘壁85的图示。
[0065]本实施方式中，如图3所