在于所形成薄膜晶体管的各层结构的图形是与实施例1不同的，但是对于本领域技术人员而言，采用同样的工艺形成不同的图案是可以做到的，因此不再详细描述该薄膜晶体管的制备方法。
[0106]需要说明的是:上述各实施例中的薄膜晶体管的源极I和漏极5只是以与像素电极8连接的一极称之为漏极5，另一极则为源极1，但是实际中源极I和漏极5并无分别，因此应当理解的是，源极I和漏极5的位置也是可以互换的，也就是说源极I与像素电极8连接也在本实施例的保护范围之内。特别的是，在OLED阵列基板，像素电极8也就是OLED器件的底电极，在其中称之与底电极连接的薄膜晶体管的漏极5，另一极则为源极I。
[0107]实施例3:
[0108]本实施例提供一种显示装置，其包括上述阵列基板，该显示装置可以为:手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
[0109]本实施例的显示装置中具有实施例1或2中的阵列基板，故其性能更好。
[0110]当然，本实施例的显示装置中还可以包括其他常规结构，如电源单元、显示驱动单元等。
[0111]可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。
【主权项】
1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括: 源极，设置在基底上方； 刻蚀阻挡层，设置在所述源极上方，且在与所述源极对应的位置形成有源极接触过孔； 有源层，设置在所述刻蚀阻挡层上方，且通过所述源极接触过孔与所述源极电性连接; 第一绝缘层，设置在所述有源层上方，且在与所述有源层对应的位置形成有漏极接触过孔； 漏极，设置在所述第一绝缘层上方，且通过所述漏极接触过孔与所述有源层电性连接; 栅极，与所述源极和漏极中的一者同层设置，且与所述有源层的沟道区在基底上的正投影部分重合。
2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述有源层的材料为含有铟、镓、锌、铝、锡元素中的至少一种的含氧化合物、含硫化合物、含氮氧化合物、含硫氧化合物中的任意一种。
3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述栅极、所述源极和所述漏极采用钼、钼铌合金、铝、铝钕合金、钛和铜中的至少一种形成。
4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述源极包括源极环形本体，以及和源极环形本体连接的源极引出部； 所述刻蚀阻挡层中源极接触过孔为一环形开口，且所述源极接触过孔设于所述源极环形本体的正上方； 所述有源层覆盖所述源极环形本体的正上方的刻蚀阻挡层； 所述第一绝缘层覆盖在有源层上方，且在所述第一绝缘层中的漏极接触过孔为一环形开口 ； 所述漏极包括漏极本体，以及和漏极本体连接的漏极引出部，且所述漏极本体覆盖所述漏极接触过孔； 所述栅极包括栅极开环本体，以及和栅极开环本体连接的栅极引出部，且所述栅极开环本体环绕所述漏极本体，所述栅极开环本体的开口位置对应所述漏极引出部所在位置。
5.一种薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括: 在基底上，通过构图工艺形成包括薄膜晶体管源极的图形； 在完成上述步骤的基底上，形成刻蚀阻挡层，并通过构图工艺形成包括源极接触过孔的图形； 在完成上述步骤的基底上，通过构图工艺形成包括有源层的图形，所述有源层通过所述源极接触过孔与所述源极电性连接； 在完成上述步骤的基底上，形成第一绝缘层，并通过构图工艺形成包括与所述有源层对应的位置的漏极接触过孔的图形； 在完成上述步骤的基底上，通过构图工艺形成包括薄膜晶体管漏极的图形，所述漏极通过所述漏极接触过孔与所述有源层电性连接；其中， 在上述步骤中，形成薄膜晶体管的源极或漏极的同时还形成有薄膜晶体管的栅极，其中所述栅极与所述有源层的沟道区在基底上的正投影部分重合。
6.根据权利要求5所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述源极包括源极环形本体，以及和源极环形本体连接的源极引出部； 所述刻蚀阻挡层中源极接触过孔为一环形开口，且所述源极接触过孔设于所述源极环形本体的正上方； 所述有源层覆盖所述源极环形本体的正上方的刻蚀阻挡层； 所述第一绝缘层覆盖在有源层上方，且在所述第一绝缘层中的漏极接触过孔为一环形开口 ； 所述漏极包括漏极本体，以及和漏极本体连接的漏极引出部，且所述漏极本体覆盖所述漏极接触过孔； 所述栅极包括栅极开环本体，以及和栅极开环本体连接的栅极引出部，且所述栅极开环本体环绕所述漏极本体，所述栅极开环本体的开口位置对应所述漏极引出部所在位置。
7.—种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括权利要求1-4中任意一项所述的薄膜晶体管。
8.根据权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，所述在阵列基板上还包括设置在所述薄膜晶体管的漏极所在层上方的钝化层和设置在钝化层上方的像素电极；其中， 在所述钝化层中形成有像素电极接触过孔，所述像素电极通过所述像素电极接触过孔与所述漏极电性连接。
9.根据权利要求8所述的阵列基板，其特征在于，所述栅极与所述漏极同层设置，所述在阵列基板上还包括与所述像素电极同层设置的辅助栅极， 在所述钝化层中还形成有栅极接触过孔，所述辅助栅极通过所述栅极接触过孔与所述栅极电性连接。
10.根据权利要求9所述的阵列基板，其特征在于，所述栅极接触过孔与所述源极接触过孔在基底上的投影完全重合。
11.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，所述阵列基板的制备方法包括权利要求5或6所述的薄膜晶体管的制备方法。
12.根据权利要求11所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述阵列基板的制备方法还包括: 在形成有薄膜晶体管的漏极的基底上，形成钝化层，并通过构图工艺在钝化层中形成像素电极接触过孔； 在完成上述步骤的基底上，通过构图工艺形成包括像素电极的图形，所述像素电极通过所述像素电极接触过孔与所述漏极电性连接。
13.根据权利要求12所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述薄膜晶体管的栅极与漏极同步形成，在形成所述像素电极接触过孔的同时还包括:形成栅极接触过孔的步骤；以及在形成所述像素电极的同时还包括形成辅助栅极的步骤，所述辅助栅极与所述栅极通过栅极接触过孔电性连接。
14.根据权利要求13所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，形成的所述栅极接触过孔与所述源极接触过孔在基底上的投影完全重合。
15.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括权利要求7-10中任意一项所述的阵列基板。
【专利摘要】本发明提供一种薄膜晶体管、阵列基板及其各自制备方法、显示装置，属于显示技术领域，其可解决现有的薄膜晶体管体积较大的问题。本发明的薄膜晶体管包括：源极，设置在基底上方；刻蚀阻挡层，设置在所述源极上方，且在与所述源极对应的位置形成有源极接触过孔；有源层，设置在所述刻蚀阻挡层上方，且通过所述源极接触过孔与所述源极电性连接；第一绝缘层，设置在所述有源层上方，且在与所述有源层对应的位置形成有漏极接触过孔；漏极，设置在所述第一绝缘层上方，且通过所述漏极接触过孔与所述有源层电性连接；栅极，与所述源极和漏极中的一者同层设置，且与所述有源层的沟道区在基底上的正投影部分重合。
【IPC分类】H01L27-32, H01L29-786, H01L21-336, H01L27-12
【公开号】CN104681629
【申请号】CN201510119417
【发明人】张立
【申请人】京东方科技集团股份有限公司
【公开日】2015年6月3日
【申请日】2015年3月18日