0067]技术方案2.如技术方案I所述的方法，还包括以下步骤:
[0068]去除所述第二畴以暴露出所述第一硬掩模图案的部分；以及
[0069]刻蚀所述第一硬掩模图案的暴露出的部分以在所述第一开口之间形成第二开口。
[0070]技术方案3.如技术方案I所述的方法，其中，每个所述第一开口具有孔形。
[0071]技术方案4.如技术方案I所述的方法，
[0072]其中，每个所述第一开口具有孔形，以及
[0073]其中，每个所述第一开口具有大体相同的尺寸，并且所述第一开口以预定的节距规则地排列。
[0074]技术方案5.如技术方案I所述的方法，
[0075]其中，每个所述第一开口具有沟槽线形状或者凹槽线形状，以及
[0076]其中，每个所述第一开口具有大体相同的尺寸，并且所述第一开口以预定的节距规则地排列。
[0077]技术方案6.如技术方案I所述的方法，
[0078]其中，所述隔离图案以比所述第一开口之间的距离大的距离彼此间隔开，以及
[0079]其中，所述隔离图案具有隔离线形状。
[0080]技术方案7.如技术方案I所述的方法，其中，所述第一初级掩模图案和所述第二初级掩模图案利用单个图案化步骤来同时形成。
[0081]技术方案8.如技术方案I所述的方法，其中，所述第一初级掩模图案和所述第二初级掩模图案利用单个光刻步骤来形成，所述单个光刻步骤用单个光掩模和单个刻蚀步骤来执行。
[0082]技术方案9.如技术方案I所述的方法，其中，形成所述第一初级掩模图案和所述第二初级掩模图案的步骤包括:
[0083]在所述硬掩模层上形成初级掩模层；
[0084]在所述初级掩模层上形成光刻胶层；
[0085]形成限定所述第一开口和所述隔离图案的光刻胶图案；以及
[0086]利用所述光刻胶图案作为刻蚀掩模来刻蚀所述初级掩模层。
[0087]技术方案10.如技术方案I所述的方法，其中，所述第一初级掩模图案和所述第二初级掩模图案包括旋涂碳层。
[0088]技术方案11.如技术方案I所述的方法，其中，形成所述第一引导元件和所述第二引导元件的步骤包括以下步骤:
[0089]形成覆盖所述第一初级掩模图案和所述第二初级掩模图案的引导层；以及
[0090]各向异性地刻蚀所述引导层，以在所述第一开口的侧壁上和在所述第二初级掩模图案的侧壁上形成间隔件。
[0091]技术方案12.如技术方案I所述的方法，
[0092]其中，所述第一引导元件被排列成使得:按照平面图，沿着对角线排列的所述第一弓I导元件之间的距离大于沿着行方向或列方向排列的所述第一引导元件之间的距离；以及
[0093]其中，所述第二畴形成在沿着所述对角线排列的所述第一引导元件之间的空间的中心部分。
[0094]技术方案13.如技术方案12所述的方法，其中，每个所述第一引导元件具有限定所述第一开口的上部的圆柱形形状，以及
[0095]其中，所述第一开口具有孔形。
[0096]技术方案14.如技术方案13所述的方法，其中，每个所述第二畴位于由三个相邻的第一引导元件限定的三角形的中心部分、或者由四个相邻的第一引导元件限定的四角形的中心部分。
[0097]技术方案15.—种制造纳米级结构的方法，所述方法包括以下步骤:
[0098]提供限定第一开口的下部的第一硬掩模图案、设置在所述第一硬掩模图案上并且与所述第一开口对准的第一引导元件、以及与隔离图案相对应的第二硬掩模图案；
[0099]形成覆盖所述第二硬掩模图案的阻挡层；
[0100]形成填充所述第一开口以及在所述第一引导元件之间的空间的嵌段共聚物层；以及
[0101]将所述嵌段共聚物层相分离，以在所述第一引导元件之间的空间中形成第一畴和第二畴。
[0102]技术方案16.如技术方案15所述的方法，还包括以下步骤:
[0103]去除所述第二畴以暴露出所述第一硬掩模图案的部分；以及
[0104]刻蚀所述第一硬掩模图案的暴露出的部分以形成位于所述第一开口之间的第二开口。
[0105]技术方案17.如技术方案15所述的方法，
[0106]其中，所述隔离图案以比所述第一开口之间的距离大的距离彼此间隔开，以及
[0107]其中，所述隔离图案具有隔离线形状。
[0108]技术方案18.如技术方案15所述的方法，
[0109]其中，所述第一引导元件被排列成使得:按照平面图，沿着对角线排列的所述第一弓I导元件之间的距离大于沿着行方向或列方向排列的所述第一引导元件之间的距离；以及
[0110]其中，所述第二畴形成在沿着所述对角线排列的所述第一引导元件之间的空间的中心部分。
[0111]技术方案19.如技术方案18所述的方法，其中，每个所述第一引导元件具有限定所述第一开口的部分的圆柱形形状，以及
[0112]其中，所述第一开口具有孔形。
[0113]技术方案20.—种制造纳米级结构的方法，所述方法包括以下步骤:
[0114]在密集区中提供限定第一开口的下部的第一硬掩模图案；
[0115]在所述第一硬掩模图案上提供第一引导元件，所述引导元件限定所述第一开口的上部；
[0116]在稀疏区中提供第二硬掩模图案，每个第二硬掩模图案与隔离图案相对应；
[0117]在所述稀疏区中形成覆盖所述第二硬掩模图案的阻挡层；以及
[0118]利用嵌段共聚物层的相分离在所述密集区中形成第一畴和第二畴。
【主权项】
1.一种制造纳米级结构的方法，所述方法包括以下步骤: 在硬掩模层上形成限定第一开口的第一初级掩模图案、和提供隔离图案的第二初级掩模图案； 在所述第一开口的侧壁上形成第一引导元件，并且在第二初级掩模图案的侧壁上形成第二引导元件； 利用所述第一引导元件和所述第二引导元件以及所述第一初级掩模图案和所述第二初级掩模图案作为刻蚀掩模来刻蚀所述硬掩模层，以形成所述第一开口延伸于其中的第一硬掩模图案、和具有所述隔离图案的形状的第二硬掩模图案； 去除所述第一初级掩模图案和所述第二初级掩模图案； 形成覆盖所述第二硬掩模图案的阻挡层； 形成嵌段共聚物层，所述嵌段共聚物层填充具有由所述第一引导元件限定的侧壁的所述第一开口和在所述第一引导元件之间的空间；以及 将所述嵌段共聚物层相分离，以在所述第一引导元件之间的空间中形成第一畴和第二畴。
2.如权利要求1所述的方法，还包括以下步骤: 去除所述第二畴以暴露出所述第一硬掩模图案的部分；以及 刻蚀所述第一硬掩模图案的暴露出的部分以在所述第一开口之间形成第二开口。
3.如权利要求1所述的方法，其中，每个所述第一开口具有孔形。
4.如权利要求1所述的方法， 其中，每个所述第一开口具有孔形，以及 其中，每个所述第一开口具有大体相同的尺寸，并且所述第一开口以预定的节距规则地排列。
5.如权利要求1所述的方法， 其中，每个所述第一开口具有沟槽线形状或者凹槽线形状，以及其中，每个所述第一开口具有大体相同的尺寸，并且所述第一开口以预定的节距规则地排列。
6.如权利要求1所述的方法， 其中，所述隔离图案以比所述第一开口之间的距离大的距离彼此间隔开，以及 其中，所述隔离图案具有隔离线形状。
7.如权利要求1所述的方法，其中，所述第一初级掩模图案和所述第二初级掩模图案利用单个图案化步骤来同时形成。
8.如权利要求1所述的方法，其中，所述第一初级掩模图案和所述第二初级掩模图案利用单个光刻步骤来形成，所述单个光刻步骤用单个光掩模和单个刻蚀步骤来执行。
9.一种制造纳米级结构的方法，所述方法包括以下步骤: 提供限定第一开口的下部的第一硬掩模图案、设置在所述第一硬掩模图案上并且与所述第一开口对准的第一引导元件、以及与隔离图案相对应的第二硬掩模图案； 形成覆盖所述第二硬掩模图案的阻挡层； 形成填充所述第一开口以及在所述第一引导元件之间的空间的嵌段共聚物层；以及 将所述嵌段共聚物层相分离，以在所述第一引导元件之间的空间中形成第一畴和第二畴。
10.一种制造纳米级结构的方法，所述方法包括以下步骤: 在密集区中提供限定第一开口的下部的第一硬掩模图案； 在所述第一硬掩模图案上提供第一引导元件，所述引导元件限定所述第一开口的上部; 在稀疏区中提供第二硬掩模图案，每个第二硬掩模图案与隔离图案相对应； 在所述稀疏区中形成覆盖所述第二硬掩模图案的阻挡层；以及 利用嵌段共聚物层的相分离在所述密集区中形成第一畴和第二畴。
【专利摘要】提供了制造纳米级结构的方法。所述方法包括以下步骤：在密集区中形成与第一开口相对应的第一硬掩模图案；在第一硬掩模图案上与第一开口对准形成第一引导元件；以及在稀疏区中形成第二硬掩模图案以提供隔离图案。在稀疏区中形成阻挡层以覆盖第二硬掩模图案。利用嵌段共聚物层的相分离而在密集区中形成第一畴和第二畴。也提供了相关的纳米级结构。
【IPC分类】H01L21-027, H01L45-00, H01L21-8239
【公开号】CN104681717
【申请号】CN201410171189
【发明人】潘槿道, 卜喆圭, 金明洙, 李政衡, 沈炫冏, 吴昌一
【申请人】爱思开海力士有限公司
【公开日】2015年6月3日
【申请日】2014年4月25日
【公告号】US8999862